Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
11
Добавлен:
04.04.2013
Размер:
478.21 Кб
Скачать

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ

ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ

(Технический университет)

ОТЧЕТ

по лабораторной работе №2

по дисциплине

«Электроника и электротехника»

Выполнил:

Зубчевский В.В.

(группа С-43)

Проверил:

________(Рябов Н.И.)

Москва — 2003

Изучение статических вольт-амперных характеристик МДП транзистора и определение параметров его модели для схемотехнических расчетов.

Цели работы:

  • Изучение статических вольт-амперных характеристик МДП транзистора;

  • Приобретение навыков работы с полупроводниковыми приборами;

  • Приобретение навыков расчета схем с помощью программы схемотехнического анализа РSPICE.

Задание 1. Снять входные ВАХ, используя схему 1, и определить пороговое напряжение транзистора "Vto" и крутизну "kp".

Значение напряжния на стоке ― UСИ=-0,5В.

Найдем пороговое напряжение транзистора. Для этого найдем такое значение напряжения на затворе, при котором ток стока будет равен 10 мкА:

IC(Vto) = -10мкА

Vto=-2,57 В

VЗИ

-2,57

-2,89

-3,17

-3,55

-3,87

IС,мА

-0,010

-0,0514

-0,1264

-0,268

-0,376

VЗИ

-4,18

-4,58

-4,83

-5,02

-5,54

IС,мА

-0,477

-0,608

-0,659

-0,752

-0,910

По данным таблицы построим зависимость IC=f(VЗИ) (входную ВАХ)

Определение крутизны транзистора kp. . Для этого воспользуемся формулой:

Задание 2. Снять входные вольтамперные характеристики транзистора по схеме 2.

Vзи=-3В

Vзи=-4В

Vзи=-5В

и, В

Ic, мкА

Vси, В

Ic, мкА

и, В

Ic, мА

-4.82

-98,9

-4,77

-817

-4,67

-2,34

-4,43

-96,2

-4,29

-800

-4,19

-2,30

-4,00

-93,6

-3,76

-780

-3,81

-2,26

-3,55

-89,7

-3,16

-757

-3,44

-2,23

-3,11

-86,3

-2,61

-732

-3,08

-2,19

-2,69

-84,2

-2,11

-709

-2,62

-2,13

-2,27

-80,3

-1,65

-688

-2,14

-2,04

-1,68

-77,5

-1,229

-652

-1,79

-1,92

-1,195

-75,7

-1,132

-636

-1,478

-1,75

-0,975

-74,6

-1,006

-616

-1,356

-1,65

-0,80

-74,3

-0,900

-587

-1,169

-1,49

-0,728

-73,9

-0,804

-559

-1,021

-1,35

-0,615

-73,6

-0,668

-508

-0,892

-1,199

-0,540

-71,5

-0,594

-469

-0,743

-1,038

-0,425

-65,4

-0,495

-411

-0,627

-0,912

-0,329

-57,4

-0,410

-352

-0,504

-0,765

-0,244

-47,5

-0,338

-304

-0,408

-0,640

-0,186

-38,6

-0,223

-224

-0,261

-0,431

-0,132

-31,3

-0,175

-174

-0,148

-0,252

-0,0976

-25,2

-0,052

-58

-0,0467

-0,0815

По данным таблицы построим зависимость зависимости IС=f(VСИ) при напряжениях на затворе ‑3, ‑4, ‑5 В.

Н айдем параметр lambda, для этого воспользуемся формулой:

Задание 3. Расчет выходных и входных характеристик с использование PSPICE.

Исходя из ранее рассчитанных параметров, составим входной файл для расчета входных ВАХ:

Input VAC

Vg 2 0 -0.5

Vd 1 0 -1

m1 2 1 0 0 mos

.model mos pmos(level=1 Vto=-2.57 kp=65.35u W=10u L=1u

+ lambda=0.0606)

.DC Vd -2.5 -6 -0.05

.probe

.end

И спользуя этот входной файл, получим график входной ВАХ:

Исходя из ранее рассчитанных параметров, составим входной файл для расчета выходных ВАХ:

Input VAC

Vg 2 0 -0.5

Vd 1 0 -1

m1 2 1 0 0 mos

.model mos pmos(level=1 Vto=-2.57 kp=65.35u W=10u L=1u

+ lambda=0.0606)

.DC Vg 0 -5 -0.05 Vd -3 -5 -1

.probe

.end

И спользуя этот входной файл, получим график входной ВАХ:

- 7 -

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.