Отчет по 2-ой лабе / Laba2
.docМОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ
ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ
(Технический университет)
ОТЧЕТ
по лабораторной работе №2
по дисциплине
«Электроника и электротехника»
|
Выполнил: Зубчевский В.В. (группа С-43)
|
Проверил:
________(Рябов Н.И.) |
Москва — 2003
Изучение статических вольт-амперных характеристик МДП транзистора и определение параметров его модели для схемотехнических расчетов.
Цели работы:
-
Изучение статических вольт-амперных характеристик МДП транзистора;
-
Приобретение навыков работы с полупроводниковыми приборами;
-
Приобретение навыков расчета схем с помощью программы схемотехнического анализа РSPICE.
Задание 1. Снять входные ВАХ, используя схему 1, и определить пороговое напряжение транзистора "Vto" и крутизну "kp".
Значение напряжния на стоке ― UСИ=-0,5В.
Найдем пороговое напряжение транзистора. Для этого найдем такое значение напряжения на затворе, при котором ток стока будет равен 10 мкА:
IC(Vto) = -10мкА
Vto=-2,57 В
|
VЗИ,В |
-2,57 |
-2,89 |
-3,17 |
-3,55 |
-3,87 |
|
IС,мА |
-0,010 |
-0,0514 |
-0,1264 |
-0,268 |
-0,376 |
|
VЗИ,В |
-4,18 |
-4,58 |
-4,83 |
-5,02 |
-5,54 |
|
IС,мА |
-0,477 |
-0,608 |
-0,659 |
-0,752 |
-0,910 |
По данным таблицы построим зависимость IC=f(VЗИ) (входную ВАХ)
Определение крутизны транзистора kp. . Для этого воспользуемся формулой:
Задание 2. Снять входные вольтамперные характеристики транзистора по схеме 2.
|
Vзи=-3В |
Vзи=-4В |
Vзи=-5В |
|||
|
Vси, В |
Ic, мкА |
Vси, В |
Ic, мкА |
Vси, В |
Ic, мА |
|
-4.82 |
-98,9 |
-4,77 |
-817 |
-4,67 |
-2,34 |
|
-4,43 |
-96,2 |
-4,29 |
-800 |
-4,19 |
-2,30 |
|
-4,00 |
-93,6 |
-3,76 |
-780 |
-3,81 |
-2,26 |
|
-3,55 |
-89,7 |
-3,16 |
-757 |
-3,44 |
-2,23 |
|
-3,11 |
-86,3 |
-2,61 |
-732 |
-3,08 |
-2,19 |
|
-2,69 |
-84,2 |
-2,11 |
-709 |
-2,62 |
-2,13 |
|
-2,27 |
-80,3 |
-1,65 |
-688 |
-2,14 |
-2,04 |
|
-1,68 |
-77,5 |
-1,229 |
-652 |
-1,79 |
-1,92 |
|
-1,195 |
-75,7 |
-1,132 |
-636 |
-1,478 |
-1,75 |
|
-0,975 |
-74,6 |
-1,006 |
-616 |
-1,356 |
-1,65 |
|
-0,80 |
-74,3 |
-0,900 |
-587 |
-1,169 |
-1,49 |
|
-0,728 |
-73,9 |
-0,804 |
-559 |
-1,021 |
-1,35 |
|
-0,615 |
-73,6 |
-0,668 |
-508 |
-0,892 |
-1,199 |
|
-0,540 |
-71,5 |
-0,594 |
-469 |
-0,743 |
-1,038 |
|
-0,425 |
-65,4 |
-0,495 |
-411 |
-0,627 |
-0,912 |
|
-0,329 |
-57,4 |
-0,410 |
-352 |
-0,504 |
-0,765 |
|
-0,244 |
-47,5 |
-0,338 |
-304 |
-0,408 |
-0,640 |
|
-0,186 |
-38,6 |
-0,223 |
-224 |
-0,261 |
-0,431 |
|
-0,132 |
-31,3 |
-0,175 |
-174 |
-0,148 |
-0,252 |
|
-0,0976 |
-25,2 |
-0,052 |
-58 |
-0,0467 |
-0,0815 |
По данным таблицы построим зависимость зависимости IС=f(VСИ) при напряжениях на затворе ‑3, ‑4, ‑5 В.
Н
айдем
параметр lambda,
для этого воспользуемся формулой:
Задание 3. Расчет выходных и входных характеристик с использование PSPICE.
Исходя из ранее рассчитанных параметров, составим входной файл для расчета входных ВАХ:
Input VAC
Vg 2 0 -0.5
Vd 1 0 -1
m1 2 1 0 0 mos
.model mos pmos(level=1 Vto=-2.57 kp=65.35u W=10u L=1u
+ lambda=0.0606)
.DC Vd -2.5 -6 -0.05
.probe
.end
И
спользуя
этот входной файл, получим график входной
ВАХ:
Исходя из ранее рассчитанных параметров, составим входной файл для расчета выходных ВАХ:
Input VAC
Vg 2 0 -0.5
Vd 1 0 -1
m1 2 1 0 0 mos
.model mos pmos(level=1 Vto=-2.57 kp=65.35u W=10u L=1u
+ lambda=0.0606)
.DC Vg 0 -5 -0.05 Vd -3 -5 -1
.probe
.end
И
спользуя
этот входной файл, получим график входной
ВАХ:
-