Формирование сегнетоэлектрических тонких плёнок методом вч магнетронного распыления для интегральных элементов памяти

Основные технические данные для

поиска

Страны

Класс МКИ

или УДК

Что и за какой

период

просмотрено

1

2

3

4

Формирование сегнетоэлектрических тонких пленок методом ВЧ магнетронного распыления для интегральных элементов памяти

Беларусь

C23C14/35

C23C14/08

Не обнаружено

--//--

Корея

H01L27/105

http://www.worldwide.

espacenet.com

--//--

Россия

G01J05/00

C23C14/35

C23C14/08

G02F01/135

G02F01/137

C01B25/14

C01B17/00

C07C53/10

C07C51/41

С патента №2413186

от 20.04.2009 г.

по патент №2470867

от 27.12.2012 г.

--//--

США

C23C18/1216

C23C18/1241

C23C14/08

C23C14/34

C23C14/00

H01L41/00

H01H37/52

C23C18/127

С патента

№ US2010221415A1

от 02.09.2010 г.

по патент

№ US2013015391A1

от 17.01.2013 г.

--//--

Франция

H01L43/08

Патентная БД ЕПО

--//--

Япония

H01L41/187

Патентная БД «PAJ»

№, названия выявленных аналогов

Анализ технических решений, темы. Выводы и рекомендации

1

2

Корея. Патент

№ KR20090105590А

от 07.10.2009

Сегнетоэлектрическое устройство памяти

MULTI-BIT

Многоразрядное сегнетоэлектрическое устройство памяти, работающее при помощи множества тонких сегнетоэлектрических пленок с различной толщиной или принудительным полем. Для этого на нижнем электроде формируется несколько сегнетоэлектрических слоев. Слои формируется путем наложения множества тонких сегнетоэлектрических пленок из различных сегнетоэлектрических материалов. На многослойной сегнетоэлектрической структуре формируется верхний электрод. По крайней мере, один слой сегнетоэлектрической тонкой пленки имеет отличную от других слоев толщину и принудительное поле.

Россия. Патент

№ 2413186

от 20.04.2009

Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент

Изобретение относится к области приборостроения. В многослойной структуре тонкопленочные слои толщиной 300 нм поликристаллических сегнетоэлектриков- релаксоров сформированы на подложке из сегнетоэлектрического керамического электретного материала. Электрический потенциал подложки является источником смещающего электрического поля, которое смещает ионные подрешетки материала в слоях, что приводит к индуцированию поляризованного состояния в области размытого фазового перехода каждого слоя. При падении на верхний электрод теплового излучения изменяется температура каждого слоя и возникает пироэлектрический ток. Техническим результатом, достигаемым настоящим изобретением, является повышение соотношения сигнал/шум.

Россия. Патент

№ 2434078

от 23.11.2009

Способ осаждения тонких пленок

сегнетоэлектриков на

основе сложных оксидов методом

ионно-плазменного распыления

Изобретение относится к технологии получения тонких пленок, в частности сегнетоэлектрических пленок на основе сложных оксидов, и может быть использовано для создания многокомпонентных пленочных покрытий с заданным стехиометрическим составом. Способ включает ионно-плазменное распыление мишени, выполненной из сложных оксидов сегнетоэлектриков, и нанесение ее атомов на подложку, расположенную на аноде. При этом между подложкой и мишенью устанавливают цилиндрический экран, выполненный из диэлектрического материала. Распыляемая мишень может быть выполнена из Ba_xSr_1-xTiO₃ или PbZr_xTi_1-xO₃. Технический результат - расширение диапазона отклонения стехиометрического состава получаемых пленок от стехиометрического состава распыляемой мишени.

Россия. Патент

№ 2430393

от 11.03.2010

Сегнетоэлектрическая жидкокристаллическая дисплейная ячейка

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано в устройствах и в системах визуализации, отображения, хранения и обработки информации, обладающих высокой информационной емкостью, в частности в двухмерных и трехмерных дисплеях, в том числе компьютерных и телевизионных, в модуляторах света, в том числе в пространственных, в устройствах обработки и распознавания изображений, хранения и преобразования данных и т.п.

Россия. Патент

№ 2455235

от 27.08.2012

Способ получения гипотиофосфата олова

Сегнетоэлектрические пленки на основе гипотиофосфата олова Sn₂P₂S₆ имеют высокие значения относительной диэлектрической проницаемости T33 / 0 = 400 и пьезочувствительности =5,5-5,7*10 ^-7 В/Па на низких частотах при объемном возбуждении, что делает их перспективными для использования в электроакустических устройствах.

Россия. Патент

№ 2470867

от 27.12.2012

Способ получения безводного ацетата свинца (II) для приготовления безводных пленкообразующих растворов цирконата-титаната свинца

Изобретение относится к области химического синтеза карбоксилатов свинца, применяемых для получения оксидных твердых растворов, а именно к способам получения безводного ацетата свинца (II) для приготовления безводных пленкообразующих растворов цирконата-титаната свинца, и может быть использовано в технологии микроэлектроники и, в частности, для производства энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств.

США. Патент

№ US2010221415A1

от 02.09.2010

Тонкие пленки из

сегнетоэлектрических материалов и метод

их получения

Получены тонкие пленки сегнетоэлектрических материалов с высокой долей Pb(A_2+1/3B_5+2/3)O₃ в в фазе перовскита, в которой А − цинк или сочетание цинка и магния, а В − пятивалентный элемент такой как ниобий или тантал. Как правило, мольная доля Pb(A_2+1/3B_5+2/3)O₃ в сегнетоэлектрических материалах составляет более 0,7. Способ получения тонких пленок сегнетоэлектрических материалов включает в себя получение раствора прекурсора, содержащего свинец, A²⁺, и B⁵⁺, изменение раствора прекурсора путем добавления к нему полимеров, применение модифицированного раствора прекурсора к поверхности подложки и формирование покрытия на нем, воздействие на покрытие тепловой обработкой и формирования пленки в фазе перовскита.

США. Патент

№ 8100513

от 24.01.2012

Сегнетоэлектрические плёнки, способ получения сегнетоэлектрических плёнок, сегнетоэлектрических устройств и жидких устройств разряда.

Сегнетоэлектрические плёнки, имеющие столбчатую ​​структуру, состоящую из множества столбчатых зерен и содержащие в качестве основного компонента оксид перовскита, который имеет состав, выраженный композиционной формулой 1+δ[(Zr_хTi_1-х)_1-йM_у]O_Z , где А представляет собой один или несколько элементов, включая свинец (Pb) в качестве основного компонента, M представляет собой один или несколько материалов таких как ванадий (V), ниобий (Nb), тантал (Ta) или сурьма (Sb) в качестве элементов B − один или

несколько элементов таких как цирконий (Zr) или

титан (Ti), также B-элементы, 0 <х ≦ 0,7,

0,1 ≦ у ≦ 0,4, δ близко к нулю и составляет примерно 3, а δ и г могут изменяться от 0 и 3, соответственно в диапазонах δ и г в которых состав выражается композиционной формулой 1+ δ[(Zr_хTi_1-х)_1-йМ_у]O_г может существенно образования структурой перовскита.

США. Патент

№ US2013015391A1

от 17.01.2013

Способ получения при низких температурах сегнетоэлектрических тонких пленок и их применение

Технология формирования при низких температурах (< 400 °С) кристаллических сегнетоэлектрических тонких пленок оксидов, в частности

PbZr_xTi_1-xO₃ (ЦТС) с сегнетоэлектрическими свойствами подходящими для интеграции в устройства. Этот метод также может использоваться для получения сегнетоэлектрических тонких пленок структуры вольфрамовой бронзы (A₂B₂O₆), перовскита (ABO₃), пирохлора (A₂B₂O₇) и титаната висмута (Bi₄Ti₃O₁₂), в которых А и В являются одно-, двух-, трех-, четырех- и пятивалентными ионами. Метод основан на сочетании золь-гель (SDSG) прекурсоров и фото химического осаждения решение (PCSD) методологии и включает в себя следующие основные шаги: а) синтез металл-органических прекурсоров нужной композиции оксида металла с высокой фото-чувствительность в УФ-диапазоне длин волн, II) подготовка процесса золь-гель наночастиц нужного состава, аналогичные или отличается от кристаллического соединения, которые будут получены от предыдущих золь прекурсоров, III) дисперсии кристаллических наночастиц в прекурсоров золь подготовка стабильного и однородного золь-геля на основе подвески; IV) осаждения предыдущим подвески на подложки, V) УФ-облучение осажденного слоя на воздухе или атмосфере кислорода и дальнейшая термическая обработка на воздухе или в кислороде облученного слоя при температурах ниже 400 °С. Этот метод обеспечивает получение поликристаллических сегнетоэлектрических, пьезоэлектрических, пироэлектрических и диэлектрических пленок, плотных и без трещин толщиной от 50 нм до 800 нм на монокристаллических, поликристаллических, аморфных металлических и полимерных подложках при низких температурах и с оптимизированными свойствами, применимые в области микроэлектронной и оптической промышленности.

Франция. Патент

№ WO2012127043A1

от 27.09.2012

Устройство, состоящее из различных тонких пленок и использование таких устройств 

Изобретение относится к устройству, содержащему: собрание (2), состоящее из двух тонких пленок, соответственно верхней тонкой пленки (6) и нижней тонкой пленки (4), каждая из которых образует ферромагнитный элемент, эти две тонких пленки, разделенные тонкой пленкой (8). Формирование немагнитных элементов сборки формируется таким образом, что плёнки формирования ферромагнитных элементов (4, 6) магнитно связаны через пленкообразующие немагнитные элементы (8); электрод (12) и пленкообразующий сегнетоэлектрический элемент (4), в котором поляризация может быть ориентирована в нескольких направлениях путем приложения напряжения через указанные пленки, создает пленкообразующий сегнетоэлектрический элемент (10), который расположен между пленкообразующим нижним ферромагнитным элементом (4) и электродом(12). Указанное устройство настроено так, что магнитная конфигурация пленок формирования ферромагнитных элементов (4, 6) контролирует направление поляризации в пленке формирования сегнетоэлектрических элементов (10).

Япония. Патент

№ WO2012164753A1

от 06.12.2012

Способ получения сегнетоэлектрических плёнок и пьезоэлектрического устройства  

Изобретение позволяет получать широкую петлю гистерезиса и хорошие пьезоэлектрические свойства даже в тонких сегнетоэлектрических пленках. Одним из вариантов изобретения является способ получения сегнетоэлектрической пленки, отличающийся тем, что металлические элементы в

Ni_1-AW_A плёнке термически распространяются в пленку материала ЦТС в кислородной атмосфере, и PZT пленка кристаллизуется.