34. Термокопрессионная, ультразвуковая и термозвуковая микросварка.
МЕТОДЫ ПРИСОЕДИНЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНЫХ ВЫВОДОВ
1. Термокомпрессионная сварка2. Ультразвуковая сварка3. Термозвуковая сварка4. Микроконтактная сварка
РАЗНОВИДНОСТИ ТЕРМОКОМПРЕССИОННОЙ СВАРКИ
1. ТКС шариком2. ТКС клином3. ТКС сшиванием4. ТКС птичьим клювом
ПО СПОСОБУ НАГРЕВА РАЗЛИЧАЮТ
1. ТКС с нагревом столика
2. ТКС с нагревом инструмента
3. ТКС с нагревом столика и инструмента
СПОСОБЫ МИКРОКОНТАКТНОЙ СВАРКИ
1. Двухсторонняя
2. Односторонняя двумя электродами
3. Расщепленным электродом
4. Строенным электродом
«КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ИЗДЕЛИЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ ».
1. Состав элементной базы ЭОС. Требования к элементной базе ЭОС. Тенденции развития элементной базы ЭОС. Интегральные микросхемы и устройства функциональной электроники, как основные составляющие изделий интегральной электроники. Статические неоднородности. Динамические неоднородности. 1
2. Основные этапы конструирования ЭОС. Взаимосвязи процессов проектирования ЭОС и интегральных микросхем. Упрощенная схема и десять укрупненных этапов автоматизированного проектирования изделий интегральной электроники. Требования к специалистам, осуществляющим проектирование. . Общее и частное техническое задания на автоматизированное проектирование изделий интегральной электроники и основные требования к ним. 4
3. Взаимосвязи информационных, функциональных и электрических преобразований сигналов. Сигналы и их виды, основные характеристики. Детерминированные и вероятностные преобразования сигналов. Особенности аналоговых, импульсных и логических преобразований сигналов. 7
4. Основные классы электрических элементарных функциональных преобразователей. Аналоговые, импульсные, логические элементарные функциональные преобразователи, принципиальные схемы и типы выполняемых ими преобразований. 9
5. синтез логической функциональной схемы автоматического устройства. Входы, выходы, алгоритм работы схемы. 9. синтез аналоговой функциональной схемы распределителя сигналов. Входы, выходы, алгоритм работы схемы. Полная функциональная схема распределителя сигналов. 11
6. этап электрического моделирования. Синтез и оптимизация алгоритма процессов преобразования электрических сигналов будущей микросхемы. Классификация типов электрических моделей, принципиальная электрическая схема–модель, эквивалентная электрическая схема–модель. Классификация преобразовательных схемных компонентов микросхемы. 14
7. Микросхемы на биполярных и полевых транзисторах. Типы схем на биполярных транзисторах, логические микросхемы на МОП- и КМОП-транзисторах. Микросхемы с перестраиваемой структурой. Перестройка формированием недостающих соединений печатного монтажа микросхемы, перестройка с помощью электрического управления. 18
8. Особенности экспериментального моделирования, моделирование пассивных и активных элементов. Эквивалентная схема биполярного транзистора. Математическое моделирование, модель и система дифференциальных уравнений. Общая структура программ анализа электрических схем. Оптимизация схемы (модели). Зона разброса передаточной характеристики логической микросхемы 22
9. Основные приближения зонной теории. Возможные случаи зонной структуры твёрдых тел. Металлы, полупроводники, диэлектрики. Характеристика электропроводности металлов, полупроводников и диэлектриков. Понятие о донорных и акцепторных уровнях. Элементы, создающие донорные и акцепторные уровни в германии и кремнии. Основные диффузанты для кремния: газообразные, жидкие, твердые. Основные материалы для изделий интегральной электроники. Простые вещества с полупроводниковыми свойствами. Соединения и твердые растворы типа АХB8-Х, АХВ18-ХВ28-Х, А1ХА2ХВ8-Х, А1хА2хВ18-хВ28-х . 27
10. Фаза – в термодинамике, правило фаз. Однофазная диаграмма состояний. Тройная точка. Критические точки. Двухфазная диаграмма состояний. Двухфазная диаграмма состояний и процессы отвердевания сплава, количество вещества А, присутствующего в любой из фаз. Правило уровня. 36
11. Интегральная технология, технологическая совместимость. Базовые технологии. Общая характеристика технологического процесса. Три основных группы технологических процессов. Технология получения кремния и изготовления пластин. Технология очистки полупроводниковых пластин. 39
12. Газофазная эпитаксия кремния: кинетика процесса, устройство установки для газофазной эпитаксии. Реагенты для газофазной эпитаксии кремния. Легирование и автолегирование эпитаксиальных слоев. Контроль параметров эпитаксиальных слоев. Гетероэпитаксия кремния на сапфире. Молекулярно-лучевая эпитаксия. 46
13. Теоретические основы процесса диффузии: механизмы диффузии, основные количественные закономерности. Особенности многостадийной диффузии. Форма p-n перехода при диффузии. Толщина диффузионного слоя. Предельная растворимость примесей. Распределение примеси при диффузии. Технология загонки примеси: выбор масок, типы источников примеси, схемы установок. Влияние кислорода на процесс диффузии, диффузия из примесных покрытий, технология разгонки примеси. 55
14. Сущность процесса ионной имплантации, пробеги ионов, механизмы торможения ионов, распределение примеси. Каналирование примеси при ионной имплантации. Коэффициент использования примеси. Радиационные дефекты. Послеимплантационный отжиг. Материалы масок при ионной имплантации. Боковое распределение примеси. Преимущества и недостатки процесса ионного легирования по сравнению с диффузией примесей. Профили распределения примеси при различных процессах. 60
15. Классификация методов получения окисных пленок. Особенности процесса термического окисления. Применение пленок окисла кремния в технологии ИИЭ. Требования к плёнкам SiO2. Модель термического окисления. Особенности получения тонких и толстых плёнок окисла кремния. Пирогенное окисление, техника окисления. Сегрегация примеси при термическом окислении. Влияние примеси на скорость окисления. 67
16. Литографический процесс и его роль в формировании структуры ИС. Фотошаблоны и их производство. Фоторезисты, фотохимические реакции, требования к фоторезистам. 76
17. Подготовка подложек к нанесению фоторезиста, нанесение и сушка фоторезиста. Совмещение и экспонирование подложек. Контактная и проекционная фотолитография. Пути повышения разрешающей способности фотолитографии. 81
18. Жидкостное травление, цели и методы химического травления полупроводников. Кинетика процессов травления. Типы растворения вещества. Травление с кинетическим и диффузионным контролем. 88
19. Химическое и электрохимическое травление кремния. Материалы, подвергаемые химическому травлению. Жидкостное травление плёнок оксида и нитрида кремния, металлических пленок. Жидкостное удаление фоторезиста. 91
20. Классификация методов сухого травления полупроводников. Особенности ионного, ионно-химического и плазмохимического травления. 95
21. Реакторы для плазмохимического травления. Процессы протекающие в плазме. Явления в газовых разрядах. Кинетика плазмохимического травления. Параметры процессов травления. Сравнительные характеристики методов сухого травления. 96
22. Методы повышения анизотропии плазмохимического травления. Бош-процесс. Плазмохимическое травление кремния, пленок Si3N4, SiO2. Плазмохимическое травление алюминия, удаление фоторезиста. 100
23. Функции тонких металлических плёнок в технологии ИИЭ. Стадии процесса нанесения тонких плёнок. Классификация методов нанесения. 106
24. Получение плёнок термическим испарением. Резистивное, электронно-лучевое, индукционное, лазерное испарение. 108
25. Получение плёнок ионным распылением. Системы для ионного распыления. Получение диэлектрических плёнок ионным распылением. 111
26. Химическое осаждение металлов из газовой фазы. Технология получения функциональных покрытий ХОГФ. Типы реакторов для ХОГФ. 115
27. Последовательность формирования диффузионно-планарной структуры. последовательность технологических операций формирования эпитаксиально-планарной структуры. 119
28. последовательность технологических операций формирования структуры с инжекционным питанием И2Л. последовательность технологических операций формирования эпитаксиально-планарной структуры со скрытым n+ слоем 125
29. последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией. последовательности технологических операций формирования изопланарной и полипланарной структуры. 129
30. последовательности технологических операций формирования КМОП-структуры и структуры кремний на сапфире. 134
31. Назначение корпусов ИИЭ, требования к корпусам. Классификация корпусов ИИЭ. Устройство герметичного корпуса. Методы герметизации. Металлокерамические и металлостеклянных корпуса. Конструкция и технология изготовления. Герметизация пластмассой. 141
32. Технология разделения пластин на кристаллы. Одно и двухстадийный процесс. 147
33. Технология монтажа кристаллов в корпус. Эвтектическая пайка, пайка низкотемпературными припоями, приклеивание. 151
34. Термокопрессионная, ультразвуковая и термозвуковая микросварка. 155