
- •2.2 Полупроводниковые диоды
- •2.2.1 Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов.
- •2.2.2 Устройство полупроводниковых диодов.
- •2.2.3.1 Высокочастотные выпрямительные диоды
- •2.2.3.2 Арсенидгаливые выпрямительные диоды
- •2.2.3.2 Выпрямление переменного тока с помощью выпрямительных диодов.
- •2.2.4 Импульсные диоды
- •2.2.5 Стабилитроны
- •2.2.6 Стабисторы
- •2.2.7 Варикапы
- •2.2.8 Туннельные диоды
- •2.2.9 Полупроводниковые диоды для свч
2.2.3.1 Высокочастотные выпрямительные диоды
Выпрямительные диоды широко применяются на высоких частотах (диапазон частот от 30 МГц до 300 МГц) для детектирования колебаний высокой частоты и используются в радиотехнической, телевизионной и другой аппаратуре. По технологии изготовления они могут быть точечными, диффузионными или иметь мезаструктуру. В качестве высокочастотных выпрямительных диодов используется диод Шотки [6].
Диоды Шотки характеризуются наибольшим быстродействием (единицы нс) и малыми значениями прямого падения напряжения (обычно при номинальном токе составляют 0,5... 0,6 В). Основной недостаток диодов Шотки заключается в малой величине обратного напряжения (до 70 В). Увеличение обратного напряжения сопровождается ростом тока утечки и прямого падения напряжения.
Эпитаксиальная технология позволяет создавать быстродействующие диоды на большие обратные напряжения (200... 1200 В), но с повышенным значениями прямого падения напряжения до 1,2 В и времени обратного восстановления до 20...100 нс. Пониженные значения токов утечки и емкости переходов обеспечивают их преимущества перед диодами Шотки при работе в высокочастотных схемах.
Диффузионная технология позволяет повысить обратные напряжения быстродействующих диодов до значений выше 1200 В, но приводит к еще большим значениям прямого падения напряжения до 1,4...1,5 В и времени обратного восстановления до 200...500 нс. Улучшение параметров таких диодов, в первую очередь, связано с использованием радиационно-легированного исходного кремния и радиационного исходного кремния и радиационных методов введения генерационно-рекомбинационных центров.
Быстродействие высокочастотных диодов характеризуется временем обратного восстановления диода (τвост обр). Это время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения.
Основу конструкции высокочастотных диодов составляет стеклянный или металлокерамический патрон, в торцах которого установлены металлические контакты, имеющие выводы.
На рисунке 2.18 показана конструкция германиевых микросплавных высокочастотных диодов ГД403А, ГД403Б, ГД403В, предназначенные для применения в качестве детекторов амплитудно-модулированных сигналов в радиовещательных приёмниках. Они выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится в корпусе. Масса диода не более 0,6г.
Рисунок 2.18 - Конструкция германиевых микросплавных высокочастотных диодов ГД403А, ГД403Б, ГД403В
Рисунок 2.19 - Конструкция кремниевых высокочастотных диодов 2Д419А, 2Д419Б, 2Д419В с барьером Шотки
На рисунке 2.19 показана конструкция кремниевых высокочастотных диодов 2Д419А, 2Д419Б, 2Д419В с барьером Шотки, предназначенных для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц. Выпускаются диоды в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на корпусе. Маска диода не более 0,035г.