
- •Основы электроники и микроэлектроники
- •Раздел 4. Основы электронной схемотехники
- •Тема 4.7. Усилители постоянного тока
- •4.7 4.7.1 Балансные усилители
- •4.7.2 Интегральные усилители переменного напряжения
- •4.7.3 Дифференциальные усилители
- •4.7.4 Операционные усилители
- •4.7.4.1 Структура оу
- •4.7.4.2 Параметры и характеристики оу
- •4.7.4.3 Схемотехника интегральных операционных усилителейСтруктура и основные параметры с
- •4.7.4.4 Применение интегральных операционных усилителей
|
Министерство образования Республики Беларусь
УО «Брестский государственный политехнический колледж» |
Основы электроники и микроэлектроники
Раздел 4. Основы электронной схемотехники
Тема 4.7. Усилители постоянного тока
г. Брест
4.7 4.7.1 Балансные усилители
Существуют усилители последовательного и параллельного баланса. В транзисторных и интегральных усилителях распространение получили усилители параллельного баланса (рисунок 7.4).
Рисунок7.4 – Схемы усилителей параллельного баланса с симметричными
входами и выходами на биполярных (а) и полевых (б)
транзисторах
Активные элементы VT1 и VT2 образуют два плеча моста. Еще два плеча образованы резисторами R1 и R2. Эмиттирующие электроды активных элементов имеют общий резистор Rэ. Источник входного напряжения uвх включен между управляющими электродами активных элементов, а выходным напряжением uвых является напряжение между выходными электродами. Таким образом, данный УГС имеет симметричные вход и выход.
Если элементы симметричных плеч одинаковы, т. е. R1= R2, и параметры активных элементов VT1 и VT2 одинаковы, то при uвх = 0 мост сбалансирован и uвх = 0. Изменение напряжения питания, температуры окружающей среды и других факторов в симметричной мостовой схеме приводит к одинаковому изменению токов i1 и i2. В результате напряжения выходных электродов (коллекторов или стоков) изменяются одинаково, и разность напряжений между ними по-прежнему остается равной нулю.
Под действием напряжения ивх изменения напряжений управляющих электродов оказываются одинаковыми по значению и противоположными по полярности (фазе): ивх/2 и – ивх/2. Эти напряжения вызывают изменения токов i1 и i2 таким образом, что ∆i1 = –∆i2.Напряжение на резисторе Rэ при этом не изменяется, так как
∆и3 = (∆i1 + ∆i2)Rэ = 0.
Это означает, что для парафазных напряжений резистор Rэ не является резистором R1 и R2 образуют однокаскадные усилители без ООС. Коэффициент усиления можно определить, используя эквивалентные схемы отдельных каскадов, представленные на рисунке 7.5. Знаки «минус» перед обозначениями генераторов тока отображают инвертирующие свойства каждого каскада.
В соответствии с этими схемами имеем:
(7.3)
uвых = uвых1 – uвых2 = – SRuвх
Кu п.б. = uвых/ uвх = – SR
Рисунок 7.5 – Эквивалентные схемы левого (а) и правого (б) плеч
усилителя параллельного баланса
Сравнение выражений (7.3) и (5.15) показывает, что усилитель параллельного баланса имеет такой же коэффициент усиления, что и усилительный каскад без ООС.
Интегральные усилители
4.7.2 Интегральные усилители переменного напряжения
Усилители низкой частоты. УНЧ в интегральном исполнении – это, как правило, апериодические усилители, охваченные общей (по постоянному и переменному току) или местной ОС. Часто применяются оба названных вида ОС. Интегральные электронные усилители содержат большое число вспомогательных выводов, которые придают им универсальность, расширяют область применения. Правда, увеличение числа выводов уменьшает процент выхода готовых ИМС и повышает их стоимость.На рисунке 5.36, а показана схема двухкаскадного УННЧ типа 122УН1. Первый каскад (на транзисторе VT1) собран по схеме ОЭ, а второй (на транзисторе VT2) – по схеме ОЭ, если выходной сигнал снимается с выводок 8, 9, или по схеме ОК, если ВЫХОДНОЙ сигнал снимается с вывода 11.
Выводы 3, 5, 10, а также 11, если последний не является выходным, служат для подключения внешних конденсаторов, осуществляющих частотную коррекцию. К точке 10 можно подключить конденсатор, который совместно с резистором R3 образует фильтр в коллекторной цепи транзистора VT1 для уменьшения опасности возбуждения усилителя. При подключении шунтирующих конденсаторов к выводам 3, 5 и 11 ООС по переменному сигналу отсутствует, остаются только местные ООС по току, создаваемые резисторами R2 и R7 и осуществляющие стабилизацию режима. Резисторы R4 и R5 обеспечивают смещение на эмиттерном переходе транзистора VT1 и одновременно образуют общую ООС усилителя.
Если
требуется обеспечить высокое входное
сопротивление
интегрального усилителя, в его входном
каскаде можно использовать полевые
транзисторы. Примером такого усилителя
является ИМС типа К284УЕ1 (рис. 5.36, б).
Типовая схема включения этой ИМС на
рисунке 6.37, а.
В
соответствии с типовой схемой включения
принципиальная схема усилителя
выглядит так, как показано на рисунке
5.37, б.
Резистор R5
является
нагрузкой в цепи истока БТ VT1
и
частью коллекторной нагрузки БТ VT2.
Одновременно
резистор R5
является
элементом последовательной ООС по
напряжению. Резистор R6
служит
для защиты выходного транзистора от
перегрузок при коротком замыкании
на выходе. Навесной резистор R
исключает
шунтирование ВХОД8 усилителя
делителем R1R2.
Рассмотренный усилитель может применяться в качестве входного каскада чувствительных усилителей, выходного каскада при передаче сигналов но кабелю (благодаря малому выходному сопротивлению) и других устройств, требующих большого входного и малого выходного сопротивлений. Его можно применять также в устройствах, требующих стабильного коэффициента передачи.
Рисунок 5.36 – Схема ИМС 122УН1 (а) и К284УЕ1 (б)
На рисунке 5.38, а показана принципиальная схема ИМС типа КП9УН2. Усилитель, выполненный на этой микросхеме, может работать в диапазоне частот от 5 Гц до 200 кГц. В соответствии с типовой схемой включения (рисунок
Рисунок 5.37 – Усилитель на ИМС К284УЕ1:
а – типовая схема включения ИМС;
б – принципиальная схема усилителя
Первый каскад выполнен на транзисторе VT1 по схеме с ОЭ. Резисторы R3 и R4 обеспечивают необходимую термостабилизацию каскада. Для уменьшения ООС по переменному току резистор R4 шунтируется конденсатором С большой емкости. Транзистор второго каскада включен по схеме с ОК (т. е. представляет собой эмиттерный повторитель). С выхода второго каскада на вход первого через резистор R1 осуществляется последовательная ООС по напряжению.
Рисунок 5.38 – Усилитель на ИМС К119УН2:
а – принципиальная схема ИМС;
б – типовая схема включения ИМС;
в – принципиальная схема усилителя
Широкополосные усилители. В настоящее время разработано большое количество широкополосных интегральных усилителей (ШИУ). Полоса пропускания некоторых ИЗ них составляет сотни мегагерц, АЧХ имеет особую форму. Многие из этих усилителей обладают повышенной чувствительностью
. Такие ШИУ образуют специальную группу. Большинство же современных ШИУ обладают универсальными свойствами, т. е. могут применяться для усиления импульсных или других широкополосных сигналов в различных узлах современной РЭА.
На
рисунке 5.39 показана принципиальная
схема интегрального ВУС типа 218УИ1
для видеоимпульса положительной
полярности. Усилитель имеет два входа:
потенциальный 12
и
импульсный 11.
В
нем применена комбинированная
стабилизация режима: эмиттерная –
через резистор R4
и
коллекторная – через резистор R2.
Нагрузкой
транзистора по постоянному току
является резистор R3.
Усилитель
имеет следующие параметры:
мкс;
кОм.
В качестве импульсных усилителей и видеоусилителей широко применяются двухкаскадные ШИУ, или так называемые токовые двойки. Примерами таких интегральных усилителей являются ИМС типа КП8УП1, КП9УП1, КП9УН1, К218УП2, К218УНЗ и др. Они представляют собой двухкаскадные усилители с параллельной ООС по току. Коэффициент усиления таких усилители можно изменять в широких пределах путем подбора параметров цепей ОС.
Двухкаскадный усилитель ним K118УП1 (рисунок 5.40, а) предназначен для усиления импульсных сигналов. Напряжение смещения подается на базу транзистора VT1 первого каскада через резистор R2 с нелинейного делителя, состоящего из резисторов R4 и R5 и транзистора VT3. Эти же элементы образуют цепь ООС. Глубину ООС можно изменять в широких пределах путем изменения напряжения, подаваемого на базу транзистора VT3 (через вывод 5).
Рисунок 5.39 – Схема интегрального ВУС 218УИ1
Транзистор VT4 является элементом высокочастотной коррекции: используются зарядные емкости его обратно смещенных эмиттерного и коллекторного p-n-переходов. При необходимости между выводами 12 и 14 может подключаться дополнительный конденсатор.
Кроме такого способа коррекции, применяется коррекция двухполюсником. Последний представляет собой генератор тока, включаемый в цепь эмиттера. Этот генератор тока (рисунок 6.40, б) также имеет корректирующую цепь RкорСкор, однако емкость конденсатора Скор обычно не превышает 15 пФ. Интегральный конденсатор такой емкости легко реализуем.
Достоинствами эмиттерной коррекции являются высокая устойчивость усиления, повышенная стабильность параметров, возможность изменения полосы пропускания и коэффициента усиления в широких пределах и др.
В ШИУ применяется и индуктивная высокочастотная коррекция. Однако ввиду СЛОЖНОСТИ изготовления интегральных катушек индукти
Рисунок 5.40 – Схемы импульсного усилителя К118УП1 (а) и генератора
тока (б)
вности с высокой добротностью вместо них используются эквиваленты индуктивности. В качестве аналогов индуктивности перспективными следует считать эквивалентные индуктивности на основе операционных усилителей и гираторов.