Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Конспект для итиутс.pdf
Скачиваний:
113
Добавлен:
11.05.2015
Размер:
766 Кб
Скачать

Отметим, что проводимость yL в данном случае определяется с «запаз- дыванием» через значение iLpn+11 .

3.3. Модели биполярных транзисторов

3.3.1.Обобщенная электрическая модель

Вотечественных и зарубежных программах АЦЭП наибольшее распространение получили модели биполярных транзисторов, относящиеся по классификации к электрическим моделям. Эти модели сочетают приемлемую для решения практичес- ких задач точность со сравнительной простотой моделирующих зависимостей.

Рассмотрим три типа электрических моделей биполярного транзистора, наиболее широко используемых в программах анализа нелинейных схем: инжекционную и передаточную модели Эберса-Молла и модель программы ПАЭС. Эквивалентные схемы этих моделей можно представить в виде обобщенной эквивалентной схемы, показанной на рис. 3.3. Этой схеме соответствуют обобщенные уравнения, опи-

сывающие источники токов JЭ , JК и дифференциальные емкости р – n пере-

ходов CЭ , CК :

JЭ = IЭЭ (euЭθЭ −1) − IКЭ (euКθК −1); JК = IКК (euКθК −1) − IЭК (euЭθЭ −1); CЭ = СЭ.бар (uЭ )+θЭ DЭeuЭθЭ ; CК = СЭ.бар (uК )+θК DК euКθК ,

где θЭ ,θК показатели экспонент, имеющие один и тот же смысл для всех моде- лей; IЭЭ , IКЭ , IКК , IЭК коэффициенты, различающиеся для моделей разных ти- пов; СЭ.бар (uЭ ),CК.бар (uК ) барьерные емкости переходов, одинаковые для всех моделей; DЭ , DК коэффициенты выражений, определяющих диффузионные ем-

кости переходов, различающиеся для моделей разных типов.

Rуэ Rук

i

СЭ

i

СК

 

 

i

i

 

 

Э

rэ

JЭ

JК

rк

К

Э´

К´

Iэ

i

uэ

Б´

i

Iк

 

uк

 

i rб

Б

Iб

Рис. 3.3. Обобщённая эквивалентная схема электрической модели

биполярного транзистора

45

Для инжекционной модели Эберса-Молла (ИЭМ)

IЭЭ = IЭ0 , IЭК = 1+ββN N IЭ0 N IЭ0, DЭ N(ИЭМ ) IЭ0,

IКК = IК 0 , IКЭ = 1+ββI I IК 0 I IК 0, DК I(ИЭМ ) IК 0.

Для передаточной модели Эберса-Молла (ПЭМ)

IЭЭ = (1+1/ βN )ISN , IКЭ = ISN , DЭ N(ПЭМ ) ISN ,

IКК = (1+1/ βN )ISN , IКЭ = ISN , DЭ N(ПЭМ ) ISN .

Для модели программы ПАЭС

IЭЭ = (βN +1)IТЭ , IЭК = βN IТЭ ,DЭ N(ПАЭС) IТЭ ,

IКК = (βI +1)IТК , IКЭ = βN IТК ,DК I(ПАЭС )IТК .

Здесь IЭО , IКО , ISN ,ISI , IТЭ ,IТК - измеряемые параметры эмиттерного и кол-

лекторного переходов для каждого типа моделей, имеющие смысл обратных токов насыщения. Параметры τN и τI определяют диффузионные постоянные времени

в нормальном и инверсном включении. Коэффициенты передачи тока в схеме с общим эмиттером в прямом βN и инверсном βI включении могут приниматься как постоянными, так и зависимыми от режима, причем характер зависимости может быть различным.

Из приведенных соотношений непосредственно вытекает связь между параметрами моделей:

IЭО = (1+1/ βN )ISN , IКО = (1+1/ βI )ISN ;

τN(ПЭМ ) = (1+1/ βN )τN(ИЭМ ),τI(ПЭМ ) = (1+1/ βI )τI(ИЭМ );

IЭО = (1+1/ βN )IТЭ , IКО = (1+1/ βI )IТК ;

τN(ПАЭС) = (1+ βN )τN(ИЭМ ) ,τI(ПАЭС ) = (1+ βI )τI(ИЭМ );

ISN = βN IТЭ , ISI = βI IТК ,

τN(ПАЭС) = βNτN(ПЭМ ),τI(ПАЭС) = βIτI(ПЭМ ).

Проведенный анализ показывает идентичность математических описаний данной группы моделей биполярного транзистора. Отличие моделей заключается в используемом наборе параметров, пересчет которых при постоянных значениях βN и βI не представляет труда.

В ряде случаев требования к точностным характеристикам при расчете схем вынуждают использовать уточненные, но в то же время более сложные модели.

Компромиссным с точки зрения вычислительных затрат вариантом такой модели служит описанная ниже модификация передаточной модели биполярного транзистора.

46

3.3.2.Полная передаточная модель

Всоответствии с обобщенной формой представления зависимые источники

JЭ и JК эквивалентной схемы (рис. 3.3) полной передаточной модели описывают- ся следующими выражениями:

J

 

= (1+1/ B

T

)I

T

 

U θТ

−1)− I

T

U θT

 

−1);

 

 

 

 

 

Э

 

 

SN

(e

Э Э

SI

(e

К К

 

 

 

 

 

 

 

N

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

J

 

 

T

)I

T

 

U θT

−1) − I

T

U θT

 

−1).

 

 

 

 

 

К

= (1+1/ B

SI

(e

К К

SN

(e

Э Э

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В этой записи индекс «Т» характеризует зависимость параметров от темпе-

ратуры, а коэффициенты передачи тока BNT и BIT

учитывают дополнительно зави-

симость от режима.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для описания температурных зависимостей параметров ISNT и

ISIT можно

использовать выражения:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T

 

 

 

3

K

Э

çæ

 

1

1 ÷ö

 

 

 

 

T

 

3

K

çæ

1

1

÷ö

 

 

 

 

 

 

 

 

ç

 

÷

 

 

 

 

 

ç

 

 

÷

 

 

ISNT = ISN êé

 

 

 

úù

e

 

èç 293T ø÷ , ISIT

= ISI êé

 

úù

 

e

К èç

293T

ø÷ ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ë 293

û

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ë293

û

 

 

 

 

 

 

где T - абсолютная температура;

ISN , ISI -

обратные

токи насыщения при

Т=2930К; KЭ, KК коэффициенты, определяемые из измерений.

 

Температурная зависимость параметров θT

и θT

 

описывается формулами

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Э

 

K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

θЭT Э(293/T );θКT К (293/T).

 

 

 

 

 

 

Здесь θЭ = (mЭq)/(K ×293)

и

 

θК = (mК q)/(K ×293) - коэффициенты, выраже-

нные через заряд электрона q, постоянную Больцмана К и эмпирические параме- тры mЭ и mК . На практике коэффициенты θЭ и θК определяются эксперимента-

льно.

В полной передаточной модели при учёте зависимости коэффициентов усиления от режима аргументами служат ток, передаваемый из эмиттера в кол- лектор транзистора при нормальном активном режиме работы,

IN = ISNT ( eUЭθЭT −1) и ток , передаваемый из коллекторов эмиттер при инверсном

активном режиме работы, II = ISNT (eUКθКT −1) . Полные уравнения коэффициентов

усиления, описывающие влияния эффекта Эрли, выражаются следующим обра- зом:

BT

= β

N

(I

N

)é1+ k

N

(T − 293)ù u

К

/V ,

 

N

 

 

 

ë

 

 

û

 

 

N

 

BT

= β

I

(I

I

)é1+ k

I

(T − 293)ù u

Э

/V ,

 

I

 

 

 

 

ë

 

 

û

 

 

I

 

где kN , kI - коэффициенты, получаемые по результатам измерений; VN ,VI -

коэф-

фициенты усиления по напряжениям uK

 

и

uЭ соответственно при нормальном и

инверсном режимах и постоянной температуре. Выражения βТ (IN ) и βI (II )

удоб-

47

нее всего задавать кусочно-линейными аппроксимирующими зависимостями, определяемыми по результатам измерений:

ì

 

 

 

β0

 

 

при

 

 

 

I £ I0;

ï

 

 

βi+1

- βi )(I - I

 

 

 

 

 

 

 

β = íïβ

 

+ (

)

при

I

 

< I < I

i+1

,i = 0,1,2,...,m;

ï

i

 

Ii+1

- Ii

i

 

 

 

i

 

 

ï

 

 

 

βm

 

 

при

 

 

 

I ³ Im.

î

 

 

 

 

 

 

 

 

Здесь символами I и β обозначены текущие значения токов IN и II и коэффи- циентов передачи тока βN или βI, а символами Ii и βi значения указанных токов и коэффициентов передачи в точках излома аппроксимирующих зависимостей.

Емкости p–n переходов СЭ и СК в полной передаточной модели представля- ются двумя нелинейными дифференциальными составляющими - барьерной и диффузионной:

C

 

=

Сбар.эо

 

+θTτ

 

 

(I

 

+ IT

 

);

 

(1-u /ϕ

 

)nЭ

 

 

 

 

Э

 

Э

 

N

N

 

N

SN

 

 

 

 

Э

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

=

Сбар.ко

 

 

+θITτ

 

(I

 

+ IT

),

K

(1-uK /ϕЭ )nK

 

I

I

 

 

 

 

 

 

SI

 

 

где Сбар.эо,Сбар.ко - барьерные емкости эмиттерного и коллекторного перехо-дов при нулевых напряжениях; ϕЭ,ϕК - контактные разности потенциалов для эмиттерного и коллекторного переходов; τN ,τI - постоянные времени переноса носителей через базу при прямом и инверсном режимах.

3.3.3. Модель в матричной форме

Для построения РИ-модели биполярного транзистора, эквивалентная схема которого изображена на рис. 3.3, запишем токи внутренних узлов и внешних по- люсов :

IЭ'

= −ir J

Э iЭ

iR

= 0;

 

 

 

 

 

Э

 

 

Э

 

 

 

 

 

 

IК '

= -ir - J

К -iС

-iR

= 0;

 

 

 

 

 

К

 

 

К

К

 

 

 

 

(3.11)

Iб'

= -ir + J

Э + JК

+iС

 

+iС

 

+iR

+iR

= 0;

Э

К

 

 

б

 

 

 

 

Э

 

К

 

IЭ = irЭ ;IK = irK ;Iб = irб .

Из (3.11) нетрудно получить неопределенную матрицу дифференциальных проводимостей.

Обозначим элементы матрицы Υ через yy = ¶Ii / φij и выразим эти элементы

через проводимости, условно обозначенные у1, у2,...,у9, смысл которых раскрыва- ется ниже:

48

yЭ'Э' yК'Э' yб'Э' yб'Э yЭЭ' yКЭ' yбЭ'

= y1 + y2 + y3; yЭ'К' = −y4; yЭ'б' = − y2 y3 + y4; yЭ'Э = − y1; yЭ'К = 0; yЭ'б = 0;

= − y8; yК'К' = y5 + y6 + y7; yК'б' = −y6 y7 + y8;yК'Э = 0; yК'К = −y5; yК'б = 0;

= y2 + y3 y4; yб'К' = y6 + y7 y8;yб'б' = − y2 y3 + y4 y6 y7 + y8 + y9;

=0; yб'К = 0; yб'б = − y9;

=y1;yЭК' = 0; yЭб' = 0; yЭЭ = y1; yЭК = 0; yЭБ = 0;

=0; yКК' = −y5; yКб' = 0; yКЭ = 0; yКК = y5; yКб = 0;

=0; yбК' = 0; yбб' = − y9; yбЭ = 0;yбК = 0; yбб = y9.

Для простейшего случая передаточной модели с постоянными коэффици- ентами βN и βI, постоянными барьерными ёмкостями Cэ.бар и Ск.бар без учёта вли- яния температуры и при использовании неявного метода интегрирования перво- го порядка проводимости y1, y2,...,y9 соответственно равны:

y1 =1/ rэ;

 

 

 

 

 

 

 

euЭθЭ

ì

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

τ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ü

 

C

э.бар

 

 

 

y = I

 

 

θ

 

 

íï1+

 

 

 

+

 

 

N

éθ

 

(u

 

 

u

 

 

)+1ùýï +

 

 

;

 

 

 

 

β

 

 

 

 

 

 

 

 

ЭN

 

 

t

2

SN

 

Э

 

ï

 

 

 

 

N

 

 

 

 

 

t

ë

Э

 

ЭN

+1

 

ûï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

î

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

þ

 

 

 

 

 

 

 

y =1/ R ; y = I

SI

θ

K

euKθK

; y =1/ r ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

Э

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

K

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

uKθK

ì

 

 

 

 

 

1

 

 

 

τ

I é

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ù

ü

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

 

к.бар

 

 

y = I

SI

θ

K

e

í1+

 

 

 

 

+

 

 

 

 

θ

(u

K

 

 

u

K

 

) +1

ý

+

 

 

 

 

 

;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

 

 

 

ï

 

 

 

 

β

 

 

 

 

 

 

 

ê

K

 

 

N+1

 

N

ú

 

 

 

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

t ë

 

 

 

 

 

 

ûï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

î

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

þ

 

 

 

 

 

 

 

y =1/ R ; y = I

SN

θ

Э

euЭθЭ

; y =1/ r .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7

 

 

K

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9

 

 

 

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Используя принятые обозначения, можно записать РИ - модель биполяр- ного транзистора в форме уравнения (3.2):

é

ê

ê

ê

ê

êêI êêI

ê

êI

ë

0

ù

é y

 

 

 

ê

 

Э'Э'

0

úú

ê y

 

'

 

'

 

úú

ê

 

К Э

 

0

êê y

'

'

p+1

ú

= ê

 

б Э

 

 

Э

ú

ê

y

ЭЭ

'

p+1

ú

ê

 

 

 

 

ú

ê

 

 

0

 

 

K

ú

ê

 

 

 

 

p+1

ú

ëê

 

 

0

 

 

б

û

 

 

 

 

yЭ'К' yК'К'

yб'К'

0

yКК'

0

y '

'

y

'

Э

 

0

 

 

Э б

 

 

Э

 

 

 

y

'

 

'

 

0

 

y

'

К

 

К б

 

 

 

 

 

К

y '

'

 

0

 

 

0

 

 

б б

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

yЭЭ

 

0

 

 

0

 

 

 

0

 

yКК

yбб'

 

 

0

 

 

0

 

0

ù

é

ϕ p+1

ù

 

 

 

 

ê

ú

 

éI P ù

 

0

ú

ê

Э

ú

 

 

ú

ê

ϕ p+1

ú

 

ê Э

ú

 

 

ú

ê

ú

 

êIКP

ú

 

yб'б úú

ê

Кp+1

ú

+

êêI P úú (3.12)

0

ú

× ê

ϕб

ú

б

.

ú

ê

ϕ p+1

ú

 

êI P ú

 

 

ú

ê

ú

 

ê б

ú

 

 

ê

Э

ú

 

êêIКP úú

 

0 ú

 

 

 

ú

ê

ϕ p+1

ú

 

êI P ú

 

 

ê

К

ú

 

 

yбб ûú

ê

ϕ p+1 ú

 

ë б

û

 

 

 

ë

б

û

 

 

 

 

Если полученную РИ - модель непосредственно включить в общую систему уравнений ММС, то последняя расшириться за счёт внутренних базисных пере- менных РИ модели ϕЭК б .

Чтобы избежать этого, переменные ϕЭ'К 'б' исключаются в программе расчета модели с помощью процедуры LU–разложения. В результате получим:

49