- •1. Процесс проектирования электрических цепей
- •1.1. Уровни абстрагирования и аспекты описаний проектируемых объектов
- •1.2. Операции, процедуры и этапы проектирования
- •1.3. Классификация параметров проектируемых объектов
- •1.4. Классификация проектных процедур
- •1.5. Виды обеспечения в системах автоматизированного проектирования
- •2. Основы автоматизированного проектирования электрических цепей
- •2.1. Основные характеристики программ
- •2.2. Возможности автоматизации схемотехнического проектирования электронных схем
- •2.3. Параметры и переменные электрических схем
- •2.4. Выбор базисных переменных
- •2.5. Методы расчета электрических цепей на ЭВМ
- •2.5.1. Матрица сопротивлений
- •2.5.2. Матрица проводимостей
- •2.5.3. Матрица ЭДС источников
- •2.6. Матричные уравнения линейных электрических цепей
- •2.6.1. Матричные уравнения контурных токов
- •2.6.2. Матричные уравнения узловых потенциалов
- •2.6.3. Уравнения переменных состояния
- •3. Математические модели элементов схем
- •3.2. Модели двухполюсных элементов
- •3.3. Модели биполярных транзисторов
- •3.3.1. Обобщенная электрическая модель
- •3.3.2. Полная передаточная модель
- •3.3.3. Модель в матричной форме
- •3.4. Модель МДП - транзистора
- •3.5. Модели распределенных RC- и RLC-структур
- •3.5.1. Исходные уравнения элементов с распределенными параметрами
- •3.5.2. Разностная модель двухпроводной линии
- •3.5.3. Определение коэффициентов моделей
- •3.6. Модели элементов и функциональных узлов в виде эквивалентных схем
- •3.6.1. Модели зависимых источников
Отметим, что проводимость yL в данном случае определяется с «запаз- дыванием» через значение iLpn−+11 .
3.3. Модели биполярных транзисторов
3.3.1.Обобщенная электрическая модель
Вотечественных и зарубежных программах АЦЭП наибольшее распространение получили модели биполярных транзисторов, относящиеся по классификации к электрическим моделям. Эти модели сочетают приемлемую для решения практичес- ких задач точность со сравнительной простотой моделирующих зависимостей.
Рассмотрим три типа электрических моделей биполярного транзистора, наиболее широко используемых в программах анализа нелинейных схем: инжекционную и передаточную модели Эберса-Молла и модель программы ПАЭС. Эквивалентные схемы этих моделей можно представить в виде обобщенной эквивалентной схемы, показанной на рис. 3.3. Этой схеме соответствуют обобщенные уравнения, опи-
сывающие источники токов JЭ , JК и дифференциальные емкости р – n пере-
ходов CЭ , CК :
JЭ = IЭЭ (euЭθЭ −1) − IКЭ (euКθК −1); JК = IКК (euКθК −1) − IЭК (euЭθЭ −1); CЭ = СЭ.бар (uЭ )+θЭ DЭeuЭθЭ ; CК = СЭ.бар (uК )+θК DК euКθК ,
где θЭ ,θК – показатели экспонент, имеющие один и тот же смысл для всех моде- лей; IЭЭ , IКЭ , IКК , IЭК – коэффициенты, различающиеся для моделей разных ти- пов; СЭ.бар (uЭ ),CК.бар (uК ) – барьерные емкости переходов, одинаковые для всех моделей; DЭ , DК – коэффициенты выражений, определяющих диффузионные ем-
кости переходов, различающиеся для моделей разных типов.
Rуэ Rук
iRэ
СЭ
iRк
СК
|
|
iCэ |
iCк |
|
|
Э |
rэ |
JЭ |
JК |
rк |
К |
Э´ |
К´ |
||||
Iэ |
irэ |
uэ |
Б´ |
irк |
Iк |
|
uк |
|
irб 
rб
Б
Iб
Рис. 3.3. Обобщённая эквивалентная схема электрической модели
биполярного транзистора
45
Для инжекционной модели Эберса-Молла (ИЭМ)
IЭЭ = IЭ0 , IЭК = 1+ββN N IЭ0 =αN IЭ0, DЭ =τN(ИЭМ ) IЭ0,
IКК = IК 0 , IКЭ = 1+ββI I IК 0 =αI IК 0, DК =τI(ИЭМ ) IК 0.
Для передаточной модели Эберса-Молла (ПЭМ)
IЭЭ = (1+1/ βN )ISN , IКЭ = ISN , DЭ =τN(ПЭМ ) ISN ,
IКК = (1+1/ βN )ISN , IКЭ = ISN , DЭ =τN(ПЭМ ) ISN .
Для модели программы ПАЭС
IЭЭ = (βN +1)IТЭ , IЭК = βN IТЭ ,DЭ +τN(ПАЭС) IТЭ ,
IКК = (βI +1)IТК , IКЭ = βN IТК ,DК +τI(ПАЭС )IТК .
Здесь IЭО , IКО , ISN ,ISI , IТЭ ,IТК - измеряемые параметры эмиттерного и кол-
лекторного переходов для каждого типа моделей, имеющие смысл обратных токов насыщения. Параметры τN и τI определяют диффузионные постоянные времени
в нормальном и инверсном включении. Коэффициенты передачи тока в схеме с общим эмиттером в прямом βN и инверсном βI включении могут приниматься как постоянными, так и зависимыми от режима, причем характер зависимости может быть различным.
Из приведенных соотношений непосредственно вытекает связь между параметрами моделей:
IЭО = (1+1/ βN )ISN , IКО = (1+1/ βI )ISN ;
τN(ПЭМ ) = (1+1/ βN )τN(ИЭМ ),τI(ПЭМ ) = (1+1/ βI )τI(ИЭМ );
IЭО = (1+1/ βN )IТЭ , IКО = (1+1/ βI )IТК ;
τN(ПАЭС) = (1+ βN )τN(ИЭМ ) ,τI(ПАЭС ) = (1+ βI )τI(ИЭМ );
ISN = βN IТЭ , ISI = βI IТК ,
τN(ПАЭС) = βNτN(ПЭМ ),τI(ПАЭС) = βIτI(ПЭМ ).
Проведенный анализ показывает идентичность математических описаний данной группы моделей биполярного транзистора. Отличие моделей заключается в используемом наборе параметров, пересчет которых при постоянных значениях βN и βI не представляет труда.
В ряде случаев требования к точностным характеристикам при расчете схем вынуждают использовать уточненные, но в то же время более сложные модели.
Компромиссным с точки зрения вычислительных затрат вариантом такой модели служит описанная ниже модификация передаточной модели биполярного транзистора.
46
3.3.2.Полная передаточная модель
Всоответствии с обобщенной формой представления зависимые источники
JЭ и JК эквивалентной схемы (рис. 3.3) полной передаточной модели описывают- ся следующими выражениями:
J |
|
= (1+1/ B |
T |
)I |
T |
|
U θТ |
−1)− I |
T |
U θT |
|
−1); |
|
|
|
|
|
|||||||||||
Э |
|
|
SN |
(e |
Э Э |
SI |
(e |
К К |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
N |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
J |
|
|
T |
)I |
T |
|
U θT |
−1) − I |
T |
U θT |
|
−1). |
|
|
|
|
|
|||||||||||
К |
= (1+1/ B |
SI |
(e |
К К |
SN |
(e |
Э Э |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
В этой записи индекс «Т» характеризует зависимость параметров от темпе- |
||||||||||||||||||||||||||||
ратуры, а коэффициенты передачи тока BNT и BIT |
учитывают дополнительно зави- |
|||||||||||||||||||||||||||
симость от режима. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Для описания температурных зависимостей параметров ISNT и |
ISIT можно |
|||||||||||||||||||||||||||
использовать выражения: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
T |
|
|
|
3 |
K |
Э |
çæ |
|
1 |
1 ÷ö |
|
|
|
|
T |
|
3 |
K |
çæ |
1 |
1 |
÷ö |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ç |
|
÷ |
|
|
|
|
|
ç |
|
|
÷ |
|||||||||
|
|
ISNT = ISN êé |
|
|
|
úù |
e |
|
èç 293T ø÷ , ISIT |
= ISI êé |
|
úù |
|
e |
К èç |
293T |
ø÷ , |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
ë 293 |
û |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ë293 |
û |
|
|
|
|
|
|
||||||||
где T - абсолютная температура; |
ISN , ISI - |
обратные |
токи насыщения при |
|||||||||||||||||||||||||
Т=2930К; KЭ, KК – коэффициенты, определяемые из измерений. |
|
|||||||||||||||||||||||||||
Температурная зависимость параметров θT |
и θT |
|
описывается формулами |
|||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Э |
|
K |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
θЭT =θЭ(293/T );θКT =θК (293/T). |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
Здесь θЭ = (mЭq)/(K ×293) |
и |
|
θК = (mК q)/(K ×293) - коэффициенты, выраже- |
|||||||||||||||||||||||||
нные через заряд электрона q, постоянную Больцмана К и эмпирические параме- тры mЭ и mК . На практике коэффициенты θЭ и θК определяются эксперимента-
льно.
В полной передаточной модели при учёте зависимости коэффициентов усиления от режима аргументами служат ток, передаваемый из эмиттера в кол- лектор транзистора при нормальном активном режиме работы,
IN = ISNT ( eUЭθЭT −1) и ток , передаваемый из коллекторов эмиттер при инверсном
активном режиме работы, II = ISNT (eUКθКT −1) . Полные уравнения коэффициентов
усиления, описывающие влияния эффекта Эрли, выражаются следующим обра- зом:
BT |
= β |
N |
(I |
N |
)é1+ k |
N |
(T − 293)ù −u |
К |
/V , |
|
||||||
N |
|
|
|
ë |
|
|
û |
|
|
N |
|
|||||
BT |
= β |
I |
(I |
I |
)é1+ k |
I |
(T − 293)ù −u |
Э |
/V , |
|
||||||
I |
|
|
|
|
ë |
|
|
û |
|
|
I |
|
||||
где kN , kI - коэффициенты, получаемые по результатам измерений; VN ,VI - |
коэф- |
|||||||||||||||
фициенты усиления по напряжениям uK |
|
и |
uЭ соответственно при нормальном и |
|||||||||||||
инверсном режимах и постоянной температуре. Выражения βТ (IN ) и βI (II ) |
удоб- |
|||||||||||||||
47
нее всего задавать кусочно-линейными аппроксимирующими зависимостями, определяемыми по результатам измерений:
ì |
|
|
|
β0 |
|
|
при |
|
|
|
I £ I0; |
|
ï |
|
|
βi+1 |
- βi )(I - I |
|
|
|
|
|
|
|
|
β = íïβ |
|
+ ( |
) |
при |
I |
|
< I < I |
i+1 |
,i = 0,1,2,...,m; |
|||
ï |
i |
|
Ii+1 |
- Ii |
i |
|
|
|
i |
|
|
|
ï |
|
|
|
βm |
|
|
при |
|
|
|
I ³ Im. |
|
î |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Здесь символами I и β обозначены текущие значения токов IN и II и коэффи- циентов передачи тока βN или βI, а символами Ii и βi значения указанных токов и коэффициентов передачи в точках излома аппроксимирующих зависимостей.
Емкости p–n переходов СЭ и СК в полной передаточной модели представля- ются двумя нелинейными дифференциальными составляющими - барьерной и диффузионной:
C |
|
= |
Сбар.эо |
|
+θTτ |
|
|
(I |
|
+ IT |
|
); |
||
|
(1-u /ϕ |
|
)nЭ |
|
|
|
|
|||||||
Э |
|
Э |
|
N |
N |
|
N |
SN |
|
|||||
|
|
|
Э |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
C |
|
= |
Сбар.ко |
|
|
+θITτ |
|
(I |
|
+ IT |
), |
|||
K |
(1-uK /ϕЭ )nK |
|
I |
I |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
SI |
|
|
||||||
где Сбар.эо,Сбар.ко - барьерные емкости эмиттерного и коллекторного перехо-дов при нулевых напряжениях; ϕЭ,ϕК - контактные разности потенциалов для эмиттерного и коллекторного переходов; τN ,τI - постоянные времени переноса носителей через базу при прямом и инверсном режимах.
3.3.3. Модель в матричной форме
Для построения РИ-модели биполярного транзистора, эквивалентная схема которого изображена на рис. 3.3, запишем токи внутренних узлов и внешних по- люсов :
IЭ' |
= −ir − J |
Э −iЭ |
−iR |
= 0; |
|
|
|
|
|||
|
Э |
|
|
Э |
|
|
|
|
|
|
|
IК ' |
= -ir - J |
К -iС |
-iR |
= 0; |
|
|
|
|
|||
|
К |
|
|
К |
К |
|
|
|
|
(3.11) |
|
Iб' |
= -ir + J |
Э + JК |
+iС |
|
+iС |
|
+iR |
+iR |
= 0; |
||
Э |
К |
|
|||||||||
|
б |
|
|
|
|
Э |
|
К |
|
||
IЭ = irЭ ;IK = irK ;Iб = irб .
Из (3.11) нетрудно получить неопределенную матрицу дифференциальных проводимостей.
Обозначим элементы матрицы Υ через yy = ¶Ii / ¶φij и выразим эти элементы
через проводимости, условно обозначенные у1, у2,...,у9, смысл которых раскрыва- ется ниже:
48
yЭ'Э' yК'Э' yб'Э' yб'Э yЭЭ' yКЭ' yбЭ'
= y1 + y2 + y3; yЭ'К' = −y4; yЭ'б' = − y2 − y3 + y4; yЭ'Э = − y1; yЭ'К = 0; yЭ'б = 0;
= − y8; yК'К' = y5 + y6 + y7; yК'б' = −y6 − y7 + y8;yК'Э = 0; yК'К = −y5; yК'б = 0;
= y2 + y3 − y4; yб'К' = y6 + y7 − y8;yб'б' = − y2 − y3 + y4 − y6 − y7 + y8 + y9;
=0; yб'К = 0; yб'б = − y9;
=− y1;yЭК' = 0; yЭб' = 0; yЭЭ = y1; yЭК = 0; yЭБ = 0;
=0; yКК' = −y5; yКб' = 0; yКЭ = 0; yКК = y5; yКб = 0;
=0; yбК' = 0; yбб' = − y9; yбЭ = 0;yбК = 0; yбб = y9.
Для простейшего случая передаточной модели с постоянными коэффици- ентами βN и βI, постоянными барьерными ёмкостями Cэ.бар и Ск.бар без учёта вли- яния температуры и при использовании неявного метода интегрирования перво- го порядка проводимости y1, y2,...,y9 соответственно равны:
y1 =1/ rэ;
|
|
|
|
|
|
|
euЭθЭ |
ì |
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
τ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ü |
|
C |
э.бар |
|
|
|
||||
y = I |
|
|
θ |
|
|
íï1+ |
|
|
|
+ |
|
|
N |
éθ |
|
(u |
|
|
−u |
|
|
)+1ùýï + |
|
|
; |
||||||||||||||||
|
|
|
|
β |
|
|
|
|
|
|
|
|
ЭN |
|
|
t |
|||||||||||||||||||||||||
2 |
SN |
|
Э |
|
ï |
|
|
|
|
N |
|
|
|
|
|
t |
ë |
Э |
|
ЭN |
+1 |
|
ûï |
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
î |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
þ |
|
|
|
|
|
|
|
|||
y =1/ R ; y = I |
SI |
θ |
K |
euKθK |
; y =1/ r ; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||
3 |
|
|
Э |
|
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5 |
|
|
|
K |
|
|
|
|
|
|
|
|
C |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
uKθK |
ì |
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
τ |
I é |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ù |
ü |
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
ï |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ï |
|
|
|
к.бар |
|
|
||||||||
y = I |
SI |
θ |
K |
e |
í1+ |
|
|
|
|
+ |
|
|
|
|
θ |
(u |
K |
|
|
−u |
K |
|
) +1 |
ý |
+ |
|
|
|
|
|
; |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||
6 |
|
|
|
|
ï |
|
|
|
|
β |
|
|
|
|
|
|
|
ê |
K |
|
|
N+1 |
|
N |
ú |
|
|
|
|
t |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
t ë |
|
|
|
|
|
|
ûï |
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
î |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
þ |
|
|
|
|
|
|
|
||
y =1/ R ; y = I |
SN |
θ |
Э |
euЭθЭ |
; y =1/ r . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||
7 |
|
|
K |
|
8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
9 |
|
|
|
6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
Используя принятые обозначения, можно записать РИ - модель биполяр- ного транзистора в форме уравнения (3.2):
é
ê
ê
ê
ê
êêI êêI
ê
êI
ë
0 |
ù |
é y |
|
|
|
||
ê |
|
Э'Э' |
|||||
0 |
úú |
ê y |
|
' |
|
' |
|
|
úú |
ê |
|
К Э |
|
||
0 |
êê y |
' |
' |
||||
p+1 |
ú |
= ê |
|
б Э |
|
|
|
Э |
ú |
ê |
y |
ЭЭ |
' |
||
p+1 |
ú |
ê |
|
|
|
|
|
ú |
ê |
|
|
0 |
|
|
|
K |
ú |
ê |
|
|
|
|
|
p+1 |
ú |
ëê |
|
|
0 |
|
|
б |
û |
|
|
|
|
||
yЭ'К' yК'К'
yб'К'
0
yКК'
0
y ' |
' |
y |
' |
Э |
|
0 |
|
||
|
Э б |
|
|
Э |
|
|
|
||
y |
' |
|
' |
|
0 |
|
y |
' |
К |
|
К б |
|
|
|
|
|
К |
||
y ' |
' |
|
0 |
|
|
0 |
|
||
|
б б |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
yЭЭ |
|
0 |
|
||
|
0 |
|
|
|
0 |
|
yКК |
||
yбб' |
|
|
0 |
|
|
0 |
|
||
0 |
ù |
é |
ϕ p+1 |
ù |
|
|
|
|
ê |
ú |
|
éI P ù |
|
||||
0 |
ú |
ê |
Э |
ú |
|
|
||
ú |
ê |
ϕ p+1 |
ú |
|
ê Э |
ú |
|
|
|
ú |
ê |
ú |
|
êIКP |
ú |
|
|
yб'б úú |
ê |
Кp+1 |
ú |
+ |
êêI P úú (3.12) |
|||
0 |
ú |
× ê |
ϕб |
ú |
б |
. |
||
ú |
ê |
ϕ p+1 |
ú |
|
êI P ú |
|
||
|
ú |
ê |
ú |
|
ê б |
ú |
|
|
|
ê |
Э |
ú |
|
êêIКP úú |
|
||
0 ú |
|
|
||||||
|
ú |
ê |
ϕ p+1 |
ú |
|
êI P ú |
|
|
|
ê |
К |
ú |
|
|
|||
yбб ûú |
ê |
ϕ p+1 ú |
|
ë б |
û |
|
||
|
|
ë |
б |
û |
|
|
|
|
Если полученную РИ - модель непосредственно включить в общую систему уравнений ММС, то последняя расшириться за счёт внутренних базисных пере- менных РИ – модели ϕЭ,ϕК ,ϕб .
Чтобы избежать этого, переменные ϕЭ',ϕК ',ϕб' исключаются в программе расчета модели с помощью процедуры LU–разложения. В результате получим:
49
