
- •1 КЛЮЧИ
- •1.1 Контактные ключи
- •1.2 Диодные ключи
- •1.3 Транзисторные ключи
- •1.3.1 Ключи на биполярных транзисторах
- •1.3.2 Характеристики биполярных транзисторов в ключевых режимах
- •1.3.3 Ключи на униполярных транзисторах
- •1.3.4 Транзисторы типа MOSFET
- •1.3.5 Транзисторы IGBT
- •1.4 Интеллектуальные ключи
- •1.5 Ключи на тиристорах
- •1.6 Переходные процессы в ключах на биполярных транзисторах
- •1.7 Переходные процессы в ключах на униполярных транзисторах
- •1.8 Потери в ключах в импульсном режиме
- •1.9 Способы повышения быстродействия ключей на биполярных транзисторах
- •1.10 Выходные ключевые каскады
- •1.11 Сквозные токи
- •1.14 Тиристорные схемы управления
- •1.15 Тиристорная схема управления двигателем постоянного тока от сети переменного тока
- •1.16 Тиристорная схема управления двигателем постоянного тока от сети постоянного тока
- •2 ЛОГИЧЕСКИЕ СХЕМЫ
- •2.1 Основные определения
- •2.2 Диодные логические схемы
- •2.3 ТТЛ логические схемы
- •2.4 Особенности 530, 531, 533, 555 серий
- •2.5 Станковая логика. 511 серия
- •2.6 Логика на униполярных транзисторах
- •2.7 Логика с оптическими связями
- •2.8 Эмиттерно–связная логика (ЭСЛ)
- •2.9 Интегральная инжекционная логика
- •2.10 Логика ПТШ (полевые транзисторы Шоттки)
- •2.11 Согласование логических схем
- •2.12 Программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС)
- •2.13 Обобщенная модель ПЛИС
- •2.14 Микросхема ПЛМ (К556 РТ 1)
- •3 ТРИГГЕРЫ
- •3.1 Триггеры на биполярных транзисторах
- •3.2 Счетный триггер
- •3.3 Триггеры на униполярных транзисторах
- •3.4 Триггеры на логических элементах
- •3.5 Синхронный RS-триггер
- •3.6 Счетный триггер на логических элементах
- •3.7 D-триггер на логических элементах
- •3.8 JK-триггер на логических элементах
- •3.9 Интегральный шестиэлементный D-триггер ТМ2
- •3.12 Гонки
- •3.13 Триггеры на приборах с отрицательным сопротивлением. Триггеры на туннельных диодах.
- •3.14 Триггеры на тиристорах
- •3.16 Триггеры на операционных усилителях
- •4 Генераторы импульсов
- •4.1 Мультивибраторы на биполярных транзисторах
- •4.1.1 Мультивибраторы в ждущем режиме
- •4.1.2 Мультивибраторы на биполярных транзисторах в автоколебательном режиме
- •4.2 Ждущий мультивибратор на униполярных транзисторах
- •4.3 Генератор импульсов на двух логических элементах с двумя конденсаторами в автоколебательном режиме
- •4.4 Генератор импульсов на четырех логических элементах с одним конденсатором
- •4.5 Генератор импульсов на двух логических элементах с одним конденсатором
- •4.6 Генераторы импульсов на логических элементах в ждущем режиме
- •4.7 Генератор импульсов на туннельном диоде в ждущем режиме
- •4.8 Генератор импульсов на туннельном диоде в автоколебательном режиме.
- •4.9 Генератор импульсов на тиристоре в ждущем режиме
- •4.12 Генератор импульсов в ждущем режиме на таймере
- •4.15 Блокинг-генератор в автоколебательном режиме
- •4.16 Магнитно-транзисторный преобразователь двухплечевой
- •4.17 Схема с дополнительным трансформатором
- •4.18 Мостовая и полумостовая схемы магнитно-транзисторных преобразователей
- •4.19 Генераторы импульсов на ОУ в автоколебательном режиме
- •4.20 Генератор импульсов на ОУ в ждущем режиме
- •4.21 Кварцевая стабилизация импульсных генераторов
- •4.22 Генератор импульсов, стабилизированный кварцем
- •5 Генераторы синусоидальных колебаний
- •5.1 Общие определения
- •5.2 Генератор синусоидальных колебаний с LC контуром и трансформаторной ОС
- •5.3 Схемы с индуктивной, емкостной трехточками
- •5.4 RC цепи для генераторов синусоидальных колебаний
- •5.6 Генераторы синусоидальных колебаний с кварцевой стабилизацией
- •5.7 Генераторы синусоидальных колебаний на ОУ
- •6 Цифроаналоговые и аналого-цифровые преобразователи
- •6.1 Цифроаналоговые преобразователи
- •6.1.1 ЦАП с весовыми резисторами
- •6.1.3 ЦАП с сигма–дельта модуляцией
- •6.1.4 ЦАП с прямым преобразованием
- •6.2.1 Следящие АЦП
- •6.2.2 Развертывающие АЦП
- •6.2.3 АЦП с регистром последовательного приближения
- •6.2.4 АЦП с двойным интегрированием
- •6.2.5 АЦП параллельного преобразования
- •6.2.7 Микросхема КР1108 ПП-1

Учреждение образования
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Кафедра систем управления
А.Р. Решетилов
ЭЛЕКТРОНИКА
И МИКРОСХЕМОТЕХНИКА
Конспект лекций по дисциплине «Основы систем автоматизированного управления»
для студентов специальности
I-53 01 07 «Информационные технологии и управление в технических системах»
МИНСК 2006
1
|
Оглавление |
|
1 КЛЮЧИ................................................................................................................. |
5 |
|
1.1 |
Контактные ключи........................................................................................ |
5 |
1.2 |
Диодные ключи............................................................................................. |
8 |
1.3 |
Транзисторные ключи................................................................................ |
15 |
1.3.1 Ключи на биполярных транзисторах................................................. |
16 |
1.3.2Характеристики биполярных транзисторов в ключевых режимах20
1.3.3 Ключи на униполярных транзисторах............................................... |
26 |
||
1.3.4 |
Транзисторы типа MOSFET................................................................ |
30 |
|
1.3.5 |
Транзисторы IGBT ............................................................................... |
32 |
|
1.4 |
Интеллектуальные ключи.......................................................................... |
33 |
|
1.5 |
Ключи на тиристорах.................................................................................. |
34 |
|
1.6 |
Переходные процессы в ключах на биполярных транзисторах............. |
36 |
|
1.7 |
Переходные процессы в ключах на униполярных транзисторах........... |
40 |
|
1.8 |
Потери в ключах в импульсном режиме.................................................. |
42 |
1.9Способы повышения быстродействия ключей на биполярных
|
транзисторах.......................................................................................................... |
44 |
|
|
1.10 |
Выходные ключевые каскады.................................................................... |
48 |
|
1.11 |
Сквозные токи............................................................................................. |
52 |
|
1.12 |
Рекуперация................................................................................................. |
54 |
|
1.13 |
Предмощные каскады................................................................................. |
54 |
|
1.14 |
Тиристорные схемы управления............................................................... |
57 |
|
1.15 |
Тиристорная схема управления двигателем постоянного тока от сети |
|
|
переменного тока................................................................................................... |
66 |
|
|
1.16 |
Тиристорная схема управления двигателем постоянного тока от сети |
|
|
постоянного тока................................................................................................... |
67 |
|
2 |
ЛОГИЧЕСКИЕ СХЕМЫ................................................................................... |
69 |
|
|
2.1 |
Основные определения............................................................................... |
69 |
|
2.2 |
Диодные логические схемы....................................................................... |
71 |
|
2.3 |
ТТЛ логические схемы............................................................................... |
73 |
|
2.4 |
Особенности 530, 531, 533, 555 серий...................................................... |
79 |
|
2.5 |
Станковая логика. 511 серия...................................................................... |
81 |
|
2.6 |
Логика на униполярных транзисторах...................................................... |
83 |
|
2.7 |
Логика с оптическими связями.................................................................. |
85 |
|
2.8 |
Эмиттерно–связная логика (ЭСЛ)............................................................. |
86 |
|
2.9 |
Интегральная инжекционная логика ........................................................ |
89 |
|
2.10 |
Логика ПТШ (полевые транзисторы Шоттки)......................................... |
92 |
|
2.11 |
Согласование логических схем ................................................................. |
93 |
|
2.12 |
Программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС)............... |
96 |
|
2.13 |
Обобщенная модель ПЛИС ..................................................................... |
101 |
|
2.14 |
Микросхема ПЛМ (К556 РТ 1)................................................................ |
103 |
3 |
ТРИГГЕРЫ....................................................................................................... |
108 |
|
|
3.1 |
Триггеры на биполярных транзисторах.................................................. |
108 |
|
3.2 |
Счетный триггер........................................................................................ |
119 |
|
|
|
2 |
3.3 |
Триггеры на униполярных транзисторах ............................................... |
120 |
3.4 |
Триггеры на логических элементах........................................................ |
121 |
3.5 |
Синхронный RS-триггер.......................................................................... |
124 |
3.6 |
Счетный триггер на логических элементах ........................................... |
124 |
3.7 |
D-триггер на логических элементах ....................................................... |
126 |
3.8 |
JK-триггер на логических элементах...................................................... |
127 |
3.9 |
Интегральный шестиэлементный D-триггер ТМ2 ................................ |
128 |
3.10 |
JK-триггер ТВ-1 ........................................................................................ |
131 |
3.11 |
Прозрачные триггеры-защелки ............................................................... |
133 |
3.12 |
Гонки.......................................................................................................... |
134 |
3.13 |
Триггеры на приборах с отрицательным сопротивлением. Триггеры на |
|
туннельных диодах.............................................................................................. |
135 |
|
3.14 |
Триггеры на тиристорах........................................................................... |
138 |
3.15 |
Триггеры на двухбазовых диодах ........................................................... |
140 |
3.16 |
Триггеры на операционных усилителях................................................. |
142 |
4 Генераторы импульсов.................................................................................... |
144 |
|
4.1 |
Мультивибраторы на биполярных транзисторах.................................. |
144 |
4.1.1 Мультивибраторы в ждущем режиме.............................................. |
144 |
|
4.1.2 Мультивибраторы на биполярных транзисторах в |
|
|
автоколебательном режиме ............................................................................ |
148 |
|
4.2 |
Ждущий мультивибратор на униполярных транзисторах.................... |
150 |
4.3Генератор импульсов на двух логических элементах с двумя
конденсаторами в автоколебательном режиме................................................ |
151 |
4.4Генератор импульсов на четырех логических элементах с одним
конденсатором..................................................................................................... |
153 |
4.5Генератор импульсов на двух логических элементах с одним
конденсатором..................................................................................................... |
156 |
4.6Генераторы импульсов на логических элементах в ждущем режиме. 157
4.7 Генератор импульсов на туннельном диоде в ждущем режиме.......... |
159 |
4.8Генератор импульсов на туннельном диоде в автоколебательном
режиме. ................................................................................................................. |
162 |
|
4.9 |
Генератор импульсов на тиристоре в ждущем режиме........................ |
163 |
4.10 |
Генератор импульсов на тиристоре в автоколебательном режиме..... |
165 |
4.11 |
Таймеры ..................................................................................................... |
166 |
4.12 |
Генератор импульсов в ждущем режиме на таймере............................ |
168 |
4.13 |
Генератор импульсов в автоколебательном режиме на таймере......... |
170 |
4.14 |
Блокинг–генераторы в ждущем режиме................................................. |
171 |
4.15 |
Блокинг-генератор в автоколебательном режиме................................. |
177 |
4.16 |
Магнитно-транзисторный преобразователь двухплечевой.................. |
178 |
4.17 |
Схема с дополнительным трансформатором......................................... |
181 |
4.18 |
Мостовая и полумостовая схемы магнитно-транзисторных |
|
преобразователей................................................................................................. |
181 |
|
4.19 |
Генераторы импульсов на ОУ в автоколебательном режиме.............. |
182 |
4.20 |
Генератор импульсов на ОУ в ждущем режиме.................................... |
184 |
4.21 |
Кварцевая стабилизация импульсных генераторов............................... |
187 |
3
4.22 |
Генератор импульсов, стабилизированный кварцем............................ |
192 |
5 Генераторы синусоидальных колебаний....................................................... |
194 |
|
5.1 |
Общие определения.................................................................................. |
194 |
5.2Генератор синусоидальных колебаний с LC контуром и
трансформаторной ОС........................................................................................ |
197 |
|
5.3 |
Схемы с индуктивной, емкостной трехточками.................................... |
199 |
5.4 |
RC цепи для генераторов синусоидальных колебаний......................... |
200 |
5.5 |
Генераторы синусоидальных колебаний с R и C–параллелями .......... |
202 |
5.6Генераторы синусоидальных колебаний с кварцевой стабилизацией 202
5.7 Генераторы синусоидальных колебаний на ОУ.................................... |
205 |
||
6 Цифроаналоговые и аналого-цифровые преобразователи.......................... |
208 |
||
6.1 |
Цифроаналоговые преобразователи........................................................ |
208 |
|
6.1.1 ЦАП с весовыми резисторами.......................................................... |
211 |
||
6.1.2 ЦАП с матрицей R–2R....................................................................... |
212 |
||
6.1.3 ЦАП с сигма–дельта модуляцией..................................................... |
215 |
||
6.1.4 ЦАП с прямым преобразованием..................................................... |
216 |
||
6.2 |
Аналого-цифровые преобразователи...................................................... |
217 |
|
6.2.1 |
Следящие АЦП................................................................................... |
217 |
|
6.2.2 |
Развертывающие АЦП....................................................................... |
217 |
|
6.2.3 АЦП с регистром последовательного приближения...................... |
218 |
||
6.2.4 АЦП с двойным интегрированием................................................... |
219 |
||
6.2.5 |
АЦП параллельного преобразования............................................... |
222 |
|
6.2.6 |
АЦП с сигма-дельта ( ∑ ) модуляцией........................................... |
223 |
|
6.2.7 |
Микросхема КР1108 ПП-1 ................................................................ |
225 |
4

1 КЛЮЧИ
Выделяют контактные, диодные, транзисторные, тиристорные, пневматические и гидравлические ключи.
1.1 Контактные ключи
Контактные ключи применяются в тех случаях, когда необходим минимальный дрейф, т.е. медленное и самопроизвольное изменение выходного напряжения при нулевом напряжении источника питания.
В сущности, дрейф – это термоЭДС, образующаяся между замкнутыми позолоченными (не позолоченными) контактами вследствие наличия микропримесей. Например, в медицине они применяются для измерения разности потенциалов между точками поверхности кожи.
Контактные ключи имеют минимальное сопротивление в замкнутом состоянии, максимальное сопротивление в разомкнутом состоянии, обеспечивают хорошую гальваническую развязку, так как между контактами и обмоткой управления находится изоляция.
Недостатки: низкочастотный диапазон, малая надёжность, быстрый износ. Достоинство: хорошая радиационная устойчивость.
Ниже, на рисунке 1.1, приведена схема двухполупериодного контактного преобразователя.
Рисунок 1.1 – Схема двухполупериодного контактного преобразователя
Переключатель вибрирует под воздействием обмотки возбуждения ОВ. Типовая частота вибрации составляет 50Гц, хотя известны интегральные
5

преобразователи с частотой до 500 кГц. Таким образом, сигнал преобразуется, т.е. модулируется в более высокочастотный, как показано на рисунках 1.2 а, б, в.
Рисунок 1.2,а, б, в – Преобразование сигнала EC
Частота сигнала обмотки возбуждения должна быть не менее чем на порядок больше в сравнении с наивысшей частотой в спектре преобразуемого сигнала.
Общее свойство: преобразователь удовлетворяет принципу двойственности, т.е. если справа на обмотку подать промодулированный сигнал, а вместо источника сигнала включить нагрузку, то на этой нагрузке выделится первичный модулирующий сигнал.
6

Из графика, изображенного на рисунке 1.2, в, следует, что при переходе синусоиды рисунка 1.2, а в отрицательную область на последнем меняется фаза на
180O .
Если взять двухфазный двигатель переменного тока, на одну из обмоток подать сигнал, изображенный на рисунке 1.2, б, а на другую – на рисунке 1.2, в, то в момент точки А двигатель изменит направление вращения, т.е. по ротору будет работать как демодулятор.
Схемы однополупериодных преобразователей изображены на рисунке 1.3, а, б.
Рисунок 1.3, а, б – Однополупериодные контактные преобразователи
Предпочитают вторую схему с замыканием на землю. Сигнал появляется, когда контакт разомкнут. В этой схеме выше помехоустойчивость, потому что помехи и наводки закорачиваются при замкнутом контакте.
Достоинство двухполупериодной схемы – высокая помехоустойчивость, т.к. вторичная обмотка настраивается в резонанс и вместе с трансформатором фильтрует помехи, в то время как в однополупериодной схеме помехоустойчивость ниже. Коэффициент передачи схем:
K = |
U/ ВЫХ |
≈ |
4 |
|
R Н/ |
|
− для двухполупериодной схемы; |
|||||||
EC |
π |
R Н/ |
+ R C |
|||||||||||
K = |
|
U ВЫХ |
≈ |
|
2 |
|
|
|
R Н |
|
− для однополупериодной схемы. |
|||
|
EC |
|
π |
|
R Н |
+ R C |
||||||||
Коэффициент |
|
4 |
|
|
|
|
образуется |
из разложения последовательности |
||||||
π |
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
прямоугольных импульсов в ряд Фурье с выделением первой гармоники. Коэффициент π2 соответствует однополупериодной схеме.
7

RН/ – приведенное сопротивление вторичной обмотки по отношению к первичной через коэффициент трансформации.
1.2 Диодные ключи
Выделяют неуправляемые и управляемые диодные ключи.
Основные характеристики:
1 Дрейф самый большой в сравнении любыми другими ключами.
2 Неуправляемые диодные ключи выявляют КПД до 95%,управляемые - до 5%(это недостаток).
Достоинство диодных ключей – несложность схем, высокочастотность. Как самые быстродействующие элементы, свето-фотодиоды и диодные
лазеры широко применяются в электронно-световых и свето-электронных преобразованиях.
На рисунке 1.4, а, б изображены последовательное и параллельное расположение диодных неуправляемых ключей.
VD
Rc |
Rc |
|
Rн |
VD |
Rн |
ВЫХ |
|
ВЫХ |
Ec |
Ec |
|
а) |
|
б) |
Рисунок 1.4, а, б – Неуправляемые диодные ключи в схемах
При возрастании EC в положительной области ток протекает по цепи : + EC R C VD R H -EC , поэтому напряжение на выходе увеличивается, как показано на рисунке 1.5, а. Обратное направление EC закрывает диод VD, тока в нагрузке RН почти нет, следовательно, наклон характеристики незначительный. Положительная полярность EC в схеме рисунка 1.4, б образует ток и падение напряжения на VD в прямом направлении, диод открыт, а наклон характеристики
8

на рисунке 1.5, б незначительный. Обратное направление EC |
закрывает диод VD, |
в нагрузке R H протекает ток, на рисунке 1.5, б характеристика пропорциональна |
|
этому току. |
|
U |
ВЫХ |
UВЫХ |
|
EC EC
Рисунок 1.5, а, б – Графики напряжений в схемах рисунков 1.4, а и 1.4, б
На рисунке 1.6, а, б приведены выпрямительные схемы на неуправляемых диодных ключах:
a)
VD1
U
VD2
Тр
б)
1
U
|
3 |
Тр |
2 |
|
Рисунок 1.6, а, б – Схемы двухполупериодных выпрямителей
9

Первая схема содержит два диодных ключа VD1, VD2, но вторичная обмотка трансформатора имеет вывод от средней точки. Во второй схеме четыре диодных ключа, и если она не имеет вывода от средней точки трансформатора, то напряжение на выходах 1…2 такое же, как в схеме на рисунке 1.6, а. Средняя точка позволяет получить симметричное напряжение 1…3 и 2…3, в сущности, разделить напряжение 1…2 пополам.
На рисунке 1.7, а, б изображены две схемы преобразователей с управляемыми диодными ключами. В первой управляющее напряжение подается на диодные ключи через разделительный трансформатор, вторичная обмотка которого имеет среднюю точку 2. Во второй схеме фотодиоды VD1, VD2 открываются и закрываются оптическим лучом или его отсутствием от светодиодов VD1' и VD2' в составе оптопар.
Рисунок 1.7 , а, б – Однополупериодные схемы преобразователей с управляемыми диодными ключами
10
Примем вначале, что EC = 0 и подадим UОП .
Обозначим первый полупериод схемы рисунка 1.7, а стрелкой 1пп.
Ток протекает от точки 3 через VD1 r1 r2 VD2 , на точку 1 и, если схема сбалансирована, напряжения между точками 1-2 и 2-3 одинаковы, то ответвления сигнала в нагрузку быть не должно, т.к. здесь мостовая схема. В реальности ответвление есть, вследствие неидеального баланса. Во второй полупериод напряжение приложено от точки 1 к VD2 r2 r1 VD1 точкe 3 , диоды закрыты, следовательно, цепь передачи в нагрузку разомкнута, что подобно отключенным контактам схемы рисунка 1.3, а.
Теперь приложим EC , |
когда диоды открыты, при этом образуется цепь |
|||||||
+ EC R C точка |
2 точка 3 VD1 r1 R Н −EC . На нагрузке |
R Н |
выделяется |
|||||
выходное напряжение в виде импульса. |
|
|
|
|
||||
В схеме |
рисунка |
1.7, б |
ток |
протекает через |
светодиоды |
|||
′ |
VD2 |
′ |
UОП , излучающие |
свет, |
воспринимаемый |
фотодиодами |
||
UОП VD1 |
|
|||||||
VD1, VD2 , |
которые резко |
уменьшают |
свое |
сопротивление, таким образом, |
световой луч обеспечивает гальваническую развязку – не передает опорное напряжение. Диодные оптопары рассчитаны на 100-400В, имеют хорошую высокочастотность до сотен МГц.
Во втором полупериоде оба диода закрыты – цепи для сигнала нет, в целом схема эквивалентна разомкнутому контактному ключу, напряжение на выходе равно нулю, импульс отсутствует.
Коэффициент передачи тот же, что и у предыдущей контактной однополупериодной схемы.
Расчётные соотношения r1 и r2 :
1 r1 = r2 ≈ (20 ÷50) R VD откр . Это соотношение принимается для того, чтобы изменение температурного сопротивления диодов было малозаметным по сравнению с термостабильными сопротивлениями r1, r2. R VD откр –
сопротивление открытого диода VD .
2 fОП ≥10 fC , где fC – наибольшая частота в спектре EC
3UОП ≥10 EC
4IОП ≥10 IC
5UVD доп ≈ (1.5 ÷ 2) (UОП + EC )
6IVD доп ≈ (1.5 ÷ 2) (IОП + IC )
Так как к диодным ключам необходимо подводить опорное напряжение, то КПД схем на уровне 5%.
На рисунке 1.8 приведена схема кольцевого двухполупериодного преобразователя с управляемыми диодными ключами.
11

|
Рисунок 1.8 – Двухполупериодный преобразователь |
|
||
Работа схемы: примем EC = 0 . |
|
|
|
|
В |
первый полупериод |
UОП 1пп ток |
протекает по |
цепи: |
точка 1 r1 VD1 r2 VD2 точка 3 , при этом диоды |
VD3 , VD4 закрыты, так |
|||
как опорное напряжение направлено против их стрелок. |
|
|
||
Во |
второй полупериод UОП : |
точка 3 r3 VD3 r4 VD4 точка 1, |
диоды |
VD1, VD2 закрыты, таким образом, образуется эквивалент двух механических контактов, поочередно замыкающихся и размыкающихся, как на схеме рисунка 1.1.
Приложим EC .
В |
первый |
полупериод |
UОП |
образуется |
цепь: |
|
+ EC R C точка 5 точка |
6 r2 VD2 точка 3 точка |
2 −EC . |
В |
первичной |
||
обмотке ТР2 протекает ток первого полупериода 1пп. |
|
|
|
|||
Во |
второй полупериод UОП ток |
от EC |
протекает |
по цепи |
||
+ EC R C точка 5 точка |
4 r4 VD4 точка 1 точка |
2 −EC . |
В |
первичной |
||
обмотке ТР2 протекает ток второго полупериода 2пп. |
|
|
|
Так как частота UОП на порядок превышает наивысшую частоту в спектре EC , производится двухполупериодное преобразование или амплитудная модуляция относительно низкочастотного сигнала (постоянного EC ) в
высокочастотный сигнал.
Обе схемы (предыдущие и эта) удовлетворяют принципу двойственности, т.е. если на выход подать промодулированный сигнал, а вместо R C , EC
12

присоединить R Н , то схема работает как демодулятор. Расчетные соотношения те же, что и для предыдущей схемы. Вариант с оптронами разработать самостоятельно. Коэффициент передачи аналогичен двухполупериодной контактной схеме.
Если на зажимы выхода подать такое же по частоте напряжение, что и опорное, то получаем промежуточный этап осциллограмм, изображенных на рисунке 1.9 а, б, в.
UОП |
UОП |
UДЕМ |
UДЕМ |
URН |
URН |
UОП
UДЕМ
URН
Рисунок 1.9, а, б, в, – Осциллограммы напряжений на нагрузке RН ,
включенной вместо ЕС , RC
13

На этом рисунке UОП – опорное напряжение, UДЕМ – демодулируемое
напряжение, подаваемое к зажимам трансформатора ТР2 , обозначенным ВЫХ, URН – напряжение на R Н , включаемом вместо R C , EC . Осциллограммы
соответствуют трем случаям. На рисунке 1.9, а фазы UОП и UДЕМ совпадают, соответственно на R Н выявляются положительные полусинусоиды. На рисунке 1.9, б фазы противоположны, поэтому на нагрузке R Н изображены отрицательные полусинусоиды. Рисунок 1.9, в иллюстрирует фазовый сдвиг π 2 (90°), полусинусоиды UДЕМ скачком разрываются на две половины, одна в
положительной части осциллограммы, другая – в отрицательной. В целом, из вида осциллограммы URН рисунка 1.9, в следует, что она не содержит постоянной составляющей. Таким образом, если изменять фазу UДЕМ (или UОП )
от нуля, как это изображено на рисунке 1.9, а до 180°, как на рисунке 1.9, в, то по постоянной составляющей URН получаем кривую, изображенную на рисунке 1.10, которую называют дискриминационной. Она имеет форму синусоиды.
URН
совпадение фаз
90°
противофазность
Рисунок 1.10 – Дискриминационная кривая
В автоматике системы управления с обратной связью имеют структурные схемы, одна из которых изображена на рисунке 1.11.
14