ПИМС и МП. Лекции, задания / Вопр_ экз_ПИМС_з-79с

Вопросы экзамена по дисциплине «Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров»

А1. К какой области производства относится производство микросхем?

А2. Как называется система стандартов исполнения документов микросхем?

А3. Какие классы микросхем определяются по конструктивно-технологичес- кому признаку?

А4. По каким признакам изделия относятся к микросхемам?

А5. По каким признакам объекты конструкций микросхем определяются как элементы?

А6. По каким признакам объекты конструкций микросхем определяются как компоненты?

А7. Какому классу микросхем соответствует и какой объект их состава определяется как Какому классу микросхем соответствует и какой объект их состава определяется как кристалл?

А8. Какому классу микросхем соответствует и какой объект их состава определяется как плата?

А9. Что понимается под термином «структура» кристалла или платы?

А10.Что понимается под термином «топология» кристалла или платы?

А11. Перечислите состав конструкции корпусированных микросхем.

А12. Какие классификационные признаки отображаются в обозначении микросхем?

А13. Что понимается под степенью интеграции микросхем и как она определяется?

А14. Какие элементы электрических схем исполняются на кристаллах микросхем?

А15. Какие процессы производства микросхем определяются как групповые?

А16. Назовите классы изделий, установленных системой стандартов по исполнению их документации.

А17. Назовите состав этапов исполнения документации проектов новых микросхем.

А18. Назовите способы изоляции областей исполнения радиоэлементов на кристаллах микросхем.

А19. Какие элементы электрических схем исполняются на платах микросхем?

А20. Назовите технологические варианты структур, применяемых в исполнении конструкций микросхем на биполярных транзисторах?

Б1 Перечислите основные негативные свойства структуры биполярного транзистора без применения эпитаксиальных слоёв.

Б2. Какие недостатки соответствуют применению в конструкциях биполярных транзисторов эпитаксиального коллектора?

Б3. Какие позитивные свойства соответствуют применению в конструкциях биполярных транзисторов эпитаксиальной базы?

Б4. Какие позитивные свойства соответствуют применению в конструкциях биполярных транзисторов скрытого слоя в эпитаксиальном коллекторе?

Б5. Какие позитивные свойства соответствуют применению в конструкциях биполярных транзисторов структуры КВД?

Б6. Какие позитивные свойства соответствуют применению в конструкциях биполярных транзисторов структуры КНД?

Б7. Какие негативные свойства соответствуют применению в конструкциях биполярных транзисторов эпитаксиального коллектора?

Б8. Какие функциональные параметры биполярных транзисторов микросхем влияют на увеличение их размеров?

Б9. Перечислите слои транзисторной структуры применяемые для исполнения резисторов электрических схем микросхем.

Б10. Перечислите позитивные и негативные свойства исполнения резисторов в эмиттерном слое транзисторной структуры.

Б11. Перечислите позитивные и негативные свойства исполнения резисторов в коллекторном слое транзисторных структур.

Б12. Перечислите позитивные и негативные свойства исполнения резисторов в коллекторном слое транзисторных структур.

Б13. Перечислите позитивные и негативные свойства исполнения резисторов в коллекторном слое транзисторных структур.

Б14. Какими параметрами структуры определяется диапазон рабочих напряжений биполярного транзистора с эпитаксиальным коллектором?

Б15. Как и какие ёмкости следует определять для схемы замещения биполярного транзистора с эпитаксиальным коллектором?

Б!6. На какой параметр биполярного транзистора оказывает преобладающее влияние отношение поверхностных сопротивлений эмиттерного и базового слоёв структуры?

Б17. На какой параметр биполярного транзистора оказывает преобладающее влияние сопротивление квадрата коллекторной области транзисторной структуры?

Б18.Чем определяется максимальное значение длины топологической конфигурации эмиттера в транзистора?

Б19. Чем определяется максимальное значение ширины топологической конфигурации эмиттера в транзистора?

Б.20. Чем определяется выбор приемлемой плотности тока эмиттера биполярного транзистора?

В1. Какие технологические ограничения и как учитываются в проектировании топологии элементов микросхем?

В2. Сформулируйте последовательность выбора форм и размеров транзисторов биполярных микросхем.

В3. Перечислите топологические формы резисторов полупроводниковых микросхем.

В4. Перечислите функциональные параметры резисторов кристаллов микросхем и последовательность выбора форм и размеров.

В5.Перечислите топологические формы резисторов плёночных микросхем.

В6. Перечислите основные конструкции компонент гибридных микросхем.

В7. Перечислите функциональные параметры резисторов гибридных микросхем и последовательность выбора форм и размеров.

В8. Какие ограничения учитываются при проектировании контактов резисторов полупроводниковых микросхем?

В9. Какие ограничения учитываются при проектировании контактов резисторов плёночных и гибридных микросхем?

В10. Какие ограничения учитываются при проектировании соединений элементов плёночных и гибридных микросхем?

В11.Перечислите конструктивный состав и свойства гибридно-плёночных ИМС.

В12.Какое назначение имеют так называемые ключи ориентации микросхемы, платы, компонентов?

В13. Определите отличительные черты для понятий «монтаж» и «электромонтаж» микросхемы.

В14.Какие способы монтажа и электромонтажа применяют в производ-стве ГИС?

В15. Как определить сопротивление квадрата резистивной плёнки гибридной микросхемы? Какие конструктивные меры следует применять для обеспечения удобства контроля?

В16. Для чего применяются и как учитываются топологические изгибы в корректировке размеров резисторов?

В17. Для чего и в как предусматривается подгонка номинала в конструкциях

резисторов на платах гибридных микросхем?

В18. При каком условии учитывается влияние профиля боковых поверхностей резисторов на кристаллах при корректировке размеров?

В19. Какие решения позволяют снизить проектную погрешность сопротив-лений резисторов кристаллов и плат?

В20. Какие ограничения определяют допустимые номинальные эначения ёмкостных и индуктивных элементов кристаллов и плат микросхем?