4

Ми­ни­стер­ст­во об­ра­зо­ва­ния Рос­сий­ской Фе­де­ра­ции

Том­ский го­су­дар­ст­вен­ный уни­вер­си­тет сис­тем управ­ле­ния

и ра­дио­элек­тро­ни­ки (ТУСУР)

Ка­фед­ра Телевидения и Управления (ТУ)

ОТЧЕТ

Ла­бо­ра­тор­ная ра­бо­та по кур­су "Электроника"

Исследование насыщенного транзисторного ключа

Преподаватель

_____________ А. М. Заболоцкий

3 декабря 2004г.

Студенты гр. 133

_____________ А. Медведев

_____________ А. Захаров

3 декабря 2014г.

2014г.

ВВЕДЕНИЕ

Цель работы: ознакомление с принципом работы транзисторного ключа, экспериментальное исследование переходных процессов в нем и ознакомление с порядком расчёта элементов принципиальной схемы ключа.

1. ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ УСТАНОВКИ И МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ

Структурная схема макета представлена на рис. Рис. 1 .1.

Рис. 1.1 - Структурная схема.

Данное устройство представленное на схеме, называется ключом на биполярном транзисторе, ускоряющая емкость выделенная пунктирной линией применяется в последнем опыте. Принцип работы: Транзисторный ключ подобен механическому выключателю или электромагнитному реле. Качество ключа определяется минимальным падением напряжения на нем в замкнутом состоянии, минимальным током в разомкнутом состоянии и скоростью переходных процессов.

С начало включается внешний генератор импульсов, макет и осциллограф. Устанавливаются резисторы R_К, R_Б и R_СМ в среднее положение, выключите ускоряющую емкость и цепь обратной связи. Зарисовываются осциллограммы сигналов на входе и выходе ключа, соблюдая при этом полярность, временное расположение и соотношение амплитуд импульсов.

2. РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ИХ АНАЛИЗ

Результаты измерений зависимости длительностей фронтов выходных импульсов и времени рассасывания заряда не основных носителей в области базы при изменении сопротивления нагрузки ключа R_К переключателем П5:

; ; .

Представлены в таблице 2.1

Таб­ли­ца 2.1- Ре­зуль­та­ты измерений.
Rк ,кОм	1	2	3	4	5
T+ф, мкC	2	1,4	1,3	1,1	0,9
T-ф,, мкC	3,2	2,7	2,4	2,1	2
Tрасс, мкC	0,4	0,8	1,1	1,3	1,5

По данным из таблицы Таблица 2. построим графики зависимости (рис. Error: Reference source not found).

Результаты измерений зависимости длительностей фронтов выходных импульсов и времени рассасывания заряда неосновных носителей в области базы при изменении сопротивления в цепи базы транзистора R_Б:

; ;

Представлены в таблице 2.2

Таб­ли­ца 2.2- Ре­зуль­та­ты измерений.
RБ ,кОм	1	2	3	4	5
T+ф, мкC	2,1	1.8	1,4	0,8	0,4
T-ф,, мкC	2,8	2.7	2,6	2,4	2,2
Tрасс, мкC	0,2	0,4	0,8	1,4	2

По данным из таблицы Таблица 2. построим графики зависимости (рис. 2).

Результаты измерений зависимости длительностей фронтов выходных импульсов и времени рассасывания заряда неосновных носителей в области базы при изменении сопротивления в цепи смещения транзистора R_СМ:

; ;

Представлены в таблице 2.3

Таб­ли­ца 2.3- Ре­зуль­та­ты измерений.
Rсм ,кОм	1	2	3	4	5
T+ф, мкC	2	1,6	1,2	1	0,9
T-ф,, мкC	0.6	1,8	2,4	3,5	5,4
Tрасс, мкC	0,1	0,4	0,6	0,8	1,4

По данным из таблицы Таблица 2. построим графики зависимости (рис. 3).

Результаты измерений c ускоряющую емкостью С

Таб­ли­ца 2.4- Ре­зуль­та­ты измерений.
СПФ	1	2	3	4	5		5
T+ф, мкC	0,2	0.21	0,22	0,23	0.24		1,4
T-ф,, мкC	0.5	0.6	0,7	0,8	0.9		2,5
Tрасс, мкC	0,13

По данным из таблицы Таблица 2. построим графики зависимости (рис. 4).

ВЫВОДЫ