- •Министерство образования российской федерации
- •Введение
- •Теоретические сведения.
- •Страничное распределение
- •Способы подкачки страниц
- •Стратегии откачки страниц
- •Стратегия выталкивание случайной страницы (rnd)
- •Стратегия выталкивание первой пришедшей страницы (fifo)
- •Выталкивание дольше всего не использовавшейся страницы (lru)
- •Выталкивание реже всего используемой страницы (lfu)
- •Порядок выполнения работы
- •Содержание отчёта
- •Контрольные вопросы
- •Стратегия выталкивание случайной страницы (rnd)
- •Стратегия выталкивание первой пришедшей страницы (fifo)
- •Выталкивание дольше всего не использовавшейся страницы (lru)
- •Выталкивание реже всего используемой страницы (lfu)
- •Библиографический список
Стратегия выталкивание случайной страницы (rnd)
Стратегия выталкивание первой пришедшей страницы (fifo)
Выталкивание дольше всего не использовавшейся страницы (lru)
Выталкивание реже всего используемой страницы (lfu)
Для чего нужно постоянно производить страничный обмен между оперативной и внешней памятью?
Что такое LRU (LFU, FIFO)-стек? Для чего он нужен? В чём их отличия?
LRU(LFU, FIFO)-стек
в нём отражается текущее состояние оперативной памяти - последовательность страниц, с которыми работал процессор. Оно будет различным для различных стратегий откачки.
LRU-стек:
на вершине стека указана страница, к которой процессор только, что работал. По мере удаления от вершины стека указаны страницы к которым процессор реже обращался в последнее время (с момента загрузки).
LFU-стек:
по мере удаления от вершины стека указаны страницы, к которым было меньше обращений в последнее время (с момента загрузки). Кроме № страницы указано количество обращений к ней.
FIFO-стек:
по мере удаления от вершины стека указаны страницы, которые появились в ОП раньше.
При обращении к новой странице из ОП будет удалена страница, номер которой расположен внизу стека. В эту физическую страницу заноситься подгружаемая виртуальная (из внешней памяти).
Исполнение каких типов команд моделируется в лабораторной работе? В чём их отличие с точки зрения страничного управления памятью?
Библиографический список
Иванова Е. М., Жарков С. В. «Организация ЭВМ и вычислительных систем», МИЭМ, 2002г.
А. Шоу «Логическое проектирование Операционных Систем»
Г. Дейтел «Введение в операционные системы», Москва, «Мир» 1987г.
Морисита И, Аппаратные средства микроЭВМ: Пер. с япон.-М.:Мир, 1988г.
Учебное издание
МОДЕЛЬ ВИРТУАЛЬНОЙ ПАМЯТИ
Составители: ИВАНОВА Елена Михайловна
Редактор
Технический радактор
Подписано в печать Формат 60х84/16.
Бумага типографская № 2. Печать - ризография.
Усл. Печ. Л. Уч.изд. л. Тираж экз.
Заказ Бесплатно. Изд. №
Московский государственный институт электроники и математики.
109028, Москва, Б.Трехсвятительский пер. 3/12 стр. 1
Отдел оперативной полиграфии Московского государственного института электроники и математики 113054, Москва, ул. М.Пионерская, 12
