4.2 Порядок проведения экспериментов
Эксперимент 1. Определение статического коэффициента передачи транзистора по постоянному току DC в схеме с ОЭ.
Построить и включить схему, изображенную на рисунке 4.4 (с10_001).
Записать результаты измерения тока коллектора IК, тока базы IБ и напря- жения коллектор-эмиттер UКЭ в таблицу 4.1 раздела "Результаты эксперимен- тов". По полученным результатам подсчитать статический коэффициент пере- дачи тока DC транзистора. Повторить измерения и расчет коэффициента пере- дачи для значений Eb =2,68 В; 5 В. Результаты занести в таблицу.
Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.
На схеме рисунок 4.4 изменить номинал источника ЭДС Eb = 0 В. Вклю-
чить схему. Записать результаты измерения тока коллектора IК для данных зна- чений тока базы IБ и напряжения коллектор-эмиттер UКЭ в раздел "Результаты экспериментов".
Эксперимент 3. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
а) В схеме (рисунок 4.4) провести измерения тока коллектора IК для каж- дого значения ЕК и Еb и заполнить таблицу 4.2 в разделе "Результаты экспери- ментов". По данным таблицы построить семейство выходных характеристик транзистора с ОЭ, график зависимости IК от ЕК, при различных значениях тока базы IБ.
б) Открыть файл c10_002.ca4 со схемой, изображенной на рисунке 4.5.
Отобразить осциллограмму выходной характеристики, соблюдая мас- штаб, в разделе "Результаты экспериментов". Повторить измерения для каждо-
го значения Еb из таблицы 4.2. Осциллограммы выходных характеристик для
разных токов базы отобразить в разделе "Результаты экспериментов" на одном графике.
в) По выходной характеристике найти коэффициент передачи транзисто-
ра по переменному току AC при изменении базового тока с 10 мА до 30 мA, ЕК
= 10 В. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".
Эксперимент 4 Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
а) Открыть файл c10_001.ca4 (рисунок 4.4). Установить значение напря-
жения источника ЕК равным 10 В и провести измерения тока базы IБ, напряже- ния база-эмиттер UБЭ тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения ис- точника Еb в соответствии с таблицей 4.3 в разделе "Результаты эксперимен- тов". Обратить внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.
б) В разделе "Результаты экспериментов" по данным таблицы 4.3 постро- ить график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.
в) Открыть файл c10_003.ca4 со схемой, изображенной на рис. 4.6. Вклю- чить схему. Отобразить входную характеристику транзистора, соблюдая мас- штаб, в разделе "Результаты экспериментов".
Рисунок 4.6 – Схема для получения входных характеристик транзистора с ОЭ
г) По входной характеристике найти сопротивление RВХ при изменении базового тока с 10мA до 30 мA. Результат записать в раздел "Результаты экс- периментов".