
- •Исследование проводящих материалов и резисторов
- •1. Описание лабораторной установки
- •2. Задание на самоподготовку
- •3. Лабораторное задание
- •3.1.Определить удельное объемное сопротивление материала.
- •3.2.Снять вольтамперные характеристики постоянных резисторов.
- •3.3.Определить параметрырезисторов типа млт.
- •3.4.Определить параметрырезисторовс цветной маркировкой.
- •3.5. Сравнить характеристики постоянных резисторов разного типа.
- •3.6. Исследование переменных резисторов.
- •4. Методические указания
- •5. Содержание отчета
- •6. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2.
- •3. Лабораторное задание.
- •1. Исследование зависимости тангенса угла диэлектрических потерь от величины номинальной ёмкости конденсаторов.
- •2. Исследование влияния свойств диэлектрика на потери в конденсаторах.
- •3. Исследование зависимости ёмкости и тангенса угла диэлектрических потерь от угла поворота пластин конденсатора переменной ёмкости.
- •4. Определение значения диэлектрической проницаемости материала диэлектрика.
- •Содержание отчёта.
- •Контрольные вопросы.
- •Литература.
- •Потери в диэлектриках. Основные понятия. Диэлектрическими потерями называют электрическую мощность, затрачиваемую на нагрев диэлектрика, находящегося в электрическом поле.
- •Исследование высокочастотных катушек
- •3.2 Описание набора катушек индуктивности.
- •3.3 Соотношения для расчёта характеристик катушек индуктивности.
- •4. Лабораторное задание
- •1. Исследование зависимости индуктивности и добротности катушек от количества витков.
- •2. Исследование зависимости индуктивности и добротности катушек
- •3. Исследование зависимости индуктивности и добротности катушек
- •4. Исследование зависимости индуктивности и добротности катушек
- •5.Требования к отчету
- •6. Контрольные вопросы к защите работы
- •Исследование электромагнитных реле
- •2. Задание на самоподготовку.
- •3. Лабораторное задание.
- •2. Определение параметров срабатывания нейтральных реле.
- •3. Определение параметров срабатывания поляризованных реле.
- •4. Определение параметров срабатывания и отпускания герконового реле (магнитного контакта).
- •4. Содержание отчета.
- •5. Контрольные вопросы
- •Список литературы:
Потери в диэлектриках. Основные понятия. Диэлектрическими потерями называют электрическую мощность, затрачиваемую на нагрев диэлектрика, находящегося в электрическом поле.
Потери энергии в диэлектриках наблюдаются как при переменном, так и припостоянномнапряжении, поскольку в технических материалах обнаруживается сквознойток утечки, обусловленный электропроводностью. При постоянном напряжении, когда нет периодической поляризации, качество материала характеризуется значениямиудельного объемного и удельного поверхностного сопротивлений, которые определяют значение Rиз(сопротивление изоляции).
При воздействии переменного напряжения на диэлектрик в нем кроме сквозной электропроводности могут проявляться другие механизмы превращения электрической энергии в тепловую. Поэтому, качество материала недостаточно характеризовать только сопротивлением изоляции.
В инженерной практике чаще всего для характеристики способности диэлектрика рассеивать энергию в электрическом поле используют угол диэлектрических потерь, а также тангенс этого угла.
Углом диэлектрических потерь δ называют угол, дополняющий до 900угол сдвига фаз φ между током и напряжением в емкостной цепи.
В случае идеального диэлектрика вектор тока в такой цепи опережает вектор напряжения на угол 900, при этом угол δ равен нулю. Чем больше рассеивается в диэлектрике мощность, тем меньше угол сдвига фаз φ и тем больше угол диэлектрических потерь δ и его функция tg δ.
Тангенс угла диэлектрических потерь входит в формулу для рассеиваемой в диэлектрике мощности, поэтому этой характеристикой пользуются чаще.
Эквивалентная схема конденсатора с диэлектриком, обладающим потерями, составляется с таким расчетом, чтобы активная мощность, расходуемая в данной схеме, была равна мощности, рассеиваемой в диэлектрике конденсатора, а ток был бы сдвинут относительно напряжения на тот же угол, что и в рассматриваемом конденсаторе. Обычно конденсатор с потерями заменяют идеальным конденсатором с параллельно включенным активным сопротивлением (параллельная схема) или конденсатором с последовательно включенным сопротивлением (последовательная схема). Эквивалентные схемы не дают объяснения механизма диэлектрических потерь и введены условно для упрощения расчётов.
Параллельная и последовательная эквивалентные схемы представлены на рис. П.1. Там же даны соответствующие диаграммы токов и напряжений. Обе схемы эквивалентны друг другу, если при равенстве полных сопротивлений Z1= Z2=Zравны соответственно их активные и реактивные составляющие. Это условие будет соблюдено, если углы сдвига тока относительно напряжения равны и значения активной мощности одинаковы.
Рис. П.1. Параллельная (а) и последовательная (б) эквивалентные схемы диэлектрика с потерями и векторные диаграммы для них.
Для параллельной схемы из векторной диаграммы
tg δ = Ia / Ic = 1/(ωСpR); (П.1)
Pa = UIa = U2ωСр tg δ; (П.2)
для последовательной схемы
,
(П.3)
(П.4)
Приравнивая выражения (П.2) и (П.4), а также (П.1) и (П.3), найдем соотношения между Cpи Csи между R и r:
(П.5)
(П.6)
Для доброкачественных диэлектриков можно пренебречь значением tg по сравнению с единицей в формуле (П.5) и считать CpCs=С. Выражения для мощности, рассеиваемой в диэлектрике, в этом случае будут также одинаковы у обеих схем:
,
(П.7)
где Р, выражено в Вт; U - в В; ω - в рад/с; С - в Ф. Следует отметить, что при переменном напряжении в отличие от постоянного емкость диэлектрика с большими потерями становится условной величиной и зависит от выбора той или иной эквивалентной схемы. Отсюда и диэлектрическая проницаемость материала с большими потерями при переменном напряжении также условна.
Для большинства диэлектриков параметры эквивалентной схемы зависят от частоты. Поэтому, определив каким-либо методом значения емкости и эквивалентного сопротивления для данного конденсатора при некоторой частоте, нельзя использовать эти параметры для расчета угла потерь при другой частоте. Такой расчет справедлив только в отдельных случаях, когда эквивалентная схема имеет определенное физическое обоснование. Так, если для данного диэлектрика известно, что потери в нем определяются только потерями от сквозной электропроводности в широком диапазоне частот, то угол потерь конденсатора с таким диэлектриком может быть вычислен для любой частоты, лежащей в этом диапазоне, по формуле (П.1). Потери в таком конденсаторе определяются выражением
(П.8)
Если же потери в конденсаторе обусловлены главным образом сопротивлением подводящих и соединительных проводов, а также сопротивлением самих электродов (обкладок), например, тонким слоем серебра в слюдяном или керамическом конденсаторе, то рассеиваемая мощность в нем возрастет с частотой пропорционально квадрату частоты:
.
(П.9)
Из выражения (п.9) можно сделать вывод: конденсаторы, предназначенные для работы на высокой частоте, должны иметь по возможности малое сопротивление как электродов, так и соединительных проводов и переходных контактов.
В большинстве случаев механизм потерь в конденсаторе сложный и его нельзя свести только к потерям от сквозной электропроводности или к потерям в контакте. Поэтому параметры конденсатора необходимо определять при той частоте, при которой он будет использован.
Диэлектрические потери, отнесенные к единице объема диэлектрика, называютудельными потерями. Их можно рассчитать по формуле
(П.10)
где V — объем диэлектрика между плоскими электродами, м3, Е— напряженность электрического поля, В/м.
Произведение ε tgδ =ε" называют коэффициентом диэлектрических потерь.
Из выражения (П.10) следует, что при заданных частоте и напряженности электрического поля удельные диэлектрические потери в материале пропорциональны коэффициенту потерь.
Приложение 2.
Таблица П.2.1 Обозначение конденсаторов по виду диэлектрика.
Обозначение конденсатора |
Тип конденсатора по виду диэлектрика |
К10 К15 К20 К21 К22 К23 К31 К32 К40 К41 К42 К50 К51 К52 К53 К54 К60 К61 К71 К72 К73 К75 К76 К77 |
Керамические на номинальное напряжение ниже 1600 В То же, на номинальное напряжение 1600 В и выше Кварцевые Стеклянные Стеклокерамические Стеклоэмалевые Слюдяные малой мощности Слюдяные большой мощности Бумажные на напряжение до 2 кВ с фольговыми обкладками То же, на напряжение 2 кВ и выше с фольговыми обкладк. Бумажные с металлизированными обкладками Электролитические фольговые алюминиевые Электролитические фольговые танталовые, ниобиевые и др. Электролитические объёмно-пористые Оксидно-полупроводниковые Оксидно-металлические Воздушные Вакуумные Плёночные полистирольные Плёночные фторопластовые Плёночные полиэтилентерефталатные Плёночные комбинированные Лакоплёночные Плёночные поликарбонатные |
Таблица П.2.2 Электроизоляционные свойства полярных диэлектриков.
Материал |
|
tg |
Ом*м |
Eпр МВ/м |
Рабочие температурыС |
Поливинилхлорид Оргстекло Лавсан Нейлон, капрон Фторопласт-3 Силиконы |
3,5 – 4,5 2,8 – 3,5 3,0 – 3,5 5 – 6 3,5 3,5 |
0,2 – 0,5 0,02-0,05 0,002 0,06 0,04 0,01-0,003 |
1012 1011 1012 10 9 1018 1014 |
10 – 50 18 – 40 100 20 13 – 15 15 - 25 |
-35 / +80 -80 / +70 -80 / +200 -40 / +200 -195 / +130 -70 / +250 |
Таблица П2.3. Характеристики плёнок, применяемых в микроэлектронике.
Материал |
Применяемая толщина, мкм |
|
tg при f = 1 кГц |
Eпр МВ/м |
Диоксид кремния (SiO2) Оксид кремния (SiO) Оксид тантала (TaO5) Нитрид кремния (SiN) Оксид алюминия (Al2O3) |
0,05 – 1,5 0,3 – 3,0 0,05 – 0,25 0,5 – 1,0 0,04 - 0,3 |
4 9 – 12 20 - 50 5 - 10 8 - 10 |
0,001 – 0,04 0,01 – 0,03 0,01 – 0,5 0,003 – 0,01 0,002 – 0,01 |
300 100 – 300 100 - 200 до 1000 200 - 600 |
Лабораторная работа № 3.