- •Телекоммуникационные системы синхронной и плезиохронной цифровОй иерархиИ
- •200900 «Сети связи и системы коммутации»
- •2 Тематический план 6
- •1 Рабочая программа дисциплины
- •2 Тематический план
- •3 Содержание учебной дисциплины
- •Раздел 4 Топология и архитектура sdh
- •Лабораторная работа 3
- •4 Методические указания по выполнению
- •5 Индивидуальные задания
- •6 Литература
6 Литература
Основная:
1 Гордиенко В.Н., Тверецкий М.С. Многоканальные телекоммуникационные системы. Учеб. для вузов. - М.: Горячая линия -Телеком, 2005
Дополнительная:
2 Кулева Н.Н. Телекоммуникационные сети синхронной цифровой иерархии: Учеб. пособие/ Н.Н. Кулева, Е.Л. Федорова. – СПб., 2001
3 Слепов Н.Н. Синхронные цифровые сети SDH.- М.: ЭКО-ТРЕНДЗ, 1999
4 Слепов Н.Н. Современные технологии цифровых оптоволоконных сетей связи (ATM, PDH, SDH, SONET, WDM). – М.: Радио и связь, 2000
5 Фриман Р. Волоконно-оптические системы связи. – М.: Техносфера, 2003
6 Синхронная цифровая иерархия: Учеб. пособие для вузов. / Под ред. Б.И. Крука. - Новосибирск: СибГУТИ, 1998
Приложение
Оптические интерфейсы
Согласно рекомендациям МСЭ-Т G.707, G.708, G.957, G.958
Скорости передачи 155,520 Мбит/с (STM-1)
622.080 Мбит/с (STM-4)
2488.320 Мбит/с (STM-16)
Линейный код бинарный скремблированный NRZ
STM-1
Таблица 1 – Оптические передатчики и регенерационные секции
|
Длина волны, нм Класс оборудования Лазерный диод Ширина спектра, нм
Подавление мод, дБ Фактор гашения Уровень передачи максим., дБ миним., дБ |
1260…1360 S-1.1 Фабри-Перро 4
- <0.15
-8 -15 |
1280…1335 L-1.1 Фабри-Перро 2,5
- <0.1
0 -3 |
1480…1580 L-1.2/1.3 РОС 1 на уровне –20 дБ >30 <0.1
+5 +2 |
|
Приемный фотодетектор Уровень приема при вероятности ошибки ≤10-10, дБ |
PIN
-34…-2 |
PIN
-34…-2 |
PIN
-34…-2 |
|
Тип линии регенерационной секции. Совокупная дисперсия, пс/нм Дисперсионные потери, дБ Общее затухание в секции при максимальной дисперсии, дБ |
Одномодовое оптическое волокно 250 400 5000 <1 <1 -
0…18 2…30 7…35 | ||
РОС – распределенная обратная связь;
PIN – фотодетектор структуры p-i-n со слоем i – собственной проводимости полупроводника без примесей.
STM-4
Таблица 2
|
Длина волны |
нм |
1280…1335 |
1510…1560 |
1530…1555 | ||||||
|
Класс оборудования Лазерный диод
Подавление боковых мод Ширина спектра Фактор гашения Уровень передачи |
-
-
дБ
нм
-
дБм |
S-4.1
Фабри-Перро пониженной мощности
-
<3
<0.15
-15…-8 |
L-4.1
Фабри-Перро Стандарт
-
<2
<0.1
-3…0 |
L-4.2/L-4.3
РОС стандарт
>30
<0.5
<0.1
-3…+2 |
JE-4.2/JE-4.3
РОС повышенной мощности
>30
<0.5
<0.1
+3…+6 с оптическим усилителем +12…+15 | |||||
|
Приемный фотодетектор
Уровень приема при вероятности ошибки 10-10 |
дБм |
Ge – ЛФД
-34…-3 |
InGaAs – ЛФД
-36…-8 |
InGaAs – ЛФД высокой чувствительности
-39…-17 |
InGaAs – ЛФД с оптическим усилителем
-45…-15 | |||||
|
Тип линии регенерационной секции |
|
Одномодовое оптическое волокно | ||||||||
|
Совокупная дисперсия Дисперсионные потери Общее затухание секции при максимальной дисперсии |
пс/ нм
дБ
дБ |
90
<1
0…18 |
130
<1
3…30 |
3500
<1
10…32 |
4000
<1
23…41 |
5000
<2
32…49 |
5000
<2
30…55 | |||
STM-16
Таблица 3
|
Длина волны |
нм |
1280…1335 | |||||
|
Класс оборудования Лазерный диод
Ширина спектра по уровню –20 дБ от максимального Фактор гашения Уровень передачи |
- -
нм
-
дБм |
L-16.1/S-16.1 РОС стандарта
<1
<0.1
-3…0 |
JE-16.1 РОС повышенной мощности
<1
<0.1
-1…+2 | ||||
|
Приемный фотодетектор
Класс оборудования
Уровень приема при вероятности ошибки 10-10 |
-
-
дБм |
Ge – ЛФД
L-16.1/ S-16.1
-27…0 |
InGaAs – ЛФД
L-16.1/ S-16.1
-27…-6 |
Ge – ЛФД
L-16.1/ S-16.1
-27…0 |
InGaAs – ЛФД
L-16.1/ S-16.1
-27…-6 | ||
|
Тип линии регенерационной секции |
|
Одномодовое оптическое волокно | |||||
|
Совокупная дисперсия Дисперсионные потери Общее затухание секции при максимальной дисперсии |
нс/нм
дБ
дБ |
300
<1
0…23 |
300
<1
6…23 |
300
<1
2…25 |
300
<1
6…25 | ||
STM-16
Таблица 4
|
Длина волны |
нм |
1510…1560 |
1530…1560 | |||||
|
Класс оборудования
Лазерный диод
Ширина спектра по уровню –20дБ от максимального Фактор гашения Уровень передачи |
-
-
нм
-
дБм |
L-16.1/S-16.3
РОС стандарт
<0.6
<0.1
-3…0 |
JE-16.2/ JE-16.3
РОС повышенной мощности
<0.6
<0.15
-1…+2 |
JE-16.2/ JE-16.3
РОС с внешним интегрированным модулятором, повышенной выходной мощностью <0.1
<0.15
+3…+6 с оптическим усилителем +12…+15(+18) | ||||
|
Приемный фотодетектор
Класс оборудования Уровень приема при вероятности ошибки 10-10 |
-
-
дБм |
InGaAs – ЛФД
L-16.2/ L-16.3
-27…0 |
InGaAs – ЛФД
L-16.2/ L-16.3
-27…-6 |
InGaAs – ЛФД
JE-16.2/ JE-16.3
-27…0 |
InGaAs – ЛФД повышенной чувствительности JE-16.2/ JE-16.3 | |||
|
-27..-6 |
С опт. предус | |||||||
Таблица 4 - Продолжение
|
Тип линии регенераци- онной секции |
|
Одномодовое оптическое волокно | |||||||||
|
Класс оборудования
Совокупная дисперсия
Дисперсионные потери Общее затухание секции при максимальной дисперсии |
-
нс/ нм
дБ
дБ |
L-16.2
1220
<2
6…23 |
L-16.3
600
<1
6…24 |
JE-16.2
1800
<2
8... 25 |
JE-16.3
900
<1
8…26 |
JE-16.2
1800
<2
8… 26.5 |
JE-16.3
900
<1
8…27.5 |
JE-16.2
3000
<2
21… 39.5 |
JE-16.3
900
<1
21…40.5 |
JE-16.2
4500
<2
30… 50.3 |
JE-16.3
900
<1
30…51 |