3. Принципиальная схема формирователя импульсов
Схема формирователя приведена на рис. 3. Задающий генератор выполнен но основе ГУН синтезатора частоты DD2. Частота повторения импульсов изменяется резистором R8. С выхода генератора импульсов через буферный элемент на элементе DD1.4 снимается импульс синхронизации осциллографа.
Рис. 4. Принципиальная схема формирователя импульсов питания
Электронная линия регулируемой задержки выполнена на элементе DD1.3. затем импульс поступает на регулируемый формирователь длительности на DD1.1 и DD2.2. Драйвер DD3 формирует импульсы управления выходными транзисторами формирователя.
В исходном состоянии транзисторы VT1, VT2 заперты и конденсаторы С9, С10, С11, С12 заряжены практически до напряжения питания. При отпирании транзисторов конденсаторы разряжаются через переход сток – исток транзисторов и подключенный ИК прожектор. Для индикации тока через диод используется трансформатор тока Tr1.
Особенностью конструкции формирователя импульсов является минимизация паразитной индуктивности в цепи протекания тока накачки диодной решетки. Это достигается минимизацией длины пути протекания выходного тока и также применением широких проводников. Проводник, соединяющий держатель диода с выходом формирователя, с целью уменьшения поверхностного сопротивления, выполнен в виде жгута изолированных проводников.
4. Технические характеристики
Для исследований предельных оптических мощностей прожекторов в импульсном режиме был разработан формирователь импульсов питания со следующими техническими характеристиками: длительность формируемых импульсов 200 нс-50 мкс, выходной ток не менее 300А на нагрузке 0,2 Ома, длительности переднего и заднего импульса не более 100 нс. Расположение элементов приведено на рисунке 5
Рис. 5. Расположение элементов генератора
На рисунке 6 приведена печатная плата генератора.
Рис. 6. Печатная плата генератора
Рис.7. Фотография печатная плата генератора
Рис.8. Внешний вид генератора импульсов накачки
Таблица 2 – Перечень элементов к схеме генератора импульсов тока
Обознач. |
Наименование |
Кол-во |
Примеч. |
R1, R2, R3 |
Резистор Р1-12-0,065 –11 к±10% |
3 |
Импортные чип 0805 |
R4, R8, R10 |
РП1-205 |
3 |
|
R5, R6, R7 |
Резистор Р1-12-0,065 – 390 Ом±10% |
3 |
Импортные чип 0805 |
R9 |
Резистор Р1-12-0,065 –300±10% |
1 |
Импортные чип 0805 |
R11, R12, R13 |
Резистор Р1-12-0,065 –10 Ом±10% |
3 |
Импортные чип 0805 |
R14, R15 |
Резистор ОМЛТ-2ВТ |
2 |
|
R16, R17 |
Резистор Р1-12-0,065 –20 Ом±10% |
2 |
Импортные чип 0805 |
С |
Конденсаторы 1 мкФ X7R, 10%, 0805, 25В |
1 |
Импортные чип 0805 |
C1,С2 |
Конденсатор 1 мкФ X7R, 10%, 0805, 25В |
2 |
Импортные чип 0805 |
С3,С4,С5 |
Конденсатор 1 мкФ X7R, 10%, 0805, 25В |
3 |
Импортные чип 0805 |
C6 |
Конденсатор 1 мкФ X7R, 10%, 0805, 25В |
1 |
Импортные чип 0805 |
C7,C8,С10 |
Конденсатор 1 мкФ X7R, 10%, 0805, 25В |
3 |
Импортные чип 0805 |
С9,11 |
Конденсатор К10-50-Н90-12н (-20+80)% |
1 |
Импортные чип 0805 |
С11,С13 |
Конденсатор 1 мкФ X7R, 10%, 0805, 25В |
2 |
Импортные чип 0805 |
VT1, VT2 |
Транзистор IRF2807 |
1 |
|
Х1,Х2,Х5,X6 |
Разьем СВЧ СР50-727ФВ |
4 |
|
Х3,X4,X7 |
Разьем СВЧ СР-50-275С |
3 |
|
DD1 |
КР1561ГГ1 |
1 |
|
DD2,DD3 |
К1554ЛА3 |
2 |
|
VD1 |
STD-HL-5мм |
1 |
|
VD2, VD3 |
UTF400X |
2 |
|