
*Физические основы микроэлектроники; Электроника; Флеров А.Н, 2015.
Лекция 6, тезисы
Полупроводниковые диоды
Типы диодов: диоды бывают:
- электровакуумные (кенотроны),
- газонаполненные (газотроны, игнитроны, стабилитроны),
- полупроводниковые.
В настоящее время в подавляющем большинстве случаев применяются полупроводниковые диоды.
Полупроводниковый диод - это полупроводниковый прибор с двумя выводами, содержащий один p-n переход.
Рис. 6.1 Полупроводниковый диод (схема) и условное графическое обозначение (УГО) диода
Наибольшее применение получили кремниевые (Si -99% всего парка диодов) силовые, импульсные и пр., арсенид галлиевые (GaAs) - СВЧ диоды, перспективные - карбид кремниевые (SiC), нитрид галлиевые (GaN), InGaN, AlGaN - СВЧ диоды, светодиоды (InP, PbS), реже применяются германиевые (Ge) полупроводниковые диоды.
Односторонняя проводимость p-n перехода наглядно иллюстрируется его вольтамперной характеристикой (ВАХ), показывающей зависимость тока через p-n-переход от величины и полярности приложенного напряжения
Рис. 6.2 п/п диоды, конструкции (масштаб не выдержан)
Классификация диодов
- по физике работы - туннельный, лавинно-пролетный, с барьером Шоттки, с накоплением заряда, светодиод и проч.
- от способа получения p-n переходов полупроводниковые диоды делятся (по виду перехода) на два типа: точечные и плоскостные.
- от технологии изготовления p-n перехода диоды делятся на точечные, микросплавные, сплавные, диффузионные, эпитаксиальные.
Точечныйдиод это диод с очень малой площадью электрического перехода.
В
точечном диоде с пластинкой кремния
или германия (например, n-типа)
соприкасается заостренная металлическая
проволочка, образующая выпрямляющий
переход в месте контакта (рис. 6.1).
Для создания стабильного выпрямляющего контакта при изготовлении точечного диода с пластинкой соприкасается заостренная металлическая игла имеющую на конце примесь индия или алюминия.
В результате термодиффузии (подача сильных импульсов тока ) в кристалле п/п образуется слой р- типа.
Рис. 6.1 Вариант конструкции
точечного диода
Микросплавной диод занимают промежуточное положение между плоскостными и точечными. Микросплавные диоды, имеющие также малую площадь перехода.
При изготовлении микросплавного диода p-n переход формируется, например, путем микровплавления в кристалл (например Ge) тонкой золотой проволочки с присадкой
галлия на конце.
Диоды с микросплавными переходами выгодно отличаются от точечных лучшей стабильностью параметров, но емкость перехода у них больше и предельные частоты ниже, чем у точечных диодов.
Сплавной диод
При изготовлении сплавных диодов происходит вплавление примеси в кремний или в другой п/п.
Электронно-дырочные переходы сплавных диодов-резкие.
Рис. 6.2 Сплавной диод, строение и конструкция
Сплавной диод малой мощности — диод со средним значением выпрямленного тока не более 0,3 а. В середину пластинки кремния (Si) проводимостью n-типа (рис. 6.2.1) вплавлен цилиндрический столбик из алюминия (Аl). Атомы алюминия диффундирует (проникает) в пластинку, вследствие чего проводимость части объема пластинки вблизи столбика становится дырочной (р-типа). Между нею и остальным объемом пластинки образуется р-n переход с хорошей проводимостью от алюминия к кремнию.
Конструкции сплавного диода – на рис. 6.2.3.
Аналогичную конструкцию имеет германиевый выпрямительный сплавной диод малой мощности, только в германиевую пластинку вплавлен индий.
Сплавной диод средней мощности — диод со средним значением выпрямленного тока от 0,3 до 10 а. Между пластинками кремния n-типа и p-типа прокладывают алюминиевую фольгу и нагревают. Алюминий сплавляется с кремнием и внутри получившейся монолитной пластинки образуется р-n переход (рис. 6.2.2).
Такая конструкция показана на (рис.6.2.4)