
- •Биполярные транзисторы
- •1. Устройство транзистора
- •1.1. Режимы работы и схемы включения транзистора
- •1.2. Принцип действия транзистора
- •1.3. Объёмное сопротивление базы транзистора
- •1.4. Модуляция ширины базы транзистора
- •1.5. Коэффициенты передачи тока в схемах об и оэ
- •1.6. Статические характеристики транзисторов
- •1.7. Транзистор как линейный четырехполюсник
- •1.8. Эквивалентные схемы транзистора в линейном режиме
- •1.9. Работа транзистора с нагрузкой
- •1.10. Работа транзистора на высоких частотах
- •1.11. Работа транзистора в импульсном режиме
- •1.12. Составной транзистор
- •2. Практическое выполнение работы
- •2.1. Порядок выполнения работы
- •2.1.1. Исследование транзистора включенного по схеме об
- •2.1.2. Исследование транзистора включенного по схеме оэ
- •2.2. Оформление отчета по лабораторной работе
- •2.3. Контрольные вопросы
- •424001 Йошкар-Ола, пл. Ленина,3
2. Практическое выполнение работы
В процессе выполнения лабораторной работы студентам необходимо получить реальные входные и выходные вольт-амперные характеристики исследуемых биполярных транзисторов p-n-p типа, выполнить расчеты H-параметров для транзистора включенного по схемам с общей базой и общим эмиттером. Сделать выводы по результатам.
Работа выполняется на специализированном стенде «Луч» со съемными схемными панелями и исследуемыми элементами.
Перед началом работы студентам необходимо ознакомиться с основными характеристиками и параметрами, схемами включения и режимами работы биполярных транзисторов приведенных в методических указаниях.
2.1. Порядок выполнения работы
2.1.1. Исследование транзистора включенного по схеме об
Для исследования установить измерительную панель № 5. В качестве исследуемого элемента используется германиевый биполярный транзистор p-n-p типа МП40.
2.1.1.а Входные характеристики IЭ = f(UЭБ)
Собрать схему измерений, представленную на рис. 26.
В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы:
− ГТ − генератор (источник) тока;
− РА 1 (IЭ) − амперметр АВМ 1 с пределами измерения от 0.5 мА до 10 мА;
− РU 1 (UЭБ)− вольтметр АВМ 2 с пределом измерения 0.5 В;
− ГН 2 − генератор (источник) напряжения;
− PU 2 (UКБ) − вольтметр ИВ (индикатор выхода) с пределом измерения 25 В.
Выполнить измерения для построения трех характеристик при UКБ = 0, -5, -10(В).
Измерения выполнять, изменяя напряжение UЭБ от 0 до 0.3(В) с шагом 0.05(В).
VT1
Рис.26
2.1.1.б. Выходные характеристики IК = f(UКБ)
Собрать схему измерений, представленную на рис. 27.
В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы:
− ГТ − генератор (источник) тока;
− РА 1 (IЭ) − амперметр АВМ 1 с пределом измерения 10 мА;
− РА 2 (IК)− амперметр АВМ 2 с пределом измерения 10 мА;
− ГН 2 − генератор (источник) напряжения;
− PU 2 (UКБ) − вольтметр ИВ (индикатор выхода) с пределом измерения 25 В.
VT1
Рис. 27
Выполнить измерения для построения трех характеристик при IЭ = 2.5, 5, 7.5 (мА).
Измерения выполнять, изменяя напряжение UКБ от 0 до 10(В) с шагом 1(В). Так как транзистор при измерениях находится в активном состоянии, то линейные изменения UКБ в указанных пределах могут быть затруднены. В этом случае конкретные значения напряжения для измерения лучше выбирать самостоятельно, как получается.
2.1.2. Исследование транзистора включенного по схеме оэ
Для исследования установить измерительную панель № 6. В качестве исследуемого элемента используется германиевый биполярный транзистор p-n-p типа МП40, при установке которого проверьте цоколевку.
2.1.2.а. Входные характеристики IБ = f(UБЭ)
Собрать схему измерений, представленную на рис. 28.
В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы:
− ГТ − генератор (источник) тока;
− РА 1 (IБ) − амперметр АВМ 1 с пределами измерения от 0.5 мА до 10 мА;
− РU 1 (UБЭ)− вольтметр АВМ 2 с пределом измерения 0.5 В;
− ГН 2 − генератор (источник) напряжения;
− PU 2 (UКЭ) − вольтметр ИВ (индикатор выхода) с пределом измерения 25 В.
Выполнить измерения для построения трех характеристик при UКЭ= 0, -2.5, -5(В).
Измерения выполнять, изменяя напряжение UБЭ от 0 до 0.3(В) с шагом 0.05(В).
Если в процессе увеличения напряжения UБЭ начнутся изменения напряжения UКЭ,
измерения заканчивают на этом значении.
VT1
Рис. 28
2.1.2.б. Выходные характеристики IК = f(UКЭ)
Собрать схему измерений, представленную на рис. 29.
В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы:
− ГТ − генератор (источник) тока;
− РА 1 (IБ) − амперметр АВМ 1 с пределом измерения 0.5 мА;
− РА 2 (IК)− амперметр АВМ 2 с пределом измерения 10 мА;
− ГН 2 − генератор (источник) напряжения;
− PU 2 (UКЭ) − вольтметр ИВ (индикатор выхода) с пределом измерения 25 В.
VT1
+ ─
Рис. 29
Выполнить измерения для построения трех выходных характеристик при IБ = 50, 100, 150 мкА. Измерения выполнять, изменяя напряжение UКЭ от 0 до 10(В) с шагом 1(В). Так как транзистор при измерениях находится в активном состоянии, то линейные изменения UКЭ в указанных пределах могут быть затруднены. В этом случае конкретные значения напряжения для измерения лучше выбирать самостоятельно, как получается.