Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
61
Добавлен:
27.04.2015
Размер:
1.64 Mб
Скачать

2. Практическое выполнение работы

В процессе выполнения лабораторной работы студентам необходимо получить реальные входные и выходные вольт-амперные характеристики исследуемых биполярных транзисторов p-n-p типа, выполнить расчеты H-параметров для транзистора включенного по схемам с общей базой и общим эмиттером. Сделать выводы по результатам.

Работа выполняется на специализированном стенде «Луч» со съемными схемными панелями и исследуемыми элементами.

Перед началом работы студентам необходимо ознакомиться с основными характеристиками и параметрами, схемами включения и режимами работы биполярных транзисторов приведенных в методических указаниях.

2.1. Порядок выполнения работы

2.1.1. Исследование транзистора включенного по схеме об

Для исследования установить измерительную панель № 5. В качестве исследуемого элемента используется германиевый биполярный транзистор p-n-p типа МП40.

2.1.1.а Входные характеристики IЭ = f(UЭБ)

Собрать схему измерений, представленную на рис. 26.

В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы:

− ГТ − генератор (источник) тока;

− РА 1 (IЭ) − амперметр АВМ 1 с пределами измерения от 0.5 мА до 10 мА;

− РU 1 (UЭБ)− вольтметр АВМ 2 с пределом измерения 0.5 В;

− ГН 2 − генератор (источник) напряжения;

− PU 2 (UКБ) − вольтметр ИВ (индикатор выхода) с пределом измерения 25 В.

Выполнить измерения для построения трех характеристик при UКБ = 0, -5, -10(В).

Измерения выполнять, изменяя напряжение UЭБ от 0 до 0.3(В) с шагом 0.05(В).

VT1

Рис.26

2.1.1.б. Выходные характеристики IК = f(UКБ)

Собрать схему измерений, представленную на рис. 27.

В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы:

− ГТ − генератор (источник) тока;

− РА 1 (IЭ) − амперметр АВМ 1 с пределом измерения 10 мА;

− РА 2 (IК)− амперметр АВМ 2 с пределом измерения 10 мА;

− ГН 2 − генератор (источник) напряжения;

− PU 2 (UКБ) − вольтметр ИВ (индикатор выхода) с пределом измерения 25 В.

VT1

Рис. 27

Выполнить измерения для построения трех характеристик при IЭ = 2.5, 5, 7.5 (мА).

Измерения выполнять, изменяя напряжение UКБ от 0 до 10(В) с шагом 1(В). Так как транзистор при измерениях находится в активном состоянии, то линейные изменения UКБ в указанных пределах могут быть затруднены. В этом случае конкретные значения напряжения для измерения лучше выбирать самостоятельно, как получается.

2.1.2. Исследование транзистора включенного по схеме оэ

Для исследования установить измерительную панель № 6. В качестве исследуемого элемента используется германиевый биполярный транзистор p-n-p типа МП40, при установке которого проверьте цоколевку.

2.1.2.а. Входные характеристики IБ = f(UБЭ)

Собрать схему измерений, представленную на рис. 28.

В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы:

− ГТ − генератор (источник) тока;

− РА 1 (IБ) − амперметр АВМ 1 с пределами измерения от 0.5 мА до 10 мА;

− РU 1 (UБЭ)− вольтметр АВМ 2 с пределом измерения 0.5 В;

− ГН 2 − генератор (источник) напряжения;

− PU 2 (UКЭ) − вольтметр ИВ (индикатор выхода) с пределом измерения 25 В.

Выполнить измерения для построения трех характеристик при UКЭ= 0, -2.5, -5(В).

Измерения выполнять, изменяя напряжение UБЭ от 0 до 0.3(В) с шагом 0.05(В).

Если в процессе увеличения напряжения UБЭ начнутся изменения напряжения UКЭ,

измерения заканчивают на этом значении.

VT1

Рис. 28

2.1.2.б. Выходные характеристики IК = f(UКЭ)

Собрать схему измерений, представленную на рис. 29.

В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы:

− ГТ − генератор (источник) тока;

− РА 1 (IБ) − амперметр АВМ 1 с пределом измерения 0.5 мА;

− РА 2 (IК)− амперметр АВМ 2 с пределом измерения 10 мА;

− ГН 2 − генератор (источник) напряжения;

− PU 2 (UКЭ) − вольтметр ИВ (индикатор выхода) с пределом измерения 25 В.

VT1

+

Рис. 29

Выполнить измерения для построения трех выходных характеристик при IБ = 50, 100, 150 мкА. Измерения выполнять, изменяя напряжение UКЭ от 0 до 10(В) с шагом 1(В). Так как транзистор при измерениях находится в активном состоянии, то линейные изменения UКЭ в указанных пределах могут быть затруднены. В этом случае конкретные значения напряжения для измерения лучше выбирать самостоятельно, как получается.

Соседние файлы в папке ЛАБОРАТОРНЫЕ