Проверка на короткоканальность

При расчёте МДП-ранзистора необходимо проверить его на короткоканальность.

Дано:

L>L_min ,исследуемый транзистор можно считать длинноканальным.

- 7 -

Пороговое напряжение.

Проводимость инверсного канала модулируется при изменении потенциала затвора. Напряжение на затворе, при котором образуется канал, называется пороговым напряжением U₀.Для исследуемого транзистора:

Дано:

- 8 -

Расчёт выходной ВАХ с учётом эффекта модуляции длины канала.

Эффект модуляции длины канала.

Эффект модуляции длины канала имеет место в случае когда напряжение на стоке превышает напряжение стока насыщения, при увеличении напряжения на стоке длина канала уменьшается.

Дано:

- 9 -

Расчет выходной ВАХ.

Дано:

Крутая область ВАХ:

Пологая область ВАХ:

- 10 -

Таблицы для построения выходных Вах:

1. Uз=3 B

Uст,B	0,5	1	1,5	2	4	8
Jc,мA	1,5	2,5	2,9	3,1	3.8	4,9

2. Uз=4 B

Uст,B	0,5	1	1,5	2	4	8
Jc,мA	2,7	4,8	6,3	7,3	9,2	10

3. Uз=5 B

Uст,B	0,5	1	1,5	2	4	8
Jc,A	3,8	6,8	9,6	12	14,4	16

- 11 -

Малосигнальные параметры.

Крутизна:

Дифференциальное сопротивление:

Статистический коэффициент усиления:

Граничная частота усиления:

Сопротивление канала в начале координат

- 12 -

Влияние напряжения смещения подложки.

Проводимостью канала,а следовательно, и током стока можно управлять также напряжением смещения подложки. С изменением смещения на подложке изменяется ширина p-n перехода, что приводит к расширению или сужению канала и к изменению тока стока.При фиксированных напряжениях на остальных электродах повышение обратного напряжения, приложенного к подложке, приводит к уменьшению тока стока.

Эквивалентная схема замещения.

Дано:

C

Cзс

Rd

Сзи

Uз

З

SUз

Rk

Cсп

И

- 13 -

Напряжения пробоя.

Дано:

Сток-подложка:

Затвор-канал:

- 14 -

Выводы.

Выходные характеристики МДП-транзистора имеют крутую и пологую области. В пологой области ток стока слабо зависит от напряжения сток-исток.

Идеализированная модель позволяет получать ВАХ транзистора в крутой области в простой аналитической форме. В пологой области в рамках модели ток стока не зависит от напряжения сток –исток.

В рамках идеализированной модели ВАХ транзистора не зависят в явной форме от напряжения подложка – исток. Эта зависимость проявляется только через пороговое напряжение.

Электрические свойства МДП-транзистора характеризуются крутизной, входной переводимостью и собственным коэффициентом усиления по напряжению.

Усилительные свойства МДП-транзистора возрастают с уменьшением длинны канала и увеличением удельной емкости подзатворного диэлектрика.

- 15 -