10

КУРСОВОЙ ПРЕКТ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Организация кп

КП состоит из 2 частей:

1). Расчет электрических характеристик интегрального МДП транзистора.

2). Расчет электрических характеристик интегрального БТ.

В пояснительных записках должны быть:

- расшифровка всех вводимых обозначений; - пояснения ко всем формулам;

- аккуратно выполненные рисунки и графики; - чертежи топологии приборов;

- краткая маршрутная карта.

I. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального п-канального мдп транзистора

ЛИТЕРАТУРА

1. Старосельский В.И. Физика МДП транзисторов. М.: МИЭТ, 1993.

2. Старосельский В.И. Физика р-п переходов и полупроводниковых диодов. М.: МИЭТ, 1993.

3. Баринов В.В., Онацко В., Шишина Л.Ю. Основы топологического проектирования ИМС. — под ред. В.Онацко. М.: МИЭТ, 1994.

Задание

1. При заданных исходных данных обеспечить пороговое напряжение +1 В.

2. Рассчитать и построить выходные характеристики при =0 в диапазоне напряжений

0 — 5 В;

=0 — 5 В (шаг 1 В) — в приближении идеализированной модели,

=4 В — реальная ВАХ.

3. Привести малосигнальную эквивалентную схему и объяснить смысл ее элементов.

Факультативно:

4. Расчет и корректировку U_ПОР проводить с учетом эффектов короткого и узкого канала.

5. В дополнение к п.2 построить реальную выходную ВАХ для = 4 В,= -2 В.

6. Рассчитать параметры эквивалентной схемы в режиме =4 В,= 0.

Исходные данные

1. Материал затвора Si^*.

2. Длина канала, мкм L = 5.

3. Ширина канала, мкм W = 5 .

4. Толщина подзатворного диэлектрика (SiO₂), мкм d = 0,1 мкм.

5. Концентрация примеси в подложке, см^-3 = 10¹⁵.

6. Подвижность электронов в канале, см²/В.с _n = 700.

7. Плотность поверхностных состояний, см^-2 =10¹¹ (Q_ss > 0).

8. Концентрация примеси в контактных п⁺- слоях, см^-3 = 10²⁰.

9. Толщина контактных п⁺-слоев, мкм 1

L_S = L_D = 0,5 мкм; L_C = 3 мкм;

Варианты исходных данных (экт-44)

№	L	W	d	NП	n	NSS	N+	xj	Студент
4-1	3	10	0,1	2.1015	500	3.1010	1020	0,3	Бархударов А.В.
4-2	4	20	0,05	1.1016	700	5.1010	1020	0,6	Белов А.В.
4-3	5	30	0,03	3.1015	800	7.1010	1020	1	Берников Д.Б.
4-4	2	50	0,07	4.1015	400	4.1010	1020	0,5	Бобриков С.А.
4-5	3	10	0,04	2.1015	500	6.1010	1020	0,5	Буриличев А.Е.
4-6	4	20	0,1	5.1015	750	1.1011	1020	0,3	Гуминов Н.В.
4-7	3	30	0,05	2.1015	600	3.1010	1020	0,6	Дедуль А.И.
4-8	2	50	0,07	3.1015	500	7.1010	1020	0,5	Иосько К.В.
4-9	3	10	0,05	1.1016	600	5.1010	1020	0,3	Карев И.А.
4-10	4	20	0,08	2.1015	750	6.1010	1020	0,6	Колпаков С.А.
4-11	2	30	0,04	1.1016	400	3.1010	1020	0,5	Кондратюк Р.И.
4-12	3	50	0,1	4.1015	500	7.1010	1020	0,3	Куницын А.В.
4-13	3	10	0,03	1.1016	600	6.1010	1020	0,6	Курников Е.Н.
4-14	4	20	0,06	3.1015	400	5.1010	1020	0,5	Моторин Д.А.
4-15	5	30	0,04	1.1015	750	3.1010	1020	0,8	Мустафин Р.А.
4-16	3	50	0,08	2.1015	500	7.1010	1020	0,4	Полуянов Д.Б.
4-17	3	10	0,05	3.1015	600	5.1010	1020	0,5	Полякова В.В.
4-18	4	20	0,05	4.1015	400	6.1010	1020	0,3	Потупчик А.Г.
4-19	2	30	0,06	1.1015	550	3.1010	1020	0,6	Романов Д.Н.
4-20	6	50	0,03	2.1016	600	7.1010	1020	0,4	Свиридова Е.А.
4-21	4	10	0,1	1.1016	750	5.1010	1020	0,5	Федосеев Ю.Е.
4-22	5	20	0,08	3.1015	400	6.1010	1020	0,8	Шемякин А.В.
4-23	3	30	0,04	4.1015	550	3.1010	1020	0,3	Широкова А.К.
4-24	4	30	0.05	7.1015	400	6.1010	1020	0,6	Щелыков Е.В.
4-25	5	30	0.06	3.1015	550	3.1010	1020	0,5	Тимошин С.А.

L_S = L_D = 0,5 мкм; L_C = 3 мкм;