Романова_1 / курсачи / Курсовик Романова / ПРИМЕР / 3 Введение

Введение и постановка задачи.

Целью курсового проекта является разработка конструкции интегральной микросхемы (ИМС) и технологического маршрута ее производства в соответствии с заданной в техническом задании схемой электрической принципиальной.

Последние годы развития микроэлектроники связанны с широким внедрением в производство больших и сверхбольших интегральных микросхем (БИС, СБИС), что обуславливает необходимость разработки новых технологических процессов и новых подходов при конструировании.

Технология интегральных микросхем представляет собой совокупность механических, физических, химических способов обработки различных материалов (полупроводников, диэлектриков, металлов), в итоге которой создается интегральная микросхема.

Интегральная микросхема – это конструктивно законченное изделие электронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования информации и содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в едином технологическом цикле.

По способу изготовления различают полупроводниковые и пленочные ИМС. В полупроводниковых ИМС все ЭРЭ и часть межсоединений сформированы в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. В пленочных ИМС пассивные ЭРЭ изготовлены в виде совокупности тонких (менее 1 мкм) или толстых (10- 50 мкм) пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку. Гибридные ИМС (ГИС) представляют собой комбинацию пленочных пассивных ЭРЭ с миниатюрными бескорпусными дискретными активными приборами (полупроводниковыми ИМС, транзисторами, диодами), расположенных на общей диэлектрической подложке.