Романова_1 / курсачи / Курсовик Романова / ПРИМЕР / 11 выбор и обоснование технологии изготовления

8. Выбор и обоснование технологии изготовления микросхемы.

Существует следующие методы создания пленочных элементов: масочный, фотолитографический, комбинированный, электронно-ионный и по танталовой технологии.

Наибольшее распространение получили два первых метода и их комбинации. Для изготовления данной схемы выберем масочный метод. Этот метод применяют в мелкосерийном и серийном производстве. Точность изготовления R и C элементов 10%.

Пассивные элементы в том числе межсоединения ГИС создаются распылением ионной бомбардировкой тонких пленок метала, сплавов, композиционных материалов и диэлектриков на диэлектрическую подложку. Необходимая конфигурация элементов и межслойных соединений обеспечивается путем напыления пленок на подложку через маску

8.1. Технологическая инструкция изготовления ГИС.

Последовательность операций изготовление ГИС.

1. Обработка поверхности подложки полированием до 14 класса шероховатости. Материал подложки ситалл СТ 50–1

2. Напыление пленок пассивных элементов. Все последующие процессы напыления производятся с использованием специальных масок, для каждого процесса используется своя маска. В качестве материала съемной маски используют ленту бериллиевой бронзы толщиной 0,1 мм, покрытую слоем никеля толщиной 10 мкм. Для напыления пленок используется установка УВН–2М–1.

2.1 Напыление резисторов через маски:

2.1.1 Материал резистора сплав РС-3710;

2.1.2 Материал резистора сплав Кермет К-50С.

2.3 Напыление проводников и контактных площадок через маски:

2.3.1 Напыление подслоя нихрома толщиной 0,01мкм;

2.3.2 Напыление слоя меди толщиной 0,6 мкм;

2.3.3 Напыление покрытия серебром толщиной 0,05 мкм.

2.4 Нанесение моноокиси кремния - диэлектрик.

3. Монтаж навесных транзисторов.

3.1 Транзисторы крепятся на плате с помощью клея Д-9 ОСТ 4ГО.029.004.

3.2 Внешние выводы транзисторов соединяются с контактными площадками платы путем термокомпрессии.

4 Герметизация.

4.1 Плата приклеивается к основанию корпуса клеем марки Д–9.

4.2 Соединение внешних контактных площадок платы с выводами корпуса осуществляется методом термокомпрессии.

4.3 Герметизация корпуса осуществляется аргонно - дуговой сваркой.

Требования безопасности.

К работе с приборами допускаются лица, прошедшие инструктаж по технике безопасности и имеющие квалификацию не ниже 2 группы по электробезопасности

Перед началом работы необходимо внимательно изучить инструцию по работе с прибором УВН–2М-1

Материалы.

1. Ситалл СТ 50–1 НТХ О.027.029

2. Нихром х20н30 ГОСТ 8103-58

3. Медь МВ ТУ 0.21.040-72

4. Серебро Ср999,9 ГОСТ 6835-56

5. Моноокись кремния бКО.028.004 ТУ

6. Клей Д-9 ОСТ 4ГО.029 004

7. Комплект масок для напыления слоев ГИС

Оборудование.

Оборудование и технологическое оснащение процесса распыления ионной бомбардировкой производится на многопозиционной установке УВН-2М-1.