МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

Кафедра

Телекоммуникационные системы

ПРОВЕРИЛ: ________________Ю. В. Круглов «____» ________________ 2002 г.

ОТЧЁТ

О КУРСОВОЙ РАБОТЕ:

Двухкаскадный ИТУН с входом на N-канальных транзисторах.

Выполнил __Антонов Дмитрий Сергеевич__ ст. гр. МП-39

Москва 2002

Двухкаскадный ИТУН с входом на N–канальных транзисторах.

(Микромощная схема).

Цель проекта - разработка наиболее быстродействующего усилителя заданной архитектуры для заданного тока потребления (наибольшая частота единичного усиления и наибольшая скорость изменения выходного напряжения в режиме большого сигнала).

Наименование заданного параметра	Численное значение
Напряжение питания	5 В
Суммарный ток потребления	Не более 100 мкА
Дифференциальный частотный коэффициент усиления	Не менее 10000 при ёмкостной нагрузке
Запас фазы	Не менее 60 градусов
Ёмкость конденсатора нагрузки	5 пФ
Превышение над порогом для транзисторов P1,P2,P3,N3,N4	180 мВ
Величина внешнего опорного тока	10 мкА
Длина затвора при ширине W не менее 2мкм	0.8 мкм
Длина области перекрытия затвором диффузионной области истока или стока, LD	N most 0.542e-07 P most 0.1e-07
Подвижность носителей в инверсном слое канала,	N most 485.3е-04 P most 134.3е-04
Параметр модуляции длины канала () для всех транзисторов	0.1
Толщина подзатворного окисла, tox	1.8e-08
Удельная ёмкость донной части p-n перехода сток (исток)-подложка на единицу площади при нулевом смещении, CJ	N most 7.0e-04 P most 6.0e-04
Удельная ёмкость боковой поверхности p-n перехода сток (исток)-подложка на единицу длины периметра при нулевом смещении, CJSW	N most 3.5e-10 P most 4.0e-10
Растояние от затвора до контакта к стоку (истоку), А1	0.8 мкм
Размер стороны контактного окна, А2	0.8 мкм
Расстояние от толстого окисла до контакта, А4	0.6 мкм

Электрическая схема.

Формулы, использующиеся для расчётов.

=> , а так как мы принимаем , то

(1) ; (2) ; (3) ;

(4) ; (5) ; (6) ;

(7) ; первый неосновной полюс зависит от параметров узла С, а второй – узла А (8) ;

(9) ; (10) ; (11) ; (12) ;

(13) ;

(14) ;

(15) ;

Расчёт схемы.

По группе формул (1): Далее подсчитываем ширины по (2) :

После подсчёта с такими ширинами коэффициента усиления, он оказался недостаточным. Для повышения коэффициента усиления увеличим ширины транзисторов N1, N2 в 4 раза, схема при этом остаётся работоспособной.

Затем по формуле (3) : Учитывая (6) : Дальше, зная (5), считаем по формулам (4): Ёмкости подсчитываем по формулам (7,15):

По формулам (8,9,10,11,12):

По формуле (14):

5