Московский Государственный Институт

Электронной Техники (ТУ)

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ

По курсу «Схемотехника»

Тема: “Двухкаскадный ИТУН с входом на Р-канальных транзисторах. ”

Выполнил: Кремнев В.В., гр. МП-39

Проверил:

ЦЕЛЬ ПРОЕКТА -- РАЗРАБОТКА НАИБОЛЕЕ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ ЗАДАННОЙ АРХИТЕКТУРЫ ДЛЯ ЗАДАННОГО ТОКА ПОТРЕБЛЕНИЯ

(наибольшая частота единичного усиления и наибольшая скорость изменения выходного напряжения в режиме большого сигнала)

Vdda=5 V.

СУММАРНЫЙ ТОК ПОТРЕБЛЕНИЯ - НЕ БОЛЕЕ 100 мА.

Дифференциальный низкочастотный коэффициент усиления - не менее 10000 при емкостной нагрузке.

Запас фазы - не менее 60°.

Емкость конденсатора нагрузки - 5 пФ.

Число, выражающее превышение над порогом (V_GS - V_T) в милливольтах

должно быть не меньше толщины подзатворного окисла tox в ангстремах.

Величина внешнего режимного тока: 10 мкА.

Нарисовать (аккуратно!!!) схему усилителя вместе со всеми необходимыми для него цепями постоянных смещений.

Рассчитать (по модели ang08Levell для 0.8 мкм технологии) параметры

всех транзисторов (W, L, т, а так же все паразитные площади, периметры

и соответствующие паразитные емкости). Априори предполагается, что в

инженерном эскизном расчет областей стоков и истоков не влияют на характеристики;

Двухкаскадный ИТУН с входом на Р–канальных транзисторах.

(Микромощная схема).

Используемые константы:

 = 4.853е-2 [²/Bc], L_D=5.42e-8 [M] – для n-канальных транзисторов;

 = 1.343е-2 [²/Bc], L_D=1.0e-8 [M] – для p-канальных транзисторов;

С₀ = 1.889е-3 [Ф/M²];

C_c = C_н = 5e-12 [Ф];

L = 8e-7 [M];

U_зи = 180у-3 [В];

 = 0.1 [1/В].

Формулы, использующиеся для расчётов.

=> , но =>

(1);

(2);

(3);

(4);

(5);

(6);

(7);

первый неосновной полюс зависит от параметров узла С, а второй – узла А (8);

(9); (10); (11); (12);

(13);

(14) .

(15);

Расчёт схемы.

По группе формул (1): Далее подсчитываем ширины по (2) {но при этих значениях коэффициент усиления оказался недостаточным, поэтому ширины входных транзисторов увеличим в 4 раза с целью увеличения коэффициента усиления} и получаем следующие значения ширин каналов транзисторов:

Затем по формуле (3): Учитывая (6): Дальше, зная (5), считаем по формулам (4): Ёмкости подсчитываем по формулам (7):

По формулам (8,9,10,11,12):

По формуле (14):

5