Соображения по топологии мощных схем

В ИС мощные транзисторы представляют собой набор базовых библиотечных транзисторов.

В мощных ИС мощные выходные транзисторы являются определяющими элементами.

При больших токах, инжекция носителей происходит главным образом по краям эмиттерной области.

Для увеличения периферийной части эмиттера используют эмиттерные и базовые области гребёнчатой формы.

При проектировании гребёнчатой эмиттерной области, необходимо учитывать падение напряжения на Ме-соединительных полосках, т.к. ВАХ эмиттерно-базовых переходов имеют экспоненциальных характер, плотность инжектируемого эмиттерного тока уменьшается в 2 раза на каждые 18 мВ падения напряжения на проводниках, соединяющих выступы эмиттерной области. С целью предохранения мощных транзисторов от перехода в режим вторичного пробоя, необходимо использовать небольшие токопроводящие или балластные резисторы, которые включаются последовательно с каждой из областей эмиттера, для устранения локального нагрева или образования горячих точек из-за неравномерности распределения тока по площади эмиттерно-базового перехода; т.к. переход «база-эмиттер» имеет распределённый характер. Такие резисторы можно ввести в схему как распределённые резисторы, выполненные в виде объёмного сопротивления диффузионной эмиттерной области. Это достигается отступом между Ме-контактом эмиттера и периферийно активной областью эмиттера.

Если в 1й из периферийных точек эмиттера появляется тенденция к протеканию более сильного тока, и, следовательно, появляется возможность локального нагрева этой точки, то падение напряжения на балластном резисторе будет уменьшать смещение на этом участке эмиттера и выравнивать распределение тока.