Навесные компоненты гис

В ГИС применяются как активные,так ипассивныенавесные компоненты. В качествеактивных навесных компонентовГИС приме­няют бескорпусные диоды и диодные матрицы, корпусные диоды и транзисторы в миниатюрном исполнении, бескорпусные полупровод­никовые микросхемы и кристаллы; в качествепассивных навесных компонентов -конденсаторы, наборы прецизионных конденсаторов и резисторов, выполненных на отдельных платах, трансформаторы.

Способ монтажа дискретного компонента на подложку ГИС должен обеспечивать отвод теплоты, сохранение целостности ГИС при термоциклировании, стойкость к вибрациям и ударам, отсутствие загрязнений, возможность последующей сборки и герметизации мик­росхемы.

Для крепления к подложке компонентов с гибкими и балочными выводами используют термостойкие клеи. Толщина клеевого соедине­ния 0,05 - 0,1мм. Компоненты с металлизированными основаниями можно прикрепить к подложке с помощью припоя или эвтектических сплавов.

Соединение выводов навесных компонентов с контактными площадками микросхемы, а также контактных площадок с выводами корпуса осуществляют сваркой (термокомпрессией, ультразвуковой и др. ),а также пайкой низкотемпературными припоями.

Сборка микросхемы в корпус

После резки подложки на отдельные платы, последующей при­клейки платы к основанию корпуса специальной пленкой или клеем и монтажа дискретных компонентов проводится герметизация ГИС. Герметизация предусматривает окончательную защиту ГИС от клима­тических и механических воздействий, оговоренных техническими условиями на микросхему или аппаратуру. Этим определяется выбор конструкции корпуса и технологии его герметизации. Для тонкопле-ночных ГИС обычно используют металлостеклянные и металлополи-мерные корпуса. В первом случае герметизация проводится с по­мощью сварки, а во втором - заливкой компаундом.

Описание лабораторного макета

Лабораторный макет состоит из лупы и двух кассет. В кассетах содержатся: 1-я кассета: изделие 1 - набор образцов после различных операций техпроцесса создания однослойной тонкопленочной ГИС;

2-я кассета: изделие 2 - набор образцов изготовления ГИС на полии-мидном носителе и изделие 3 - набор образцов после различных опе­раций техпроцесса изготовления титалановой подложки ГИС.

Лабораторное задание.

Домашняя работа:

Ознакомиться с описанием лабораторной работы;

Подготовить 3 экземпляра формы таблицы 1 и 1 экз. формы табл. 2 для записи результатов (см. приложение 1);

Выполнить пункты 1-3 требования к отчету;

Подготовиться к ответам на контрольные вопросы.

Работа в лаборатории:

1.Изучить последовательность операций изготовления тонко-пленочных ГИС;

2.Измерить сопротивления резисторов изделия 1;

3.Ознакомиться с перечнем оборудования и материалов в произ­водстве ГИС.

Порядок выполнения работы

Внимание!

Пластины с образцами очень хрупки. После рассмотрения пластин сразу же ставьте их в кассету.

О замеченных дефектах образцов сразу же сообщайте преподавателю.

1.Ознакомьтесь с описанием техпроцесса и маршрутной картой изготовления изделия 1,приведенными в приложении 2.

2.0пределите наименование операций, выполненых для изде­лия 1.

3.Укажите характерные признаки каждой операции.

4.Укажите явные и возможные виды и причины брака каждой операции.

Результаты выполнения работы занесите в форму табл. 1(При­ложение 1),в которой наименования операций и их номера запишите в соответствии и в последовательности их расположения в маршрутной карте.

5.В соответствии с вариантом задания нужно измерить: сопро­тивления резисторов Кз и R9до и после подгонки изделия 1,принци­пиальная электрическая схема которого представлена в приложении 2.

Результаты измерений занесите в форму табл. 2 (приложение 1).

6.Повторите пп. 1-4для изделий 2и 3.Результаты занесите в формы табл. 1аналогично с изделием 1.