Усилитель мощности нч на основе оу.
Техническое задание:
1.Рассчитать УНЧ по постоянному и переменному току.
2.Определить ожидаемую выходную мощность.
3. Выбрать элементы схемы.
Нам дано:
Напряжение питания, Uп ±27 В
Сопротивление нагрузки, Rн 6 Oм
Входное сопротивление усилителя, Rвх 1000 КОм
Амплитуда входного напряжения усилителя, Uвх 250 мВ
Нижняя граничная частота, Fн 0.1 КГц
Верхняя граничная частота, Fв 18 КГц
Температура окружающей среды, град. C -20÷50
Разброс коэффициента усиления, Коу ±5 % Расчет усилителя мощности.
Методику расчета усилителя мощности низкой частоты рассмотрим на примере универсальной схемы.
Структура содержит предварительный
усилитель на микросхеме DA1
(интегральный операционный усилитель
с дифференциальным высокоомным входом,
с большим коэффициентом усиления). Далее
следует двухтактный «умощнитель»,
верхнее плечо (VT1-VT2-VT3-VT4)
которого отрабатывает положительные
полупериоды сигнала; нижнее плечо такой
же структуры, но с транзисторами
(VT5-VT6-VT7-VT8),
комплементарными верхним, активно в
основном в отрицательные полупериоды
(режим АВ). Оба плеча «умощнителя»
работают на общую нагрузку
.
Отсюда же снимается сигнал общей обратной
связи выход усилителя- инвертирующий
вход DA1 (цепочка
R12-C2-R11-C1),
определяющий важнейшие параметры
усилителя. Большую роль играют местные
обратные связи (R2/R6/R9;
R3/R7; R4/R8).
Усилитель питается от двуполярного
источника с заземленной средней точкой.
Операционный усилитель требуется
аналогичный и более низковольтный
источник питания (гасящие резисторы
R14, R15;
стабилитроны VD1, VD2).
Порядок расчёта.
Выходную мощность рассчитаем по формуле:
,
где
=
-5В,
=
27 – 5 = 22В
Амплитуда тока выходных транзисторов и нагрузки
![]()
Минимальная величина среднего тока,
потребляемого от источника питания в
каждом плече в режиме заданной выходной
мощности
:
.
Мощность, потребляемая от источника:
![]()
Максимальное напряжение питания
:
![]()
Следовательно, источник питания имеет относительно земли два плеча:
,
![]()
Запас по напряжению
=
-
= 27 – 22 = 5В согласуется с
=
+![]()
Мощность рассеяния на каждом из
транзисторов VT4 и VT8
в выходном каскаде при полной заданной
мощности в нагрузке
![]()
![]()
![]()
Из этой мощности на каждом из транзисторов VT4 и VT8 выделяется половина несколько меньшей мощности, т.к. часть её (до 5 %) поглощают эмиттерные резисторы
Выбор транзисторов выходного каскада VT4 и VT8 производится с учётом следующих условий:

Просматривая в справочнике эксплуатационные данные мощных транзисторов, видим что нашим предельным значениям могут удовлетворять лишь транзисторы КТ818В - КТ819В.
Выписываем остальные важные для нас параметры:
![]()
Uкэ min= Uкэ нас=2В (≤4В)
![]()
Tп max≤398К
Итак, для выходного каскада выбраны КТ818В в качестве VT4 и КТ819В - VТ8.
Далее оцениваем их начальный ток коллектора (эмиттера) с учетом
,
где
![]()
Выбираем с запасом
.
Находим величину резистора в эмиттере VT4 (VT8)
![]()
![]()
принимаем
.
Максимальная расчетная мощность резисторов
![]()
Выбор транзисторов VT3
(VT4) - зеркальных относительно
VT7(VT8)
некритичен, так как они используются в
диодном включении. Подойдут транзисторы
с допустимым током эмиттера в (3 - 5) раз
меньшим, чем у транзисторов VT4
(VT8), с минимальным рабочим
напряжением (и стоимостью соответственно).
Принимаем VT3 - КТ816А, VT7—
КТ817А. Мощность рассеяния на этих
транзисторах невелика, так как
,
выделяется тепло только на эмиттерном
переходе
![]()
Транзисторы VT3 (VT7) нужно размещать на радиаторе (используя изолирующую прокладку) вблизи транзисторов VT4 (VT8) из условий оптимальной работы токового зеркала VT3, VT4 и VT7, VT8 по температуре.
Для резистора R3 = R7 получим

![]()
![]()

Рекомендуется выбирать в статике
коэффициент зеркала К3 =
.
Чем он меньше, тем стабильнее зеркало,
но тем хуже коэффициент передачи. Для
R3 (и R7)
оценка:
![]()
Принимаем 13 Ом ± 5%. Максимальная мощность этого резистора рассчитывается после нахождения амплитуды тока эмиттера VT3 (VT7) при больших сигналах (динамика)
![]()
![]()
Амплитуда тока
транзистора VT2 (и VT6)
равна:
![]()
Мощность рассеяния транзисторов VT2 (VT6) оценивается по:
![]()
Рассчитаем сопротивление резистора R2 = R6.
Для этого следует задаться амплитудой
напряжения Umoy,
которая снимается с выхода ОУ.
Ограничиваем (с целью улучшения динамики
ОУ) эту амплитуду Umoy
не более 4
6
В. Универсальные ОУ имеют максимум
Umвых
по крайней мере с двойным запасом (10
12
В). Оцениваем последовательно: амплитуду
возбуждения баз выходных транзисторов
VT4 (VT8)
,
где
берём 0,7 ÷1В.
Задаваясь амплитудой выходного напряжения умощнителя Umвыхоу = 5В, оценим необходимые рабочие точки транзисторов VT2 и VT1. Находим амплитуду тока базы VT2.
Предположим, что
=40
![]()
Находим величину резистора RI (R5) из соображений обеспечения амплитуды при закрывании VT1 максимальной амплитудой Umвыхоу
![]()
С некоторым запасом (VT1 не должен закрываться до нуля) принимаем
R1 = R5 =2,2 кОм
± 5%. Мощность резистора
.
Берется резистор 1 Вт. Теперь можем найти
ток покоя транзистора VT1
![]()
![]()
В статике этот ток должен задавать
принятый нами ток
.
Следовательно, коэффициент передачи
первого зеркала
,
что и должно быть при выбранной схеме зеркала (с эмиттерными резисторами R2 (R6)). Сопротивление резистора,
![]()
Принимаем R2 = R6 = 5,6 Ом ± 5%; 0,125 Вт.
Уточняем необходимую амплитуду напряжения на входе умощнителя UmBx1
,
что вполне согласуется с оговоренной
величиной выходного напряжения ОУ
(10
12
В). Сопротивление резистора R9
= 1 Ом является стандартной величиной,
применяемой в RC - цепочке
(R9\C5)
коррекции усилителя методом «грубой
силы». Этот резистор (R9<<Rн)
дополнительно нагружает выход
умощнителя на нерабочих (f>>Fв)
высоких частотах, предотвращая возможность
достижения критической величины
усиления, достаточной для возбуждения
автоколебаний за полосой пропускания
на ВЧ. С этой же целью емкость конденсатора
С5 выбрана малой (0,1
1
мкФ) так что в рабочей полосе частот R9
еще не нагружает усилитель; нет снижения
кпд и повышения потребления тока на
верхних частотах.
Теперь можно рассчитать мощность рассеяния на коллекторе транзистора VT2 (VT6)
![]()
Итак, к транзисторам VT2 (VT6) предъявлены требования:
Таким условиям в рекомендованной группе отвечают транзисторы КТ815В(VТ2), КТ814В(VТ6). Транзисторы входного каскада умощнителя VT1 (VT5) работают в очень облегченном режиме: KT814A (VT1) и КТ815A (VT5). VT1 и VT2, как и VT5 с VT6, должны иметь хороший тепловой контакт (крепеж на общем радиаторе попарно).
Цепь главной обратной отрицательной связи
R12=R13=Rвх=1000кОм
![]()
![]()
![]()
Примем С1=2,7нФ, С2=5,1нФ.
Выбор типа операционного усилителя.
Требования к ОУ:
Высокий собственный коэффициент усиления
.
Малые входные токи
.
Напряжение смещения Uсм
< 10
15
мВ.
Частота единичного усиления
.
Скорость нарастания выходного напряжения
Uвыхоу
.
f1 и
рассчитываем по формулам:
f1= fт /(2÷3)=3МГц/(2÷3)=(1÷1,5)МГц
=2πFвUmH
=2·3,14·18кГц·22В=2,5 В/мкс
Остановим выбор на операционном усилителе К140УД1,со следующими основными параметрами:
- напряжение смещения нуля
- разность входных токов ОУ
-
входной ток ОУ
-
коэффициент усиления по напряжению
-
частота единичного усиления (
)
-
скорость изменения UвыхОУ
-
ток покоя ОУ.
Максимальный ожидаемый сдвиг нуля находим по формуле
![]()
Если
=0,
смещение
увеличиться:
![]()
Такое напряжение в нагрузке
вызовет
сдвиг токов покоя:
![]()
Т.к. расчетный ток каждого плеча выбран
с запасом (Iк нач =20мА),
относительная погрешность
удовлетворительна. При максимальной
амплитуде
и верхней частоте
=18кГц
![]()
По этому параметру имеется большой запас, так как от ОУ требуется всего лишь
![]()
![]()
Частота единичного усиления ОУ определяет усиление на верхней рабочей частоте
![]()
Оценим коэффициент гармоник усилителя
на Fв приняв, что за счет
применения симметричной схемы УМ и
компенсирующих искажения зеркал при
разомкнутой цепи общей ООС удалось
получить нелинейные искажения Кг10%.
ООС уменьшает нелинейность в
раз.
Рассчитав
,
при коэффициенте обратной связи
получим
,
следовательно, ожидаемый уровень
коэффициента гармоник с учетом ООС
,
что соответствует требованиям к
усилителям высокой верности воспроизведения.
На средних и низких частотах
падает до неизмеримо малых значений.
