Список используемых сокращений

БИС – Большая интегральная схема

БПТ – биполярный транзистор

ИК – инфракрасная (сушка)

ИМС – Интегральная микросхема

ИС – Интегральная схема

КДБ – Кремний дырочный легированный бором

КМДП – Комплиментарная МДП-структура

МДП – Металл диэлектрик полупроводник

МДПТ – МДП-транзистор

ПХТ – Плазмохимическое травление

СБИС – Сверхбольшая интегральная схема

ФСС (БСС) – Фосфоро(боро)силикатное стекло

ЭВМ – электронно-вычислительная машина

Литература

1. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. Коледов Л.А. Москва, «Радио и связь», 1989.

2. Технология и конструкции интегральных микросхем. Часть 1. Королёв М.А., Ревелева М.А. Москва, МИЭТ, 2000.

3. Лабораторный практикум по курсу «Технология интегральных полупроводниковых схем». Часть III. Москва, МИЭТ, 1987.

4. Курс лекций по дисциплине «Современные и перспективные

технологии СБИС». Шевяков В.И.

Московский Институт Электронной Техники

(Технический Университет)

Маршруты СБИС

Курсовой проект

Маршрут изготовления КМДП структур

Выполнил: студент группы ЭКТ-44

Гусев Д.М.

Проверил: преподаватель

Королёв М.А.

Москва

2002

Содержание

Содержание- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Список используемых сокращений- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

1 Введение- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

1. Структура и принцип действия МДП-транзистора- - - - - - - - - - - - - -

2. Структура КМДП инвертора- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

3. Достоинства и недостатки КМДП ИС- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

2 Маршрут изготовления КМДП структуры - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

3 Операция металлизации- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

1. Роль металлизации в полупроводниковых приборах и ИС. - - - - - - - - - - -

2. Выпрямляющие контакты. Электрофизические параметры контактов

и методы их определения.- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

3.4 Конструктивно-технологические особенности создания контактов Шотки в

составе ИС---------------------------------------------------------------------------------

5. Силициды как перспективные материалы контактов- - - - - - - - - - - - - - - - -

6. Особенности создания силицидных контактов Шотки в системах металлизации с алюминиевой разводкой------------------------- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

7. Омические контакты. Переходное сопротивление контактов и методы его определения-------------- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

8. Основные требования к параметрам омических контактов в составе ИС- - - - - -

9. Конструктивно-технологические особенности создания омических контактов- -

10. Технология «Salicide»

11. Заключение.

4. Заключение- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Литература- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -