Магниторезистивная оперативная память (MRAM – англ. magnetoresistive random- access memory)

•MRAM —это запоминающее устройство c произвольным доступом, которое хранит информацию в виде магнитных моментов, а не электрических зарядов

•Обладая всеми достоинствами Flash, MRAM превосходит ее по скорости записи и имеет неограниченное число циклов перезаписи

Битовые ячейки памяти MRAM

Основа ячейки –магн. туннельный переход

R < R

Направление магнитного вектора задается с помощью проводников