Устройство элементарной ячейки флэшпамяти
Отличие flash-памяти от EEPROM
EEPROM допускает раздельный доступ к любой произвольной ячейке, а flash-память— лишь к целым блокам. Характерный объем микросхем EEPROM — от единиц килобит до единиц мегабит, в настоящее время ее используют
восновном для хранения данных, в том числе в составе микроконтроллеров.
Flash-память больше по объему, проще и дешевле, и к тому же дает значительный выигрыш
вскорости при больших объемах информации, особенно при потоковом чтении/записи. В составе микроконтроллеров flash-память служит для хранения программ
Современные технологии флэш-памяти
позволяют использовать ее для различных целей
•для хранения BIOS (базовой системы ввода-вывода)
•USB-Flash накопители, эмулирующие работу внешних винчестеров
•различных модификациях карт памяти, которые обычно используются в цифровых видео- и фотокамерах, плеерах, телефонах
Структура матрицы накопителя флэш-памяти с паралл.
включением ЛИЗМОП-транзисторов
Последовательное соединение элементарных ячеек, образующих группы (структура И-НЕ)
Элементарные ячейки, образуют группы по 16 ячеек, объединяемые в страницы, а страницы - в блоки. При таком
построении массива памяти обращение к отдельным ячейкам невозможно.
Условно-графическое обозначение FLASH памяти на принципиальных схемах
В этой схеме некий массив данных заранее помещается во временный буфер — на том же кристалле, что и основная память, затем все нужные ячейки разом стираются, и одновременно же в них записывается информация из буфера. Недостатком такого метода стала необходимость перезаписи целого блока, даже если нужно изменить только один бит в одной-единственной ячейке
Преимущества флэш-памяти по сравнению с EEPROM
1.Более высокая скорость записи при последовательном доступе за счёт того, что стирание информации во флэш производится блоками.
2.Себестоимость производства флэш- памяти ниже за счёт более простой организации
Проблема интеграции на одном кристалле различных видов памяти
|
|
|
|
ЕЭСПЗУ = 8 ÷ 64 Кбайт |
Еозу - |
|
× 16 |
|
|
|
|||
ЕПЗУ |
= 16 ÷ |
|
|
× 4 |
несколько |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
Кбайт |
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
96 Кбайт |
|
|
|
|
|
|
|||||||
× 2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
× 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ROM |
Flash |
|
EEPROM |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Static |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RAM |
|
2.4.Новые виды памяти
Сувеличением емкости микросхем флэш- памяти снижается и общее количество циклов записи, поскольку ячейки становятся все более миниатюрными и для рассеивания оксидных перегородок, изолирующих «плавающий» затвор, требуется все меньшее напряжение.
Ферроэлектрическая технология хранения информации (Ferroelectric
RAM)
Магниторезистивная память (Magnetic
RAM)
