Выборка запоминающих элементов
•Линии адреса, как и следует из их названия, служат для выбора адреса ячейки памяти, а линии данных - для чтения и для записи ее содержимого.
Необходимый режим работы определяется состоянием
специального вывода Write
Enable (Разрешение Записи)
Динамическая оперативная память
(Dynamic Random Access Memory):
схема ячейки
Линия |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
• |
В режиме хранения |
|||||
Зп / Cч |
|
|
|
|
|
|
|
Сз |
ключ. транзистор |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
• |
заперт |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При выборке ЭП на |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
затвор транзистора |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
подается отпирающее |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
напряжение; тогда |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Линия выборки |
|
элемент Сз |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
подключается к ЛЗС
Динамическая оперативная память
Транзистор для каждого одноразрядного регистра DRAM используется для чтения состояния смежного конденсатора. Если конденсатор заряжен, в ячейке записана 1; если заряда нет - записан 0.
В настоящее время имеются микросхемы динамической емкостью 1 Гбайт и больше (микросхемы содержат более миллиарда транзисторов).
Все транзисторы и конденсаторы размещаются в виде очень простых, периодич. повторяющихся структур.
Устройство ячейки динамической памяти
Регенерация динамической памяти
•Ввиду микроскопических размеров, а, следовательно, и емкости конденсатора заряд стекает очень быстро - буквально за сотые, а то и тысячные доли секунды
•Регенерация данных в динамических ЗУ
осуществляется с помощью спец.
контроллеров
•Регенератор ныне встраивается в саму микросхему
Структурная схема МС динамического ОЗУ
Память DDR SDRAM
Сравнение статических и динамических ОЗУ
•Быстродействие Static RAM выше по сравнению с быстродействием DRAM.
Поэтому статические ОЗУ (на триггерах) используют в качестве КЭШ – памяти, работающей на частотах ~ fт ЦП.
•Габариты и стоимость Static RAM ~ в 5 раз выше сответств. характеристик DRAM
•Информационная емкость DRAM – наивысшая (в одной МС ~ 1 Гбайт)
Сравнение статических и динамических ОЗУ (окончание)
•динамические ОЗУ характеризуются наибоьшей информационной емкостью и невысокой стоимостью
•именно динамич. ОЗУ используются в качестве основной памяти ЭВМ
•динамические ОЗУ нуждаются в регенерации
2.3. Флэш (Flash) память
(полное историческое название Flash Erase EEPROM)
•Используется тип ячейки-транзистора, технологически родственной EEPROM.
•Запись и стирание данных во flash-памяти
производится блоками-кадрами. Обычный размер такого блока составляет 256 или 512 байт; в некоторых видах флэш-памяти объём блока может достигать 256 Кбайт.
• Время записи tзп Flash (~ 1 мкс) << t зп эспзу