СВМБМ

обеспечивается, когда при совпадение импульсов по строке и столбцу промежуток пробивается т.е.

где Uи - импульсное напряжение.

Графическое решение последних неравенств показано на рис.9.8.

Рис. 9.8. Определение рабочих режимов ГИП постоянного тока с внешней адресацией Заштрихованная часть рис. 9.8 соответствует области выполнения

неравенств (9.9-10). Из графика видно, что с ростом Eсм требуемая амплитуда импульсов Uи уменьшается, при этом сужается допустимый диапазон изменения ( ∆Uи ).

Из выражения для времени выборки tв = 1/( fk Nc ) следует, что большим Nс соответствуют малые tв, что приводит к росту Uв и,

следовательно, Uи. Кроме того, tв может оказаться сравнимым с τ ст ,

что вызывает нестабильность возникновения разряда.

Для уменьшения τ ст и его стабилизации в ячейках ГИП создается небольшая предварительная ионизация либо с помощью так называемого рамочного разряда (вспомогательного разряда на периферии индикаторного поля, где ячейки не видны наблюдателю), либо разряда в виде координатной сетки, при котором

возбуждена часть ячеек индикаторного поля по вертикальным и горизонтальным линиям, либо в виде слабого разряда по всему индикаторному полю. Для создания предионизации также используют повышение кадровой частоты регенерации изображения. Например, если вместо f=50Гц взять f=500Гц, значение tв (tв = 1/( fk q) уменьшается ровно в 10 раз, однако паузы между импульсами несколько снижаются,

что оказывается сравнимым с временем деионизации τд . В результате остаточные разряды существенно снижают τ ст и вероятность возникновения разряда возрастает.

Существенным недостатком ГИП постоянного тока является ограничение информационной емкости из-за падения яркости. При строчной адресации кажущаяся яркость определяется формулой вида:

путем увеличения тока из-за насыщения излучения разряда и

постоянного тока нашли либо в качестве экранов индивидуального пользованья с ограниченой информационной емкостью (ГИП 10000),

1 – аноды сканирования; 2 – электроды дежурного разряда; 3 – катод сброса; 4 – диэлектрическая матрица с отверстиями; 5 – аноды индикации; 6 – переднее стекло; 7 – отверстие связи; 8 – катоды сканирования;

9 – стеклянная пластина; 10 – канавки

также с помощью рис.9.11, на котором даны диаграммы напряжений на электродах.

Рис. 9.10. Электрическая схема включения строки ГИП с самосканированием

Рис. 9.11. Диаграма напряжения на электродах ГИП с самосканированием .

Катоды групп К1,К2 и К3 подсоеденены к шинам схемы управления с напряжениями Uk1,Uk2 и Uk3.

При включении источника питания Eа возникает постоянный

разряд в системе дежурных электродов, который используется как источник начальной ионизации, подготавливающий возникновение разряда на катод сброса КС.

В интервалах времени t1-t2 подается импульс на катод сброса, определяющий начало кадра. Затем последовательно подается импульс на катодную шину К1 с интервалом времени t2-t3, импульс на

катодную шину К2 в интервале времени t3-t4, импульс на катодную шину К3 в интервале времени t4-t5. Эти импульсы приволдят к последовательному перемещению разряда по катодам : сначала на К1,

расположенного ближе всего из своей группы к катоду сброса КС, затем на К2, расположенного ближе всего из своей группы к К1, и,

наконец на К3 расположенного ближе всего из своей группы к К2.

Можно сделать вывод, что при соединении любого числа катодов в S-группы (S ≥ 3) и подаче на соответствующие шины системы S-

фазных тактовых импульсов происходит направленное шаговое перемещение разряда вдоль строки. Такое движение напоминает развертку на одной строке в ЭЛТ. Обратному ходу луча соответствует сброс разряда на КС.

Из-за малых размеров в катодах свечения сканирующего разряда невидно оператору. Для формирования изображения используется индикаторный разряд, возникающий в отверстиях диэлектрической матрицы при подаче положительных импульсов Uаи на аноды

индикации. Выборка ЭО основана на том, что разряд возникает в ячейке, если совпадают два события: на анод индикации поступает импульс Uаи, а разряд сканирования находится в том же столбце, что и данная ячейка индикации. В системе индикации, так же как при сканировании, разряд одновременно проходит только на один катод.

В целом ГИП с самосканированием представляет собой многострочный прибор, причем все его строки присоединены к источнику питания через отдельные резисторы, что делает возможным независимый параллельный ввод информации.

Информационная емкость ГИП с самосканированием ограничена теме же принципиальными факторами, что и ГИП с внешней адресацией, т.е. уменьшением tв и Lvкаж с увеличением Nсб (следует учесть, что в ГИП с самосканированием развертка производится по столбцам).

самосканированием зажигаются надежно, однако дальнейшее увеличение Nсб лимитируется падением Lvкаж в соответствии с формулой Lvкаж=

Необходимо подчеркнуть, что использование встроенной системы развертки позволяет значительно упростить схему управления ГИП с самосканированием по сравнению со схемой управления ГИП с внешней адресацией. Большей частью ГИП с самосканированием представляет собой вытянутые по горизонтали структуры с ограниченным числом строк и большим числом столбцов. Наиболее широко они применяются для воспроизведения буквенно-цифровой

момент времени t0 генератор сброса (ГСБР) формирует отрицательный импульс, сбрасывающий триггер ТГ1 и ТГ2 в нулевое состояние. В результате появлений «1» на инверсных выходах этих триггеров срабатывает вентиль &10 и транзисторТ30 , включенный по схеме Дарлингтона, переходит в состояние насыщения. При этом логические вентили &11 ,&12 и &13 заперты, а транзисторы Т31,Т32,Т33 выключены. Таким образом, потенциал электрода КС оказывается близок к нулю, потенциал электродов К1-К3 к 110В, чем обеспечивается сброс разряда на КС. Необходимое для этого врем должно быть выше 300мкс.

После окончания импульса сброса импульсы ТГ начинают проходить на счетчик с коэффициентом пересчета три, построенный на D-триггерах ТГ1 И ТГ2 и вентиль &3. Дешифрация состояния счетчика вентилями &11 ,&12 и &13 обеспечивает формирование трехфазной системы катодных импульсов

К1,К2 и К3 транзисторами ТЗ1, ТЗ2, ТЗ3. Импульсы развертки действуют до тех пор, пока разряд сканирования не переместится на последний 110-й ((7х16)-2) столбец. Затем вновь генерируется импульс сброса и начинается следующий кадр.

Подача информации на индикатор и синхронизация ее с разверткой осуществляется следующим образом. Данные воспроизводимых знаков хранятся в БЗУ в виде двоичных кодов. В начале кадра генератор ГСБР обнуляет счетчики С4:7 и С4:16, которые сразу после импульса сброса адресует первую ячейку БЗУ. Выходной двоичный код БЗУ преобразуется знакогенератором ЗГ в код 35(5х7) – точечного знака. Знакогенератор стробируется счетчиком Сч:7 таким образом, что он выдает коды знака последовательно по столбцам с тактовой частотой ƒт. Коды ЗГ управляются ключами на

то Т2 запирается и на выходе появляется сигнал 250В, возбуждающий заряд на анод индикатора (интервалы t1-t2,t4-t5,t6-t7). Для

нормального возбуждения разряда индикации требуется, чтобы импульс U1э возникал с задержкой 10-15мкс по отношению к импульсу сканирования( за это время частицы из промежутка сканирования успевают проникнуть в промежуток индикации). Для обеспечения такого запаздывания на базу Т2 после начала импульса сканирования подается положительный импульс длительностью 10-15мкс, обеспечивающий коротко временное отключение этого транзистора независимо от состояния выхода знакогенератора.

После семи тактовых импульсов Сч:7 выдает сигнал переноса на Сч:16, который адресует вторую ячейку БЗУ, и цикл воспроизведения знака повторяется. Когда выводятся все 16 знаков и отсчитывается 110-й импульс, сигнал с выхода дешифратора DC запускает генератор ГСБР, в результате чего формируется очередной импульс сброса и кадра.

Таким образом, ГИП с самосканированием позволяет создать достаточно простые буквенно-цифровые СОИ. Их недостатком является ограниченное число знакомест (практически не более 32), обусловленное уменьшением яркости при увеличении скважности, а так же ограничение размеров ЭО.

ГИП с внешней адресацией и ГИП с самосканированием представляют собой экраны, работающие в режиме регенерации изображения, что ограничивает информационную емкость индикаторного поля. Информационную емкость можно увеличить, используя ГИП, ячейки которых обладают свойством запоминать информацию после снятия сигналов выборки. Наиболее распространенным типом такого прибора является ГИП переменного тока, также имеющим матричную структуру, образованную взаимно перпендикулярными электродами. Это приборы отличаются от ГИП постоянного тока тем, что их металлические электроды покрыты тонким слоем диэлектрика.

Каждая ячейка ГИП переменного тока представляет собой структуру металл–диэлектрик–газ–диэлектрик-металл (ГДГДМ). Из-за наличия емкостей через ячейку может протекать только переменный ток.

Диаграммы напряжений и токов, иллюстрирующие работу ГИП переменного тока, приведены на рис. 9.13.

Рис. 9.13. Диаграммы напряжений и токов в ГИП переменного

тока.

В рабочем состоянии между системами вертикальных и горизонтальных электродов приложено знакопеременное напряжение Eп,

меньше напряжения возникновения разряда. Возбуждение разряда в ячейке («Запись») производится подачей на вертикальный «Y» и горизонтальный «X» электрода полу импульсов записи Uy, Ux (интервал t1-t2),суммарная амплитуда которых достаточна для пробоя. В результате протекания тока i, емкости структуры МДГДМ заряжаются до напряжения Uс1, значение приложенного к газовому промежутку напряжения Uг падает и первый импульс разрядного тока перекрывает и первый импульс разрядного тока прекращается. После этого газовый промежуток возвращается к непроводящему состоянию, благодаря чему на емкостях на емкостях сохраняется некоторое напряжение Uс1(интервал t2-t3). В следующий временной интервал t3-t4 к

промежутку прикладывается положительное поддерживающее напряжение. В сумме с напряжением Uс1, сохранившимся на емкостях, оно достаточно для повторного возбуждения разряда. Протекание в интервале t3-t4 импульса тока приводит к перезарядке емкости до