ОСНОВЫ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Тема 1 – Основы физики полупроводниковых диодов

§1.1 Электрофизические свойства полупроводников

В полупроводниках удельное электрическое сопротивление принято измерять для 1см³ материала.

Характерной особенностью полупроводников является сильная зависимость удельного электрического сопротивления от воздействия полей, изменения температуры, ионизированного излучения. Это связано с тем, что ширина запрещённой зоны от 0.5 до 3 эВ /зона проводимости и запрещённая зона перекрываются/.

Наиболее распространёнными материалами являются: германий, кремний, арсенид галлия /Ge, Si, GaAs/. У германия ширина запрещённой зоны – 0.72 эВ, у кремния – 1.12 эВ, а у арсенида галлия – 1.43 эВ. У германия максимальная рабочая температура 75°C, а у кремния 125°C.

В кристаллическом твёрдом теле существуют квазинепрерывные зоны разрешённых значений энергии электронов. Верхняя разрешённая зона, которая при температуре абсолютного нуля /=0К/ целиком заполнена электронами, называетсявалентной. Расположенная над ней следующая разрешённая зона, которая при температуре абсолютного нуля пуста или частично заполнена электронами, называется зоной проводимости.

Чем меньше ширина запрещённой зоны, тем ниже рабочая температура. Кристаллическая решёткаSi – тетраэдр.

При T=0K все электроны связаны и проводимость полупроводника равна 0. Незаполненная связь – это дырка.

Процесс возникновения пары носителей называется генерацией пары носителей.

Процесс исчезновения пары носителей называется рекомбинацией пары носителей.

Вбеспримесном полупроводнике /собственном/ концентрация электронов и дырок совпадает.

Энергия может высвобождаться в виде тепла, либо в виде электромагнитного излучения. Чем выше энергия, тем больше частота.

-ширина запрещённой зоны

Уровень Ферми – уровень, вероятность заполнения которого равна ½.

Различают электронную и дырочную составляющую тока и проводимости: n-типа и p-типа.

Удельная проводимость:

Подвижность- средняя скорость движения заряда в электрическом поле единичной напряжённости. Как правило,.

Примесные полупроводники – часть атомов основного материала замещена атомами другого материала.

Легирование – процесс введения примесей в полупроводник. Для легирования используется 3-х валентные бор, алюминий, индий, галлий и 5-и валентные сурьма, мышьяк, фосфор.

Рассмотрим кристаллическую решётку кремния, легированного фосфором.

=0.044эВ – энергия, чтобы ионизировать атом примеси /энергия активации/.

В таком полупроводнике концентрация электронов будет выше, чем концентрация дырок. Примесь, сообщающую полупроводнику электронный характер проводимости, называют донорной.

Носители заряда с большой концентрацией называют основными носителями заряда.

Чем выше степень легирования, тем выше будет располагаться уровень Ферми.

Полупроводники, у которых уровень Ферми располагается в зоне проводимости, называются вырожденными полупроводниками.

С ростом температуры уровень Ферми будет стремиться к середине запрещённой зоны.

Рассмотрим примесный полупроводник, в котором часть атомов основного материала /в данном случае кремния/ заменена атомами 3-х валентного индия.

Будет дырка.

Какова концентрация примесей, такова и концентрация дырок. Дырок будет больше на количество атомов, введённых в материал.

Такой полупроводник называют дырочным /или p-типа/.

Примесь, сообщающую полупроводнику дырочный характер проводимости называют акцепторной.

Для данного примера /Si, In/ =0.16эВ. Уровень Ферми располагается ниже середины запрещённой зоны.

Чем выше степень легирования, тем ниже уровень Ферми. Тогда в вырожденных полупроводниках p-типа W_F – в валентной зоне.