- •Содержание
- •Введение
- •1 Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда
- •1.1 Подвижность. Дрейф носителей заряда
- •1.2 Проводимость
- •2 Основные электрофизические свойства Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
- •2.1 Электрофизические свойства кремния. Акцепторные и донорные уровни
- •2.2 Электрофизические свойства германия. Акцепторные и донорные уровни
- •2.3 Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния
- •3 Определение времени жизни носителей заряда
- •4 Решение задачи
- •Список использованных источников
4 Решение задачи
|
|
Исходя из условия, что:
Где
Исходя из вышеуказанных формул имеем:
Из
полученных данных можем найти величину
Зная, что общая подвижность – сумма подвижности электронов и дырок, имеем:
Зная подвижность электронов можем найти необходимую удельную проводимость:
Найдя удельную проводимость можем найти удельное сопротивление кремния n-типа:
Ответ:
|
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
|
|
ВЫВОДЫ
В ходе выполнения курсовой работы были изучены температурная зависимость и проводимость носителей заряда в полупроводниках.
Изучены такие элементы, используемые в электронной технике, в частности – кремний и германий. Были изучены их электрофизические свойства, были рассмотрены примесные элементы, которые создают в германии и кремнии акцепторные и донорные уровни. Было рассмотрено, в каком спектральном диапазоне чистый кремний оптически прозрачен при нормальных условиях.
Было рассмотрено два способа определения времени жизни носителей заряда в полупроводниках. Были изучены методики реализации методов, рассмотрены их недостатки.
Была решена расчетная задача, в которой требовалось найти удельное сопротивление полупроводника.
Список использованных источников
1. Пасынков, В.В. Материалы электронной техники/ В.В. Пасынков ., В.С. Сорокин – М.: «Высшая школа», 1986 – 368 с.
2. Антипов, Б.Л. Материалы электронной техники: задачи и вопросы/ Б.Л. Антипов, В.С. Сорокин, В.А. Терехов – М.:«Высшая школа», 1990 208 с
3. Гордиенко, Ю.Е., Полупроводниковые приборы, интегральные схемы и технологии их производства/ Ю.Е. Гордиенко, А.Н. Гуржий, А.В. Бородин, Бурдукова С.С. – Х. «Компания СМИТ», 2004 – 613 с.
4. Борисов, О.В. Основы твердотельной электроники / О.В. Борисов – К. «Освіта Укріїни», 2011 – 654 с.
5. Левинштейн, М. Е., Знакомство с полупроводниками/ М. Е. Левинштейн, Г. С. Симин, - М. «Наука», 1984 - 241 с.
6. [электронный ресурс]: Электрофизисечкие свойства полупроводников – режим доступа: http://www.radioforall.ru/2010-01-27-15-35-50/858-2010-01-27-15-38-45 - Электрофизисечкие свойства полупроводников
7. [электронный ресурс]: подвижность, дрейф носителей заряда - режим доступа: http://foez.narod.ru/19.htm
