
- •Глава 11 Фотоэлементы, применяемые в настоящее время, и опытные разработки.
- •11.1 Введение
- •11.2 Кремниевые фотоэлементы
- •11.2.1 Получение чистого кремния [4]
- •(По материалам Ciszek, t.F., 1988, © ieee.)
- •11.2.2 Фотоэлементы из монокристаллического кремния
- •11.2.3 Фотоэлементы из поликристаллического кремния
- •11.2.4 Кремниевые фотоэлементы с утопленными/скрытыми контактами
- •11.2.5 Другие виды фотоэлементов из тонкослойного кремния
- •11.2.6 Фотоэлементы из аморфного кремния
- •11.3 Фотоэлементы из арсенида галлия
- •11.3.1 Введение
- •11.3.2 Получение чистых компонентов для производства фотоэлементов
- •(По материалам Энциклопедии химической технологии Кирка-Отмера, 2-е издание, © 1968 Изд. «Джон Вайли и сыновья». Использовано с согласия издательства)
- •11.3.3 Производство фотоэлементов из арсенида галлия
- •Приведено в Таблице 11.1
- •11.3.4 Производительность фотоэлемента
- •11.4 Фотоэлементы из диселенида меди-индия (галлия)
- •11.4.1 Введение
- •11.4.2 Получение чистых компонентов для производства фотоэлементов
- •11.4.2 Производство фотоэлементов из диселенида меди-индия (cis)
- •11.4.4 Производительность фотоэлемента
- •11.5 Фотоэлементы из теллурида кадмия
- •11.5.1 Введение
- •11.5.3 Изготовление фотоэлемента из теллурида кадмия
- •11.5.4 Производительность фотоэлемента
- •11.6 Новые разработки в области производства фотоэлементов
- •11.6.1 Новые разработки в технологии изготовления фотоэлементов на основе кремния
- •11.6.2 Коллекторы на базе семейства фотоэлектрических устройств из диселенида меди-индия
- •11.6.3 Новейшие технологии с использованием химических элементов III-V и II-VI групп.
- •11.6.4 Другие технологии
- •11.6.5 Заключение
- •Приложение а Показатели среднесуточной солнечной освещенности в некоторых населенных пунктах разных стран
- •Приложение б частичной перечень интернет сайтов, посвященных вопросам фотоэлектрической энергии
- •Приложение с контрольный перечень требований для контроля проектной документации
(По материалам Энциклопедии химической технологии Кирка-Отмера, 2-е издание, © 1968 Изд. «Джон Вайли и сыновья». Использовано с согласия издательства)
Комментарий к Рисунку 11.10:
Solution of
NaAlO
(Traces of
Ga) – раствор
алюмината натрия (присутствие галлия
в виде примеси)
Decantation for Al removal – удаление алюминия сцеживанием
Ga poor alumina – окись алюминия с низким содержанием галлия
Solution with greater [Ga] – раствор с более высокой концентрацией галлия
Ga enriched
NaAlO
– раствор алюмината натрия с высоким
содержанием галлия
Re-solution – повторное разбавление/растворение
First carbonation – сатурация (первая)
Second carbonation – сатурация (повторная)
Mixed hydroxides of Al and Ga – смешанные гидроксиды алюминия и галлия
Для производства галлия полупроводникового качества с чистотой 99,999+% используются самые разные физические процессы и химические реакции. Сюда относятся химические методы обработки кислотами или продувки газами в условиях высокой температуры; физико-химические методы, такие как фильтрация расплавленного металла, нагревание в вакууме, повторное разбавление, последующий электролиз или кристаллизация с получением монокристаллов. Кроме этого, можно провести реакцию галлия с хромом, провести фракционную очистку раствора до достижения необходимой степени чистоты, затем выделить галлий и снова преобразовать его в металл.
Мышьяк [21]
О существовании мышьяка известно с 1250г. нашей эры. В 1649 г. Шредером было опубликовано два метода получения данного химического элемента. В природе мышьяк встречается в самых разных видах, в том числе в виде сульфидов, арсенидов, сульфарсенидов, оксидов и арсенатов. Чаще всего мышьяк получают из FeSAs(арсенид сульфид железа). При нагревании арсенид сульфид железа, мышьяк выделяется в виде пара, а сульфид железа остается в остатке. При нагревании мышьяк быстро окисляется, при этом сам мышьяк и его соединения являются исключительно токсичными веществами. Мышьяк продается в виде триоксида, который производят с разной степенью чистоты методом повторной возгонки. В такой форме мышьяк чаще всего используется при производстве инсектицидов.
Мышьяк полупроводниковой чистоты можно получить путем восстановления химически очищенного соединения при помощи вещества в твердой или газообразной форме с исключительно высокой степенью чистоты. Одним из таких исключительно чистых веществ является арсин (мышьяковистый водород) – тоже исключительно токсичное вещество, обращение с которым требует особых мер осторожности. Если целью является получение элементарного мышьяка, тогда арсин под воздействием высокой температуры разлагают и в результате получают элементарный мышьяк с высокой степенью чистоты. В полупроводниковом производстве значительная доля используемого мышьяка получается именно из арсина под воздействием высоких температур.
Германий [20]
Существование германия было предсказано Менделеевым в 1870г., химическим путем германий был выделен Винклером в 1886г. В ощутимых количествах германий присутствует лишь в незначительном количестве минералов, среди которых (AgGe)S, (AgSnGe)S, (CuZnAsGe)Sи (CuFeAsGe)S. Однако, большую часть германия получают из руд, содержащих олово, цинк и медь, и добываемых на африканском континенте.
В процессе получения германия руду нагревают в восстановительных условиях. В результате реакции происходит выпаривание цинка и германия, после чего их можно окислить и собрать. Затем пары выщелачивают серной кислотой, а потом постепенно повышают уровень кислотности. Когда уровень достигает 3, германий на 90 % выпадает в остаток, в то время как цинк начинает выпадать в осадок при уровне кислотности равном 4. Если и цинк и германий осаждаются при уровне pHравном 5, осадок, полученный из раствора, в котором процентное отношение цинка к германию составляет 50:1, будет содержать около 10 % германия. Если в качестве основания применяется оксид магния, тогда содержание германия в магниево-германиевом осадке составит около 10 %.
На следующем этапе полученный осадок
обрабатывают концентрированной соляной
кислотой, в результате чего образуется
хлорид германия (IV). Затем
хлорид германия подвергают фракционной
очистке, а потом проводят реакцию с
водой с образованием двуокиси германия.
После этого, двуокись германия подвергают
реакции восстановления с участием
водорода Н,
в результате которой получают чистый
германий. Затем, для получения германия
полупроводникового качества, чистый
германий необходимо подвергнуть зонной
очистке.