
- •Глава 11 Фотоэлементы, применяемые в настоящее время, и опытные разработки.
- •11.1 Введение
- •11.2 Кремниевые фотоэлементы
- •11.2.1 Получение чистого кремния [4]
- •(По материалам Ciszek, t.F., 1988, © ieee.)
- •11.2.2 Фотоэлементы из монокристаллического кремния
- •11.2.3 Фотоэлементы из поликристаллического кремния
- •11.2.4 Кремниевые фотоэлементы с утопленными/скрытыми контактами
- •11.2.5 Другие виды фотоэлементов из тонкослойного кремния
- •11.2.6 Фотоэлементы из аморфного кремния
- •11.3 Фотоэлементы из арсенида галлия
- •11.3.1 Введение
- •11.3.2 Получение чистых компонентов для производства фотоэлементов
- •(По материалам Энциклопедии химической технологии Кирка-Отмера, 2-е издание, © 1968 Изд. «Джон Вайли и сыновья». Использовано с согласия издательства)
- •11.3.3 Производство фотоэлементов из арсенида галлия
- •Приведено в Таблице 11.1
- •11.3.4 Производительность фотоэлемента
- •11.4 Фотоэлементы из диселенида меди-индия (галлия)
- •11.4.1 Введение
- •11.4.2 Получение чистых компонентов для производства фотоэлементов
- •11.4.2 Производство фотоэлементов из диселенида меди-индия (cis)
- •11.4.4 Производительность фотоэлемента
- •11.5 Фотоэлементы из теллурида кадмия
- •11.5.1 Введение
- •11.5.3 Изготовление фотоэлемента из теллурида кадмия
- •11.5.4 Производительность фотоэлемента
- •11.6 Новые разработки в области производства фотоэлементов
- •11.6.1 Новые разработки в технологии изготовления фотоэлементов на основе кремния
- •11.6.2 Коллекторы на базе семейства фотоэлектрических устройств из диселенида меди-индия
- •11.6.3 Новейшие технологии с использованием химических элементов III-V и II-VI групп.
- •11.6.4 Другие технологии
- •11.6.5 Заключение
- •Приложение а Показатели среднесуточной солнечной освещенности в некоторых населенных пунктах разных стран
- •Приложение б частичной перечень интернет сайтов, посвященных вопросам фотоэлектрической энергии
- •Приложение с контрольный перечень требований для контроля проектной документации
11.5.4 Производительность фотоэлемента
Не менее 9 компаний заинтересовались
возможностями промышленного применения
теллурида кадмия. В 2001 г. в зависимости
от используемой технологии производства
фотоэлементы малой площади (около 1 см²)
показывали производительность почти
17 %, а модуль с площадью 8390 см² имел
производительность 11 % [25]. Опыт
крупномасштабного производства
фотоэлектрических элементов и накопленные
в результате данные позволили обозначить
некоторые вопросы и аспекты, требующие
усовершенствования и доработок [43]. В
ряду таких задач стоят усовершенствование
конструкции реактора, где
происходит взаимодействие между теллуром
и кадмием, улучшение его функциональности
и управления его работой; углубление
понимания фундаментальных свойств
пленок из теллурида кадмия; обеспечение
однородности материала и функциональных
свойств устройств, использующих
фотоэлементы большой площади, включая
взаимную диффузию между теллуридом
кадмия, сульфидом кадмия и тыльным
контактом; обеспечение стабильности
тыльного контакта и решение вопросов,
связанных с обеспечением экологической
безопасности теллура. Так как
незначительность запасов теллура может
стать фактором, ограничивающим объемы
производства фотоэлементов на его
основе, желательно работать в направлении
повышения производительности фотоэлементов
с использованием более тонких слоев из
этого материала. Уменьшение толщины
слоя из теллурида кадмия до 0,5м
позволит в 4-5 раз увеличить площадь
фотоэлементов, производимых с
использованием того же объема вещества,
при условии сохранения или увеличения
производительности фотоэлемента. Как
и случае с другими фотоэлектрическими
батареями с использованием тонкопленочных
технологий, фактором, не позволяющим
снизить себестоимость фотоэлектрических
батарей в расчете на Ватт вырабатываемой
электроэнергии, являются расходы,
обусловленные размерами производимых
батарей. Поэтому увеличение
производительности важно также и для
снижения себестоимости производимой
электроэнергии. Опытные образцы
фотоэлементов продемонстрировали
степень заполнения в диапазоне от 65 до
75%, при этом наклон графика зависимостиJ-Vдля данных
фотоэлементов при напряжении разомкнутой
цепи составляет порядка 5 Ω-см².
Использование тонкого буферного слоя
из сульфида кадмия и тонкого изолирующего
слоя из прозрачного проводящего оксида
между сильнолегированным слоем из
прозрачного проводящего оксида и слоем
из сульфида кадмия позволило получить
плотность тока короткого замыкания
свыше 25 мА/см² [25].
Экспериментальные фотоэлектрические батареи на основе теллурида кадмия размером до 25 кВт были установлены в Калифорнии, Огайо, Тунисе (?), Колорадо, и Флориде для проведения их опытной эксплуатации [25]. Две фотоэлектрические батареи на 25 кВт каждая установлены на военно-воздушной базе Edwardsв Калифорнии и применяются для электролиза воды с целью получения водорода, предназначенного для топливных элементов. Две фотоэлектрические батареи на 10 кВт подключены к линии электропередач и, по имеющимся данным, работают очень хорошо. За первые два года их эксплуатации деградации (ухудшения эксплуатационных и физических свойств) фотоэлектрических батарей выявлено не было.