
- •Глава 11 Фотоэлементы, применяемые в настоящее время, и опытные разработки.
- •11.1 Введение
- •11.2 Кремниевые фотоэлементы
- •11.2.1 Получение чистого кремния [4]
- •(По материалам Ciszek, t.F., 1988, © ieee.)
- •11.2.2 Фотоэлементы из монокристаллического кремния
- •11.2.3 Фотоэлементы из поликристаллического кремния
- •11.2.4 Кремниевые фотоэлементы с утопленными/скрытыми контактами
- •11.2.5 Другие виды фотоэлементов из тонкослойного кремния
- •11.2.6 Фотоэлементы из аморфного кремния
- •11.3 Фотоэлементы из арсенида галлия
- •11.3.1 Введение
- •11.3.2 Получение чистых компонентов для производства фотоэлементов
- •(По материалам Энциклопедии химической технологии Кирка-Отмера, 2-е издание, © 1968 Изд. «Джон Вайли и сыновья». Использовано с согласия издательства)
- •11.3.3 Производство фотоэлементов из арсенида галлия
- •Приведено в Таблице 11.1
- •11.3.4 Производительность фотоэлемента
- •11.4 Фотоэлементы из диселенида меди-индия (галлия)
- •11.4.1 Введение
- •11.4.2 Получение чистых компонентов для производства фотоэлементов
- •11.4.2 Производство фотоэлементов из диселенида меди-индия (cis)
- •11.4.4 Производительность фотоэлемента
- •11.5 Фотоэлементы из теллурида кадмия
- •11.5.1 Введение
- •11.5.3 Изготовление фотоэлемента из теллурида кадмия
- •11.5.4 Производительность фотоэлемента
- •11.6 Новые разработки в области производства фотоэлементов
- •11.6.1 Новые разработки в технологии изготовления фотоэлементов на основе кремния
- •11.6.2 Коллекторы на базе семейства фотоэлектрических устройств из диселенида меди-индия
- •11.6.3 Новейшие технологии с использованием химических элементов III-V и II-VI групп.
- •11.6.4 Другие технологии
- •11.6.5 Заключение
- •Приложение а Показатели среднесуточной солнечной освещенности в некоторых населенных пунктах разных стран
- •Приложение б частичной перечень интернет сайтов, посвященных вопросам фотоэлектрической энергии
- •Приложение с контрольный перечень требований для контроля проектной документации
11.5.3 Изготовление фотоэлемента из теллурида кадмия
На Рисунке 11.15 изображен фотоэлемент
из теллурида кадмия стандартной
конфигурации. Верхняя часть представляет
собой стеклянную поверхность с нанесенной
на нее прозрачной проводящей оксидной
пленкой толщиной приблизительно 1
м
, затем идет буферный (промежуточный)
слой из сульфида кадмия, толщиной около
0,1
м,
за ним следует слой из теллурида кадмия
толщиной в несколько
м,
и затем контакт с тыльной стороны изAu,Cu/Au,Ni,Ni/Al,ZnTe:Cuили
(Cu,HgTe).
Рисунок 11.15 Типовая структура фотоэлемента из теллурида кадмия [35]
Комментарий к Рисунку 11.15:
ARC – противоотражающее покрытие
TCO – прозрачный проводящий оксид
Glass superstrate –«надложка» из стекла
Back contact – контакт к тыльной поверхности фотоэлемента
EVA – этиленвинилацетат
Back glass – стекло
Слой из прозрачной проводящей оксидной
пленки изготавливается с применением
SnO,InSnOи.
По сравнению с другими материалами,
используемыми в качестве проводящей
оксидной пленки,
показал
более высокую проводимость и более
высокую светопроницаемость, в результате
чего именно он может стать стандартным
материалом для изготовления прозрачной
оксидной пленки. Для нанесения
CdOи
смешивают в соотношении 2:1 в материале
анода, который затем наносят на стеклянную
поверхность при помощи радиочастотного
магнетронного напыления.
Для нанесения тонкого слоя из сульфида кадмия с проводимостью n-типа используется процесс эпитаксии из газовой фазы на основе металлорганических соединений, а также другие технологии нанесения тонкой пленки. Перед нанесением теллурида кадмия этот слой необходимо отжечь с тем, чтобы уменьшить шероховатость поверхности из сульфида кадмия и тем самым сократить изъяны на стыке слоев из сульфида кадмия и теллурида кадмия. Для этого обычно материал помещают в воздушную среду, нагретую до 400°, и выдерживают там в течение 20 минут.
Использование слоя из сульфида кадмия сопряжено с одной интересной трудностью, которая вызвана тем, что слой этот отличается чрезвычайной тонкостью. Во время нанесения теллурида кадмия и в результате последующей тепловой обработки фотоэлемента на границе материалов может произойти их перемешивание. Это может привести к образованию переходов между слоем из теллурида кадмия и прозрачной проводящей оксидной пленкой, что, в свою очередь, влечет за собой существенное снижение напряжения разомкнутой цепи в фотоэлементе. Существует несколько методов минимизация такого перемешивания [41].
Для нанесения слоя из теллурида кадмия применяется целый спектр методов, в т.ч. химическое осаждение из паровой фазы при атмосферном давлении (APCVD), эпитаксия атомных слоев (ALE), сублимация в замкнутом объеме (CSS), электроосаждение (ED), лазерная абляция, физическое осаждение из паровой фазы (PVD), трафаретная печать (SP), напыление, распыление и химическое осаждение из паров металлоорганических соединений (MOCVD) [25]. Слой из теллурида кадмия подвергается тепловой обработке в присутствии хлорида кадмия при температуре 420 °С в течение приблизительно 20 минут. Такая обработка ускоряет рост зёрен в слое из теллурида кадмия с тем, чтобы снизитьзахват неосновных носителей заряда на границах зерен. В фотоэлементах из теллурида кадмия не прошедших термическую обработку напряжение разомкнутой цепи обычно составляет менее 0,5 В, а после термической обработки, значение напряжения разомкнутой цепи может превышать 0,8 В.
Еще одной важной составляющей в процессе оптимизации производительности фотоэлемента является обеспечение стабильности контакта к тыльной поверхности фотоэлемента. Перед тем как присоединить тыльный контакт, поверхность из теллурида кадмия протравливается нитрофосфатом, в результате чего на тыльной поверхности слоя из теллурида кадмия образуется слой из элементарного теллура. Элементарный теллур обеспечивает более устойчивый/стабильный контакт между материалом с проводимостью р-типа …ДАЛЬШЕ В ТЕКСТЕ СТРОКА ПРОПУЩЕНА …
На завершающем этапе изготовления модуля фотоэлемент с тыльной поверхности герметизируется при помощи слоя из этиленвинилацетата, который прокладывается между слоем металлизации и еще одним слоем из стекла.