
- •Глава 11 Фотоэлементы, применяемые в настоящее время, и опытные разработки.
- •11.1 Введение
- •11.2 Кремниевые фотоэлементы
- •11.2.1 Получение чистого кремния [4]
- •11.2.2 Фотоэлементы из монокристаллического кремния
- •11.2.3 Фотоэлементы из поликристаллического кремния
- •11.2.4 Кремниевые фотоэлементы с утопленными (скрытыми)
- •11.2.5 Другие виды фотоэлементов из тонкослойного кремния
- •11.2.6 Фотоэлементы из аморфного кремния
- •11.3 Фотоэлементы из арсенида галлия
- •11.3.1 Введение
- •11.3.2 Получение чистых компонентов для производства фотоэлементов
- •11.3.3 Производство фотоэлементов из арсенида галлия
- •Описание характеристик каждой из зон этих фотоэлементов приведено в Таблице 11.1
- •Характеристики областей многослойных фотоэлементов, приведенных на Рис11.12
- •11.3.4 Производительность фотоэлемента
- •11.4 Фотоэлементы из диселенида меди-индия (галлия)
- •11.4.1 Введение
- •11.4.2 Получение чистых компонентов для производства фотоэлементов
- •11.4.2 Производство фотоэлементов из диселенида меди-индия (cis)
- •11.4.4 Производительность фотоэлемента
- •11.5 Фотоэлементы из теллурида кадмия
- •11.5.1 Введение
- •11.5.3 Изготовление фотоэлемента из теллурида кадмия
- •11.5.4 Производительность фотоэлемента
- •11.6 Новые разработки в области производства фотоэлементов
- •11.6.1 Новые разработки в технологии изготовления фотоэлементов на
- •11.6.2 Коллекторы на базе семейства фотоэлектрических устройств из
- •11.6.3 Новейшие технологии с использованием химических элементов
- •III-V и II-VI групп.
- •11.6.4 Другие технологии
- •11.6.5 Заключение
11.5 Фотоэлементы из теллурида кадмия
11.5.1 Введение
В теории, максимальный
КПД фотоэлементов из теллурида кадмия
имеет значение близкое к 25 %. Теллурид
кадмия представляет собой материал с
прямыми переходами и высоким коэффициентом
поглощения, что позволяет изготавливать
из него фотоэлементы толщиной всего
нескольком.
В 2001 году, фотоэлементы из этого материала
в лабораторных условиях демонстрировали
КПД чуть менее 17 %, а модули из фотоэлементов
на основе теллурида кадмия показывали
КПД на уровне 11 % при максимальной площади
модуля 8390 см²
[25]. И хотя теллур встречается реже, чем
другие химические элементы, используемые
для производства фотоэлементов, запасов
теллура и кадмия достаточно для
производства фотоэлектрических батарей,
способных вырабатывать гигаватты
электроэнергии. Количество используемого
в фотоэлементах кадмия сопряжено с
возможностью возгорания и возникновением
ряда сложностей при выводе модулей из
эксплуатации. Однако, анализ потенциальных
проблем, связанных с использованием
кадмия, показал, что кадмий, входящий в
состав фотоэлементов, на этапе их
утилизации может быть извлечен и
использован повторно, а вероятность
ожогов в результате разного рода пожаров
значительно превышает вероятность
вредного воздействия кадмия, выделяющегося
в результате нагревания модулей. Модули
из теллурида кадмия могут использоваться
в качестве вторсырья для получения
стекла, карбоната кадмия (CdCO3),
очищенного электролитическим методом
теллура, чистого этиленвинилацетата
(EVA)
для производства солнечных модулей по
себестоимости менее 1,2 руб/Вт [39].
Хотя довольно долго проводились широкомасштабные испытания модулей на основе теллурида кадмия, однако в серийное производство они пока запущены не были. Всё равно серийный выпуск таких модулей не за горами, скорее всего, их можно будет найти в свободной продаже в недалёком будущем. Процесс получения чистых компонентов для производства фотоэлементов из теллурида кадмия уже рассматривался, исключение составляет лишь вопрос получения самого теллура. После краткого описания процесса получения и очистки теллура, будут рассмотрены вопросы изготовления фотоэлементов на его основе и эффективность таких фотоэлементов.
11.5.2 Производство чистого теллура [33]
Теллур является химическим элементом VI группы периодической системы Д.И. Менделеева, обладает свойствами металла и был впервые обнаружен в 1782 г. ученым по фамилии Мюллер в золотоносной руде из Трансильвании. Как химический элемент теллур был выделен и описан в 1798 г.М. Г. Клапротом. Теллур в природе встречается в виде таких соединений, как теллурид меди, свинца, серебра, золота, железа и висмута, и имеет широкую географию распространения, однако доля данного вещества в земной коре очень мала. Основным источником теллура являются отходы процессов добычи и производства чистой меди и свинца, которые, помимо теллура, содержат еще и селен, но тоже в малых количествах.
При производстве меди путем электролиза, теллур вместе с другими содержащимися в меди примесями оседает на аноде в виде шлама. Для выделения теллура из шлама существует несколько альтернативных химических реакций. Для начала, необходимо получить диоксид теллура, который выпадает из раствора в осадок, в то время как остальные примеси остаются растворенными. Или же можно сначала провести реакцию по осаждению других примесей, в результате чего будет получена теллуровая кислота с высокой концентрацией теллура. Если проводится реакция с получением оксида теллура, оксид затем восстанавливается и в итоге образуется элементарный теллур.
Элементарный теллур, тем не менее, содержит примеси железа, меди, олова, серебра, свинца, сурьмы и висмута и может быть подвергнут дальнейшей очистке путем перегонки при низком давлении, в результате чего металлы с большей массой останутся в осадке. Однако, так как селен легко испаряется, теллур, прошедший перегонку все равно содержит примесь селена. Более высокого качества очистки можно добиться, растворив теллур в концентрированной азотной кислоте. В результате разбавления и кипячения происходит реакция гидролиза, и теллур выпадает в осадок. Осадок затем отделяют, промывают, растворяют в соляной кислоте и восстанавливают диоксидом серы.
Этот относительно чистый теллур можно довести то максимальной степени чистоты методом зонной очистки в атмосфере инертного газа, а одиночные кристаллы можно вырастить методом Чохральского или Бриджмена. Теллур считается потенциально токсичным веществом, поэтому при работе с ним следует соблюдать достаточные меры предосторожности.