Режим насыщения – это режим, когда оба перехода – и эмиттерный, и коллекторный открыты, ток базы максимален, ток коллектора равен току коллектора насыщения:

Iб = max, Iк ≈ Iк.н.,

Uкэ = Eк – Iк.н ∙ Rн, Iк.н ∙ Rн → Eк,

Uкэ → 0.

Ключевой режим работы транзистора

Ключевым режимом работы транзистора называется такой режим, при котором рабочая точка транзистора скачкообразно переходит из режима отсечки в режим насыщения и наоборот, минуя линейный (активный)

В промежуток времени от 0 до t1 входное напряжение и ток базы близки к нулю, и транзистор находится в режиме отсечки. Напряжение Uкэ является выходным и близко к Eк.

В промежуток времени от t1 до t2 входное напряжение и ток базы транзистора становятся максимальными, и транзистор перейдёт в режим насыщения, с момента времени t2 транзистор переходит в режим отсечки.

Транзисторный ключ является инвертором, т. е. изменяет фазу

сигнала на 1800.

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВОЙСТВА

Диапазон рабочихТРАНЗИСТОРОВтемператур транзистора определяется температурными свойствами p-n перехода. При его нагревании от комнатной температуры (250C) до 650C сопротивление базы и закрытого коллекторного перехода уменьшается на 15 – 20 %. Особенно сильно нагревание влияет на обратный ток коллектора Iкбо. Он увеличивается в два раза при увеличении на каждые 100C. Всё это влияет на характеристики транзистора и положение его рабочей точки.

Ток коллектора увеличивается, а напряжение Uкэ уменьшается, что равносильно открыванию транзистора.

Схемы включения транзисторов требуют температурной стабилизации.

ЧАСТОТНЫЕ СВОЙСТВА

Диапазон рабочихТРАНЗИСТОРОВчастот транзистора определяется двумя

факторами:

- наличием барьерных ёмкостей p-n переходов (коллекторная ёмкость влияет значительно сильнее, так как она подключается параллельно большому сопротивлению);

- возникновением разности фаз между токами эмиттерами и коллектора (ток коллектора отстаёт от тока эмиттера на время, требуемое для преодоления базы

носителями заряда).

С увеличением частоты коэффициент усиления по току уменьшается. Поэтому для оценки частотных свойств транзистора применяется один из основных параметров - параметр граничной частоты fгр.

Граничной частотой называется такая частота, на которой

ФОТОТРАНЗИСТОРЫ

Фототранзистором называется фотогальванический приёмник светового излучения, фоточувствительный элемент которого представляет собой структуру транзистора, обеспечивающую внутреннее

При освещении базы в ней происходит фотогенерация носителей зарядов. Неосновные носители заряда уходят в коллектор через закрытый коллекторный переход, а основные скапливаются в базе, повышая тем самым отпирающее действие эмиттерного перехода. Ток эмиттера, а, следовательно, ток коллектора возрастает. Управление коллекторным током фототранзистора осуществляется током базы

транзистора.