7.5 Физическая эквивалентная схема биполярного

транзистора

Транзистор работает в активном режиме при малом уровне сигнала. Схема содержит только линейные элементы, и транзистор рассматривается как активный линейный четырехполюсник. В схеме отражены инерционные свойства транзистора (рисунок 7.9).

Рисунок 7.9

C_б’э, g_б’э- имитирует эмиттерный переход (ЭП)

r_б - учитывает активное сопротивление базовой области

C_б’к, g_б’к- имитирует КП

Активные свойства учтены источником тока GU_mбэ(G- крутизна)

G =dI_к/ dU_б’э_Uкэ=0.

Влияние напряжения U_кэна ток коллектора учтено включением проводимости g_кэВсегда выполняется условие C_б’э>> C_б’к, g_б’э>> g_б’к,

r_б= (10 ...100 Ом)

Устанавливается связь между y-параметрами транзистора и элементами физической схемы. Получаем:

y₁₁ = (g₁₁+ j/ r_б)/(1+ j) ,

где - постоянная времени транзистора,≈ C_б’эr_б;

g₁₁= g_/(1+r_бg_ ), где g_=g_б’э+g_б’к.

При 0y₁₁ = g₁₁приy₁₁=1/ r_б.

y₂₁ = S = S/(1+j),

где S - крутизна на низкой частоте, S= G/(1+r_бg_ ).

y₂₂= g₂₂+jC_б’к(1+Sr_б/(1+j)).

При 0y₂₂= g₂₂+jC_б’к(1+Sr_б), где C_б’к(1+Sr_б)=С_вых-выходная емкость транзистора

При y₂₂= g₂₂+jC_б’к.

y₁₂= - (g₁₂+jC_б’к)/(1+j);

g₁₂= - g_б’к/r_б(1/r_б+g_б’к+g_б’э).

y₁₂- незначительно влияет на работу схемы. Поэтому обычно достаточно:

y₁₂= - jC_б’к.

Все вычисляются через параметры эквивалентной схемы. Обычно в справочниках приводят max _ос и C_б’к при заданном коллекторном напряженииТогда

T_бmax =_{ос max}/ C_б’к,

где - коэффициент (1 - для сплавных технологий2 - для дифференциальной технологии)

 = Sr_б/2f_г,

где f_г - граничная частота

S=₀/r_б+r_б’э.

Лекция №8

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Полевой транзистор- это полупроводниковый прибор, в котором управление током происходит электрическим полем, вызывающим изменение сопротивления полупроводникового слоя, проводящего ток.

Полевые транзисторы часто называются униполярными, т.к. ток в них переносится носителем одного знака (основными носителями).

Полевые транзисторы бывают двух типов:

- с управляющим n-p переходом;

- с изолированным затвором (МДП-транзисторы).

62