3.7 Влияние изменения температуры на ВАХ
Токи в транзисторе сильно зависят от изменения температуры.
- Ток Iкэо удваивается при изменении температуры на каждые 8 -10 градусов.
-Коэффициент В увеличивается при повышении температуры с темпом 3% на градус.
-На входной ВАХ ТКН = - 2 мВ/ºС.
-Указанные факторы приводят к увеличению тока коллектора с повышением температуры. Поэтому коллекторные ВАХ смещаются в область больших токов коллектора.
171
Влияние температуры
|
|
|
Iк |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iб |
|
60 ºС |
|||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
Iк.доп |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
″ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
″ |
20 |
ºС |
Н |
|
Iб |
|
|
|
|
Iб′ Iб = 0 |
||
|
|
|
||
|
|
|
|
Рк.доп |
о |
Iкэ |
Uкэ.допUкэ |
||
о |
|
|
||
Iб |
t=60oC |
|
Uкэ > 0 |
|||||||||||||||||||||
Iб2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
20oC |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
Iб1 
Uбэ
Iкб0
Если зафиксирован ток базы, то напряжение Uбэ с повышением температуры уменьшается.
Если зафиксировано напряжение Uбэ, то увеличивается ток базы с повышением температуры.
3.8Предельные режимы работы транзистора
1.По температуре. Для Si – 100 – 120 ºC. Для приборов на основе GaAs рабочая температура может достигать 200 ºС.
2.По току Iк.доп возможен перегрев.
3.По напряжению Uкэ.доп возможен пробой.
4.По рассеиваемой мощности Рк = Iк·Uк ≤ Рк.доп.
5.Рабочая область.
6.Н – область насыщения.
7.О – область отсечки коллекторного тока.
8.| B(j·ω)| = 1.
173
3.9Классификация и система обозначений
Воснову системы положен буквенно-цифровой код.
1-й элемент:
Гили 1 – германий,
К или 2 – кремний или его соединения, А или 3 – соединения галлия, И или 4 – соединения индия.
Буквенные символы присваиваются приборам общего применения.
Числовые - приборам специального применения.
2-й элемент:
Т – подкласс прибора – транзистор биполярный.
3-й элемент:
Наиболее характерные эксплуатационные признаки.
174
Классификация и система обозначений
3-й элемент классификации: мощность рассеяния и граничная частота.
|
|
|
|
граничная частота мГц |
|
|
|
|
|||
Мощность Вт |
|
до 3 |
до 30 |
> 30 |
до 300 |
> 300 |
|||||
|
|
Малая < 0.3 |
|
101-199 |
201-299 |
301-399 |
|
|
|
|
|
Средняя < 1.5 |
|
401-499 |
501-599 |
601-699 |
|
|
|
|
|
||
Большая > 1.5 |
|
701-799 |
801-899 |
901-999 |
|
|
|
|
|
||
|
|
До 1 Вт |
|
|
1 |
|
2 |
4 |
|
|
|
|
|
Больше 1 Вт |
|
|
7 |
|
8 |
9 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
175
Классификация и система обозначений
4-й элемент – классификационный литер – буква.
Дополнительные знаки:
С – сборки транзисторов в одном корпусе, Цифра – бескорпусные транзисторы.
176
Классификация и система обозначений
2 Т 3 01 А
Кремниевый |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Разновидность в серии |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Транзистор |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Номер разработки в серии |
|||||
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
Мощность < 0,3 Вт
высокочастотный КТ3102А - граничная частота до 300 мГц.
КТ937А-2 – кремниевый, биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусной, с гибкими выводами на кристаллодержателе.
177
система обозначений
К |
Коллектор соединен |
К |
Б |
с корпусом |
|
Б |
Вывод от корпуса |
Положительный |
|
|
Э |
Положительный |
|
|
Э |
|
|||||||
|
|
|
|||||
ток |
|
|
|
ток |
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|||
Транзистор типа n-p-n |
Транзистор типа p-n-p |
||||||
“обратный” |
“прямой” |
||||||
Допускается окружность не рисовать.
Изображение транзистора можно поворачивать на 90º в любом направлении.
Внешний вывод коллектора и эмиттера можно изображать так как показано или повернуть на 90º.
178
Транзисторы
Биполярные транзисторы
3.10 Эквивалентные схемы замещения транзисторов
Различают:
-физическую Т-образную эквивалентную схему,
-формальную модель
вh-параметрах,
вZ-параметрах,
вR-параметрах.
181