Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ФОЭ-И-23,24 бн 2014 г / Электроника УрТИСИ Копи.ppt
Скачиваний:
180
Добавлен:
11.04.2015
Размер:
11.32 Mб
Скачать

ВАХ схемы общий эмиттер

Коллекторные характеристики Iк = ƒ(Uкэ,Iб)

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iк = В·Iб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б

 

 

 

Iб

60ºС

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

′″

>

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iб

 

 

> Iб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

′″

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iб

 

rк =

 

∆Uк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iб20ºС

 

 

∆Iк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∆Iк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iб = 0 Рк.доп

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iкэо

Uкэ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∆Uк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

161

 

Входная характеристика Iб = ƒ(Uбэ,Uкэ)

Переход Б - Э включен в прямом направлении,

чему соответствует пряма ветвь p-n-перехода.

Iб

t

o

Uкэ = 0

кэ > 0

 

 

=60 C

 

 

 

 

 

 

U

 

 

Iб2

 

 

 

20oC

∆Iб = ( Iб2 Iб1)

 

 

 

 

 

диф = ∆Uбэ

∆Iб

 

 

 

 

r

 

 

 

 

 

∆Iб

Iб1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uбэ

 

Iкб0

 

 

∆Uбэ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

162

Параметры транзистора

.α - статический коэффициент передачи тока эмиттера, В - статический коэффициент передачи тока базы,

 

 

 

 

В =

α

α =

В

 

 

 

 

 

В + 1

 

 

∆Uбэ

1 α

 

 

- дифференциальное сопротивление цепи

rдиф = ∆Iб

базы,

 

 

 

 

∆Uк

 

 

 

 

 

rк =

- дифференциальное сопротивление цепи

∆Iк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

коллектора,

Iкэо- сквозной ток транзистора в схеме ОЭ,

Мощность рассеяния Рк =

Iк < Рк.

доп

 

·

 

Рк.доп допустимая мощность рассеяния

 

коллекторной цепи.

 

 

163

Эта мощность выделяется в виде тепла.

Биполярные транзисторы

Литература

1. Миловзоров О.В., Электроника: Учебник для вузов. /О.В. Миловзоров, И.Г. Панков. М.: Высшая школа, 2004.

164

3.5 Инерционные свойства транзисторов

При быстром изменении сигнала начинают проявляться инерционные свойства транзисторов.

Причины:

-Конечная и различная скорость (энергия) носителей зарядов,

-конечная толщина базы,

-процессы насыщения и рекомбинации.

Эти причины ограничивают частотные свойства транзисторов.

165

Инерционные свойства транзисторов

Подадим во входную цепь транзистора – цепь базы скачок тока ∆Iб. Из-за указанных причин ток коллектора начнет возрастать не сразу, а с некоторой задержкой.

Нарастание тока коллектора происходит по экспоненциальному закону, который характеризуется постоянной времени τ (читается тау).

116

Нарастание тока коллектора происходит в течение

времени tф – время фронта.

∆Iк = В·∆Iб

Iб

∆Iб

Iк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∆Iк

 

0,9·∆Iк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,63∆Iк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

τ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tф -

 

 

tз

 

 

 

tф

 

 

 

 

 

 

 

 

время, в течение которого экспонента нарастает до

 

уровня 0,9·∆Iк

 

 

называется время фронта.

За одну постоянную времени τ экспонента нарастает до уровня 0,63·∆Iк.

Появление затягивания фронта свидетельствует о том, что коэффициенты α и В зависят от времени (частоты).

Эту зависимость характеризуют постоянной времени τв.

Частотные свойства транзисторов:

-граничная частота ƒгр (ωгр) – частота, на которой коэффициент В уменьшается в 2 раз.

-частота единичного усиления |В(jω)| = 1.

τв = 1/ωв =

1

 

ωгр ≈ Во/τв

 

2πƒ

 

 

ω = 2πƒ

 

ω – круговая частота,

168

 

 

 

 

3.6 Шумы транзистора

При работе транзистора возникают шумы.

Шум – хаотическое изменение тока коллектора под действием внутренних и внешних факторов.

Шумы обусловлены:

-дробовый шум - дискретность носителей зарядов,

-тепловой шум,

-поверхностные явления у p-n-переходов,

-рекомбинационные шумы.

169

Шумы транзистора

Величину шума оценивают коэффициентом шума

Кш.

Кш = Uш/Uшо или Кш[дБ] = 10lg Кш

Uш – напряжение, которое необходимо подвести во входную цепь «нешумящего» транзистора для получения в выходной цепи напряжения, равного напряжению шумов.

Uшо – напряжение тепловых шумов источника сигнала, подключенного ко входу транзистора.

Шумы ограничивают минимальное значение входных сигналов.

170