Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ФОЭ-И-23,24 бн 2014 г / Электроника УрТИСИ Копи.ppt
Скачиваний:
189
Добавлен:
11.04.2015
Размер:
11.32 Mб
Скачать

Транзисторы

Кроме основных носителей в коллекторе имеются неосновные носители - дырки.

Для них поле коллектора включено согласно и они начнут переходить в базу также нарушая равновесное состояние коллектора и базы.

Равновесие восстанавливается приходом дырок от источника Uбк, создавая ток Iкб .

Таким образом, в коллектор втекает ток Iкои

Iкбо .

Iкб

В базу втекает ток Iб и

. о

151

Транзисторы

Ток коллектора можно выразить

Iк = α·Iэ +Iкб о

Коэффициент α имеет величину 0,95 ÷ 0,99, т.е. весьма близкую к единице.

Ток Iк >> Iкбо

153

3.3 Вольт-амперные характеристики транзистора (ВАХ)

Свойства транзистора описывают с помощью характеристик.

Для их получения воспользуемся моделью

транзистора на постоянном токе моделью

Эберса-Молла.

P-n- переходы представим в виде двух диодов, подключенных к источникам напряжения.

153

3.3 Вольт-амперные характеристики транзистора (ВАХ)

Транзистор можно представить также в виде 4-х полюсника, имеющего входные и выходные полюсы. В соответствии с этим рассматривают входные и выходные ВАХ транзистора.

В этом случае можно говорить о входном управляющем и о выходном управляемом токах.

I1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

о

 

 

 

 

о

U1 U2

о о

154

Модель Эберса-Молла

 

Iэ

 

 

 

 

 

 

 

 

Iк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Э

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uэб

Iб

 

 

 

 

 

 

Uбк

 

 

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

Б

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ОБ

Iэ = Iк + Iб

 

 

Iк = α·Iэ + Iкбо

 

 

 

 

 

 

 

 

 

α ≤ 1

Модель позволяет получить ВАХ.

-выходную коллекторную Iк = ƒ(Uкб,Iэ),

-входную Iэ = ƒ(Uэб,Uкб),

ƒ– некоторая функция.

Транзисторы

155

Транзисторы

Коллекторная характеристика Iк = ƒ(Uкб,Iэ)

Переход К-Б включен в обратном направлении, чему соответствует обратная ветвь p-n-перехода.

Наряду с этим

Iк = α·Iэ,

α ≤ 1

 

 

 

 

 

Нормальный

′″

 

′″

 

> Iэ> Iэ > 0

 

активный режим

 

 

Iэ″

Iэ′ Пробой

Iэ = 0

Iкбо Uкб

156

Входная характеристика Iэ = ƒ(Uэб,Uкб)

Переход Э-Б включен в прямом направлении, чему соответствует пряма ветвь p-n-перехода.

t=60oC

Uкб > 0

20oC Uкб = 0

Iкбо

Uэб

157

Транзисторы

3.4 ВАХ схемы общий эмиттер (ОЭ)

В схемотехнике чаще используется включение транзистора по схеме общий эмиттер.

В этом случае эмиттер является общим как для входной цепи так и для выходной.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

Iб – управляющий

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ток,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iб

 

 

 

 

 

К

 

Iк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iк – управляемый ток.

 

 

 

Б

 

Uкэ

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iэ = Iк + Iб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uбэ

 

 

 

Э

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iэ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

158

Транзисторы

Определим ток коллектора применительно к схеме ОЭ.

 

Iк = α·Iэ +

 

 

 

В уравнение

 

 

 

 

 

 

Iкб о

подставим значение тока

Iэ = Iк + Iб. После преобразований получим

Iк =

 

α

 

·Iб +

 

Iкбо

 

1 ─ α

 

1 ─ α

 

Обозначим

 

 

α

= В

 

 

Iкбо

= Iкэо

1

α

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 α

Iк = В·Iб + Iкэо

Iкэо - сквозной ток транзистора

Транзисторы

Iк = В·Iб + Iкэо

Ток Iкэо << Iк

 

Iк = В·Iб

 

 

В =

α

α =

 

В

1 α

 

 

 

 

В + 1

При α = 0,99, В ≈ 100.

 

 

 

Это означает, что ток коллектора в 100 раз больше тока базы