3-й элемент – число – основные функциональные возможности прибора:
- 1 - диоды выпрямительные Iср < 0.3 A,
-2 – выпрямительные Iср < 10 A,
-4 – импульсные,
4-й и 5-й элементы – порядковый номер разработки.
6-й – особенности диода в данной серии.
дополнительный – буква
-С – сборка диодов в одном корпусе, - цифра – обозначение конструкции выводов.
131
Классификация и система обозначений диодов
2 Д 2 0 4 В 
особенности диода
порядковый номер разработки. выпрямительные Iср < 10 A
подкласс прибора - диод исходный материал - Si
2 C 1 5 6 A
Кремниевый, стабилитрон, малой мощности (100), Uст = 5,6 В, разновидности А.
132
Диодная сборка
Тема 3. Биполярные транзисторы
Литература 1. Миловзоров О.В., Электроника: Учебник для вузов.
/О.В. Миловзоров, И.Г. Панков. М.: Высшая школа, 2004.
2. Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: Учеб.пособие. Ростов н/Д: изд-во «Феникс», 2000 г.
145
Транзисторы
Транзисторы
3.1 Общие положения
Транзистор - полупроводниковый прибор, позволяющий усиливать мощность электрических сигналов.
Подразделяются на биполярные и полевые.
транзисторы
биполярные полевые
n-p-n p-n-p
Биполярные транзисторы были разработаны в 1947 г. |
146 |
Полевые – в 1952 г. |
Биполярные транзисторы (далее транзисторы)
3.2Физические процессы в транзисторе
-Устройство:
два p-n-перехода, площади переходов,
-Название электродов:
Эмиттер, База, Коллектор.
-Концентрации носителей в структурах.
-Равновесное состояние.
147
Физические процессы в транзисторе Транзисторы
Модель транзистора типа n-p-n
Э Б К
|
|
|
Iэ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iк |
|
|
|
|||||
n+ |
|
|
|
p |
|
|
|
|
|
|
n |
Iкбо |
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
- |
|
|
+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
- |
|
|
|
|
|
|
- (+) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
Rс |
|
|
|
|
|
|
|
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RкUвых |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
Ес |
|
|
Iб |
|
|
|
|
Iкбо |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
─ Uбэ + |
─ Uбк + |
148
Физические процессы в транзисторе Транзисторы
Переход Э-Б включен в прямом направлении, поэтому электроны свободно переходят из эмиттера в базу.
Большая часть электронов пролетает базу и оказывается на границе перехода Б-К.
Но электрическое поле перехода Б-К для
электронов включено согласно и электроны втягиваются полем в структуру коллектора.
149
Транзисторы
Часть электронов рекомбинируют с дырками в базе.
Таким образом, электроны выходят из эмиттера под действием диффузионных сил, а втягиваются в коллектор под действием дрейфовых сил.
В результате рассмотренных процессов нарушается равновесное состояние зарядов всех структур.
Равновесное состояние зарядов должно восстановиться за счет носителей внешних источников.
150
Транзисторы
Ушедшие из эмиттера электроны восполняются электронами источника Uэб, пришедшие в коллектор электроны компенсируются дырками источника Uбк,
рекомбинировавшие дырки базы – дырками источника Uэб.
В результате во внешних цепях потекут токи Iэ, Iк, Iб. По закону Кирхгофа
Iэ = Iк + Iб.
Работу транзистора характеризуют |
|||
параметром α |
α = |
Iк |
|
|
Iэ |
|
|
- коэффициент передачи тока эмиттера. |
150 |
|