- •ГОУ ВПО «СибГУТИ» УрТИСИ
- •Дисциплина учебного плана
- •Область науки и техники, занимающаяся разработкой методов создания электронных приборов и устройств, которые
- •Лекция 1 Введение
- •Цель обучения
- •В результате изучения дисциплины студенты должны:
- •Методическое обеспечение курса
- •Литература
- •Литература
- •Место дисциплины Электроника в учебном плане
- •Специальные диоды
- •Специальные диоды
- •Специальные диоды
- •Специальные диоды
- •Специальные диоды
- •Специальные диоды
- •стабилитроны
- •2.17 Классификация и система
- •2-й элемент – буква – подкласс прибора:
- •3-й элемент – число – основные функциональные возможности прибора:
- •Классификация и система обозначений диодов
- •Диодная сборка
- •Тема 3. Биполярные транзисторы
- •Транзисторы
- •Биполярные транзисторы (далее транзисторы)
- •Физические процессы в транзисторе Транзисторы
- •Физические процессы в транзисторе Транзисторы
- •Транзисторы
- •Транзисторы
- •Транзисторы
- •Транзисторы
- •3.3 Вольт-амперные характеристики транзистора (ВАХ)
- •3.3 Вольт-амперные характеристики транзистора (ВАХ)
- •Модель Эберса-Молла
- •Транзисторы
- •Транзисторы
- •Транзисторы
- •Транзисторы
- •ВАХ схемы общий эмиттер
- •Параметры транзистора
- •Биполярные транзисторы
- •3.5 Инерционные свойства транзисторов
- •Инерционные свойства транзисторов
- •Нарастание тока коллектора происходит в течение
- •За одну постоянную времени τ экспонента нарастает до уровня 0,63·∆Iк.
- •3.6 Шумы транзистора
- •Шумы транзистора
- •3.7 Влияние изменения температуры на ВАХ
- •Влияние температуры
- •3.8Предельные режимы работы транзистора
- •3.9Классификация и система обозначений
- •Классификация и система обозначений
- •Классификация и система обозначений
- •Классификация и система обозначений
- •система обозначений
- •Транзисторы
- •Биполярные транзисторы
- •Эквивалентные схемы замещения транзисторов
- •физическая Т-образная эквивалентная схема
- •Эквивалентная схема для включения транзистора по схеме общий
- •физическая Т-образная эквивалентная схема
- •Эквивалентная схема составлена для постоянного тока. Схему можно распространить и для переменного тока,
- •rэ - дифференциальное сопротивление перехода Э-Б, включенного в прямом направлении.
- •Наличие в схеме реактивного элемента в виде емкости говорит о том, что в
- •Параметры эквивалентной схемы:
- •Генератор тока В·Iб можно заменить генератором напряжения на основании теоремы об эквивалентном генераторе.
- •физическая Т-образная эквивалентная схема
- •Вид транзистора КТ908А
- •Биполярные транзисторы
- •Транзистор как линейный четырехполюсник
- •Транзистор как линейный четырехполюсник
- •Представим четырехполюсник в виде системы линейных дифференциальных уравнений.
- •Введем параметры.
- •Запишем систему уравнений четырехполюсника
- •Упростим электрическую схему четырехполюсника
- •Найдем связь между параметрами
- •связь между параметрами
- •Способы получения h- параметров
- •Способы получения h- параметров с помощью вольт-амперных характеристик.
- •Получение h- параметров с помощью вольт-амперных характеристик
- •h- параметры
- •Первый отечественный транзистор П1
- •Тема 4. Полевые транзисторы
- •полевые транзисторы
- •4.1 Классификация ПТ
- •Классификация ПТ
- •Классификация ПТ
- •4.2 Принцип работы ПТ
- •Электрод, через который в канал втекают носители тока называется исток (и).
- •Принцип работы ПТ
- •Принцип работы ПТ
- •Принцип работы ПТ
- •4.3 Вольт-амперные характеристики ПТ
- •4.3 Вольт-амперные характеристики ПТ
- •Вольт-амперные характеристики ПТ
- •4.4Параметры ПТ
- •Параметры ПТ
- •Возможны три схемы включения полевого
- •4.5Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Особенность транзисторов данного типа – очень высокое входное сопротивление, поскольку управляющий затвор отделен
- •МДП транзистор со встроенным каналом
- •Встроенный канал
- •МДП транзисторы с индуцированным каналом
- •МДП транзисторы с индуцированным каналом
- •МЕП транзисторы
- •МЕП - транзисторы (металл-полупроводник)
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.6 Ячейка памяти на основе МОП-транзистора
- •Ячейка памяти на основе МОП-транзистора
- •ячейка флэш-памяти
- •ячейка флэш-памяти
- •4.7 Модели полевого транзистора
- •Модели полевого транзистора
- •Модели полевого транзистора
- •4.8 Классификация и система обозначений
- •Система обозначений полевого транзистора
- •5.1 Тиристоры
- •Тиристоры
- •5.2 Устройство тиристора
- •Контакт к внешнему p-слою называют анодом, а к внешнему n-слою - катодом. Внутренние
- •Рассмотрим физические процессы в тиристоре, для чего представим его в виде двух биполярных
- •На физические процессы в тиристоре основное влияние оказывают два фактора:
- •5.3 Динистор
- •динистор
- •динистор
- •динистор
- •динистор
- •динистор
- •динистор Динисторы применяются в быстродействующих системах защиты схем, нагрузки от перенапряжения.
- •5.4 Тиристор
- •Тиристоры
- •5.5Симисторы
- •Симисторы
- •Симисторы
- •5.6Классификация и система обозначений
- •Классификация и система обозначений
- •Графическое обозначение тиристоров
- •5.7 Применение тиристоров
- •Применение тиристоров
- •Применение тиристоров
- •Применение тиристоров
- •Применение тиристоров
- •Применение тиристоров
- •Применение тиристоров
- •Применение тиристоров
- •тиристоры
- •Тема 6. Усилительный каскад на транзисторе
- •Усилители
- •Усилители
- •Усилители
- •Усилители
- •Усилители
- •Усилители
- •Усилители Графическое представление амплитудной характеристики
- •6.2Включение транзистора
- •Включение транзистора в схему усилительного каскада
- •Режим работы транзистора
- •Режим работы транзистора
- •Режим работы транзистора
- •Режим работы транзистора
- •Режим работы транзистора
- •Режим работы транзистора
- •Режим работы транзистора
- •Начальный режим работы транзистора
- •Начальный режим работы транзистора
- •Начальный режим работы транзистора
- •Начальный режим работы транзистора
- •Ячейка усилителя на электронных лампах. Вверху виден усилитель в интегральном исполнении,
- •6.3 Методы стабилизации положения РТ
- •Как отмечалось ранее с повышением температуры транзистора его параметры изменяются таким образом, что
- •С повышением температуры транзистора его ток базы увеличивается, ток коллектора также увеличивается на
- •Схема с эмиттерной стабилизацией
- •эмиттерная стабилизация положения РТ
- •эмиттерная стабилизация положения РТ
- •коллекторная стабилизация положения РТ
- •коллекторная стабилизация положения РТ
- •Термокомпенсация положения РТ
- •Термостабилизация
- •Методы стабилизации положения РТ могут применяться совместно и не противоречат друг другу.
- •6.4 Прохождение сигнала через усилительный каскад
- •Подключим ко входу усилителя источник
- •Под действием этих напряжений в цепи базы потечет
- •Входная цепь усилительного каскада или цепь базы транзистора
- •Коллекторная цепь транзистора В коллекторной цепи также течет ток
- •Коллекторная цепь транзистора
- •Коллекторная цепь транзистора
- •Из построения видно:
- •Из построения видно:
- •Из построения следует: амплитудное значение напряжения сигнала равно 10 мВ, амплитудное значение напряжения
- •6.5 Усилительный каскад
- •Усилительный каскад. Назначение элементов
- •Усилительный каскад. Назначение элементов
- •Сопротивление Rэ обеспечивает обратную связь,
- •Усилитель в интегральном исполнении
- •6.6 Параметры усилительного каскада
- •6.6.1 Каскад ОЭ
- •Каскад ОЭ
- •Каскад ОЭ
- •Каскад ОЭ
- •Каскад ОЭ
- •Параметры каскада ОЭ
- •Преобразуем схему согласно условиям
- •Определим параметры каскада
- •параметры каскада
- •Оценим значения параметров
- •6.6.2 Каскад ОБ
- •Эквивалентная схема
- •Параметры усилительного каскада ОБ
- •Параметры усилительного каскада ОБ
- •6.6.3 Каскад ОК
- •Эквивалентная схема
- •Параметры каскада ОК
- •Параметры каскада ОК
- •Таким образом, каскад ОК имеет следующие
- •Параметры каскада ОК
- •Параметры каскада ОК
- •6.7 Методы улучшения параметров каскадов
- •Анализ параметров каскадов
- •Эмиттерный повторитель на составном транзисторе схема Дарлигтона
- •Эмиттерный повторитель на составном транзисторе схема Шиклаи
- •Параметры каскада ОК
- •Параметры каскада ОК
- •Параметры каскада ОК
- •Источник тока
- •Параметры каскада ОК
- •Параметры каскада ОК
- •Параметры каскада ОК
- •Источник напряжения
- •Пример источника напряжения
- •Подключение каскада ОК
- •Параметры каскада
- •Каскад ГСТ
- •Каскад ГСТ
- •Схема «токовое зеркало»
- •Транзистор 2 охвачен 100%-ной обратной связью, т.к. его выход (вывод коллектора) соединен с
- •Каскад ГСТ
- •Усилительный каскад с ГСТ ГСТ включим в коллекторную цепь усилительного
- •Каскад ГСТ
- •Каскад ГСТ
- •Каскад с ГСТ
- •Каскад с ГСТ
- •Делитель напряжения с элементом, имеющим нелинейную ВАХ
- •Делитель напряжения с элементом, имеющим нелинейную ВАХ
- •Делитель напряжения с элементом, имеющим нелинейную ВАХ
- •Делитель напряжения с элементом, имеющим нелинейную ВАХ
- •Делитель напряжения с элементом, имеющим нелинейную ВАХ
- •Делитель напряжения с элементом, имеющим нелинейную ВАХ
- •Ограничитель напряжения со стабилитроном КС147А
- •На прямой ветви до напряжения 0,6 В диод закрыт. Его сопротивление много больше
- •Образуется делитель напряжения R – rд.
- •На обратной ветви до напряжения Uст стабилитрон также закрыт, его сопротивление много больше
- •Поменяем местами диод и стабилитрон
- •Ограничитель напряжения со стабилитроном КС147А
- •Применение выпрямительных диодов
- •Применение выпрямительного диода
- •Применение выпрямительного диода
- •Применение выпрямительного диода
- •Кристалл интегральной микросхемы
- •Основы микроэлектроники
- •Основы микроэлектроники
- •Основы микроэлектроники
- •Бескорпусные транзисторы
- •Основы микроэлектроники
- •Основы микроэлектроники
- •Основы микроэлектроники
- •Основы микроэлектроники
- •Второй уровень - структурная схема.
- •Основы микроэлектроники
- •Основы микроэлектроники
- •Основы микроэлектроники
- •Кристалл интегральной микросхемы
- •Конструктивно-технологические типы ИМС
- •Конструктивно-технологические типы ИМС
- •Конструктивно-технологические типы микросхем
- •Конструктивно-технологические типы микросхем
- •Конструктивно-технологические типы микросхем
- •Конструктивно-технологические типы микросхем
- •Конструктивно-технологические типы микросхем
- •2. Технологические основы микроэлектроники
- •2. Технологические основы микроэлектроники
- •2. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •Технологический цикл разделяют на два больших этапа – обработки пластин и сборочно-контрольной.
- •Технологические приемы создания микросхем
- •Технологические приемы создания микросхем
- •Диффузия примесей – технологическая операция легирования – введение примесей в пластину или эпитаксиальную
- •Основной механизм проникновения примесного атома в кристаллическую решетку состоит в последовательном перемещении по
- •Диффузия
- •Ионное легирование – технологическая операция введения примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной
- •Ионное легирование
- •Ионное легирование позволяет создавать слои с субмикронными горизонтальными размерами толщиной менее 0,1 мкм
- •Термическое окисление
- •Термическое окисление
- •Если после окисления удалить маску нитрида и провести неглубокое легирование донорами, то получим
- •Травление
- •Травление. Удаление участка двуокиси кремния.
- •Литография
- •После локальной засветки растворяются и удаляются незасвеченные участки.
- •Свет Литография
- •Литография
- •3.БИПОЛЯРНЫЕ СТРУКТУРЫ
- •3.1 Структура эпитаксиально-планарного транзистора
- •Структура эпитаксиально-планарного транзистора
- •МНОГОЭМИТТЕРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
- •ТРАНЗИСТОРЫ С ДИОДОМ ШОТКИ
- •РЕЗИСТОРЫ
- •КОНДЕНСАТОРЫ Структура МДП-конденсатора может быть следующей.
- ••При создании интегральной схемы памяти МОП -транзисторы с плавающим затвором очень
- ••Еще большее увеличение информационной емкости может быть достигнуто тем, что каждая ячейка памяти
- •Литература
- •Литература
- •Бескорпусной транзистор с упаковкой
- •Электроваккумные приборы
- •Мощный генераторный триод с радиатором
- •Электровакуумный пентод
- •Микросхемы памяти и транзисторы
Определим параметры каскада
* |
* |
|
|
|
|
Учтем также, что rк >> rэ |
и rк >> Rкн. |
|
|
|
|
Кi = iвых /iвх = iк/iб = В |
|
Rкн |
|||
Кu = Uвых/Uвх = (Rкн iк)/(Rвхiб) = В |
|
||||
|
Rвх |
|
|||
Rвх = Uвх/iвх = rб + (В + 1)·rэ = h11э |
|||||
|
|
· |
|||
Rвых = Uвых.хх /Iвых.кз. |
Uвых.хх -- при Rн |
|
|
∞. |
|
|
|
||||
|
Iвых.кз. -- при Rн = 0. |
||||
Uвых.хх = В·iб·Rк, |
Iвых.кз.= В·iб. |
|
|
|
|
Rвых ≈ Rк
Rкн
Кp = Рвых/Рвх =КI ·Кu = В·В· h11э
341
параметры каскада
Определим Кu через режим работы транзистора
Rвх = [rб + (В + 1)·rэ]; (В + 1)·rэ >> rб; В >> 1.
rэ = φт / iэ; φт -- температурный потенциал.
Кu = В |
Rкн |
· |
iэ |
≈ |
Rкн· |
iэ |
· |
|
|
|
φт |
φт |
|||||
(В + 1) |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
iэ
φт = S – крутизна транзистора.
Кu ≈ S·Rкн |
|
|
Rкн = |
RK·RK |
|
RK + RH |
342 |
|
Оценим значения параметров
Параметры схемы: |
|
|
|
|
Rк |
|
- RН |
= ∞ (нагрузка отключена |
|
К = Uвых/Uвх = В |
|||
|
Rвх |
|||||
холостой ход), |
|
U |
|
|||
|
|
|
||||
|
1000 |
|
|
|||
- RК |
= 1000 Ом = 1 кОм, |
|
|
|
||
|
= 100 100 |
= 1000 |
|
|||
- h11 |
= 100 Oм, |
|
|
|||
|
Rвх = h11э ≈ 100 Ом. |
|||||
- В = 100. |
|
|||||
|
||||||
|
Rвых ≈ Rк = 1000 Ом. |
|||||
|
|
|
||||
|
Кp.max = Рвых/Рвх =КI ·Кu = В·В· |
Rк |
|
|
||
|
Rвх |
|
|
|||
|
Кp.max ≈ 100·100·10 = 105. |
|
|
|||
343
6.6.2 Каскад ОБ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Принципиальная схема каскада |
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Сф |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rб1 |
|
|
Rк |
|
|
|
+Eк |
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
iвх |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
iэ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
+ |
|
|
|
С2 |
||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rс |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
VT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uвых = Uн |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ес |
|
|
|
С1 |
|
|
|
|
+ |
|
Rб2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
iн |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
Rн
о
Эквивалентная схема
Учтем предыдущие ограничения и эквивалентную схему ОБ можно представить следующим образом.
|
|
|
|
|
|
|
Э |
|
rэ |
|
|
|
|
|
|
α·iэ |
|
|
К |
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rc Rб |
|
|
|
|
Uвх |
|
|
|
|
|
|
rк |
|
|
Rк |
|
|
Rн |
|
|
|
Uн = |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
iвх =iэ |
|
|
|
rб |
|
|
|
|
|
|
Uвых |
|||||||||||||
|
|
|
|
Ес |
|
|
|
|
Б |
|
|
|
|
iвых =iк |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
α - статический коэффициент передачи тока эмиттера.
ХС1<< Rб2, ХС2 << Rн, Rкн = Rк//Rн = Rк·Rн Rк + Rн
о
Параметры усилительного каскада ОБ
КIб = iвых /iвх = iк/iэ = α
Кuб = Uвых/Uвх = (Rкн·iк)/(Rвх·iэ) = α |
Rкн |
|
|
rэ |
|
||
Uвх = rэ·iэ + iэ(1- α)rб = iэ [rэ + (1- α)·rб] . |
|
|
|
Но (1– α)·rб << rэ, iвх ≈ iэ · |
|
|
|
Rвх.б = Uвх/iвх ≈ rэ. |
|
|
|
Rвых ≈ Rк |
|
|
|
Кp = Рвых/Рвх =КIб ·Кuб = α·α· |
|
Rкн |
|
|
rэ |
|
|
344
Параметры усилительного каскада ОБ
α = 0,95 – 0,99 ≈ 1.
rэ ≈ φт/ iэ. Если принять iэ = 1мА, то rэ
Таким образом, каскад ОБ имеет низкое входное сопротивление и применяется для согласования низкоомного выходного сопротивления источника сигнала с входом усилителя.
Коэффициент усиления по току примерно равен единице - повторитель тока.
Каскад ОБ является усилителем напряжения.
о
6.6.3 Каскад ОК
Принципиальная схема каскада
|
|
Сф |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rб1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Rк |
+Eп |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
С1 |
|
+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
VT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
iб |
|
|
|
|
|
|
|
+ |
|
|
|
С2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
Rс |
Rэ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
iн |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
Ес |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uвых |
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rн |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Эквивалентная схема
|
|
|
|
iвх =iб Б |
|
rб |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
rэ |
|
|
|
Э |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
Rc Rб |
|
|
|
|
|
Uвх |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
rк” Rэ |
|
|
Rн |
|
|
|
Uвых |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
B·iб |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ес |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К |
|
|
|
iвых =iэ |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
В = h21э |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
ХС1<< Rб, ХС2 << Rн, Rэн = Rэ//Rн = |
Rэ·Rн |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
|
Rэ + Rн |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
347
Параметры каскада ОК
Учтем начальные договоренности
Rвх = Uвх/iвх = rб + (В+1 )·[rк”//(rэ+Rэн)]
Но rк” >>(rэ+Rэн), rэ << Rэн, Rвх = h11э + (В+1)Rэн. При больших значениях В и Rэн
Rвх ≈ В·Rэн ≈ В·Rэ
Rвхmax ≈ rб + (В+1)·rк’ ≈ rк’ КIк = iвых /iвх = iэ/iб = (В+1)
Rвых = rэ + (rб + Rс)/(В+1)
При больших значениях В (В>>1) и Rс
0, Rвых ≈ rэ
348
