эмиттерная стабилизация положения РТ
Стабилизация считается хорошей, если
Sт ≈ (3 ÷ 5).
Такое значение коэффициента задают в случае , если температура изменяется в диапазоне 60 ÷ 80 С.
307
эмиттерная стабилизация положения РТ |
|
||||||||
Пример. Оценим значение коэффициента Sт. |
|
||||||||
Примем: |
|
Определим: |
|
|
|
|
|
|
|
- Rб1 = 80К, |
|
Rб = Rб1//Rб2 = 4,7К |
|
|
|
||||
|
|
|
|
||||||
- Rб2 = 5К, |
|
γ = Rэ//Rб ≈ 0,1К |
|
|
|
|
|||
- Rэ = 0,1К, |
|
SТ = |
В |
= |
|
50 |
= |
50 |
= 8,3 |
- В = 50. |
|
1 + γ·В |
1 + 0,1·50 |
6 |
|||||
|
|
|
|
|
|||||
Такой коэффициент задают, если
о
температура изменяется в диапазоне 50 С.
308
коллекторная стабилизация положения РТ
(стабилизация обратной связью по напряжению)
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ток базы, задающий режим |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
транзистора, определяется |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rк + Ек |
|||||||||
|
|
|
|
Rб |
|
|
|
напряжением Uкэ и |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iк |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
сопротивлением Rб. |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iб = Uкэ/Rб |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uкэ |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
Iб |
Если по каким-либо причинам |
|||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ток Iк увеличивается, то |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
напряжение Uкэ уменьшается. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
При этом уменьшается ток базы и транзистор |
||||||||||||||||||||||
закрывается, препятствуя увеличению тока |
||||||||||||||||||||||
коллектора. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
309
коллекторная стабилизация положения РТ
Iк
|
Н |
|
′″ |
|
|
|
|
|
Ек/Rк |
|
Iб |
″ |
60 |
ºС |
|||
|
|
|
||||||
|
|
•рт |
|
Iб |
|
|
||
|
|
|
|
″ |
20 |
ºС |
||
о |
|
|
• |
|
||||
Iк |
|
|
|
Iб |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
I′б |
|
|
α |
Iб = 0 |
|
о |
к· |
к |
Ек Uкэ |
Uкэ |
I |
R |
|
310
Термокомпенсация положения РТ
(стабилизация с помощью термозависимых элементов)
Включим вместо резистора Rб2 термозависимое сопротивление, например,
терморезистор. |
|
Его температурная характеристика |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
+ Ек |
R t |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Rб1 |
|
|
|
Rк |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iк |
|
R t |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РТ |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
Uб |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
t0С |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
t |
о |
|
|
|
|
Rt |
|
|
|
|
Iэ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
20 |
оC |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
С повышением температуры сопротивление |
||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
терморезистора уменьшается, уменьшается |
||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
падение напряжения на нем, т.е. |
||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
напряжение на базе. |
||||||||||||||||||||||||||
Термостабилизация
В качестве термозависимых элементов в интегральной схемотехнике используют p-n-переход.
Он имеет отрицательный ТКН.
Для получения низкоомного сопротивления используют переход база-эмиттер.
Для получения высокоомного сопротивления используют переход база-коллектор.
Iпр |
70 20оC |
0
∆UпрUпр
ТКН = - ∆Uпр/∆Т [мВ/град]
о
Методы стабилизации положения РТ могут применяться совместно и не противоречат друг другу.
Rб1 
Rк Rф + Ек
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Сопротивление Rэ обеспечивает |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rэ |
эмиттерную стабилизацию, |
|
|
|
Rб2 |
|
|
|
сопротивление |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rф – коллекторную. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
313
6.4 Прохождение сигнала через усилительный каскад
Подключим ко входу усилителя источник сигнала
Ес = Um·sinωt.
На базе будет действовать два напряжения:
- постоянное, задаваемое делителем Rб1, Rб2
необходимое для обеспечения исходного режима работы транзистора,
- переменное, задаваемое источником сигнала.
315
Подключим ко входу усилителя источник
сигнала |
Ес = Um·sinωt. |
|
|
|
С1 i |
C |
|
UбЭ |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
EC |
Rб |
h11 |
|
EC |
|
|
|
||
|
+UбЭ |
IБ |
+UбЭ |
t |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
На переходе база-эмиттер действует два напряжения:
+UбЭ EC
316
Под действием этих напряжений в цепи базы потечет |
||
постоянный ток и переменный ток, обусловленный |
||
напряжением источника сигнала. |
||
Оба тока воздействуют на переход база-эмиттер. |
||
Iб |
Uкэ = 5В |
m |
Iб2 |
|
|
|
|
• |
|
РТ |
t |
|
о |
iб(t) |
Iб1 |
Iб |
|
|
|
|
|
|
Uбэ |
о |
|
Ес |
Uбэ |
o |
|
|
•m |
|
|
t |
317 |
|
|
|