1. Характеристики и параметры диодов

1.1. Цель работы

Экспериментальное исследование полупроводниковых диодов, расчет их параметров.

1.2. Порядок выполнения работы

1. Записать тип исследуемых диодов. Из справочника выписать параметры и предельные режимы работы приборов (допустимые обратное напряжение U_{обр.мах}и прямой токI_пр.доп, максимальное значение прямого напряжения на диодеU_прmax, допустимую рассеиваемую мощность Р_доп, максимальный обратный токI_обри диапазон рабочих температур).

2. Вызвать пакет анализа электронных схемElectronics Work Bench (EWB). Собрать схему рис.1,а для снятия прямой ветви ВАХ диода. Для выбора конкретного диода выполнить левой клавишей мыши двойной щелчок по изображению диода и в открывшемся окне выбрать в списке библиотек (слева) библиотеку моделейLab, а в этой библиотеке (список справа) заданный диод, после чего нажать кнопку ОК.Ни в коем случае не выполнять ни какие другие действия с библиотеками моделей!Убедиться, что амперметр и вольтметр установлены в режим измерения постоянного тока (DC), при необходимости выполнить переключение приборов. Установить сопротивление амперметра 1Ом, вольтметра – 1МОм. Установить ток источника тока равным половине прямого допустимого тока диодаI_пр.доп. Включить режим моделирования и убедиться в правильной работе схемы_.

4

Справочники

12. Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник / А. Б. Гитцевич, А. А. Зайцев, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь, 1988. 528 с.

13. Галкин В. И., Булычев А. Л., Лямин П. М. Полупроводниковые приборы: Справочник. Минск: Беларусь, 1994. 347 с.

14. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности: Справочник / А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь, 1989. 384 с.

Приложение 1. Справочные данные диодов

Таблица П1

Диод	Iпр.доп. мА	Uпрmax В	Uобр В	Iобрmax мкА	Тmin	Тmax	Fmax МГц
	Германиевые
ГД107А	10	0.6	10	20	-60	60	1
ГД113А	15	0.6	115	250	-40	85	0.01
Д7А	300	0.4	50	80	-55	70	0.002
Д7Б	300	0.4	100	100	-55	70	0.002
Д7В	300	0.5	150	100	-55	70	0.002
Д7Д	300	0.5	300	100	-55	70	0.002
Д9В	20	0.6	30	100	-60	70	0.1
Д9Г	30	0.6	30	250	-60	70	0.1
Д9У	20	0,6	50	250	-60	60	0,1
Д9Ж	15	0,6	100	250	-60	70	0,1
	Кремниевые
КД102А	100	1	250	0.1	-60	100	0.004
КД103А	100	0.9	50	0,5	-60	100	0,15
2Д103А	100	1	75	1	-60	125	0,15
Д226Г	200	1,2	300	10	-60	100	0,01
КД104А	10	1	300	3	-60	100	0.02
2Д106А	300	0.9	100	10	-60	125	0.02
КД109А	300	1,2	100	25	-60	125	0,01
КД407А	50	1	25	0.5	-60	100	0.15
КД413А	20	1	25	0.1	-60	100	0.15
КД411Г	1000	1.4	400	700	-60	125	0.15

21

Библиографический список

1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: Учебное пособие для вузов / Ю. Л. Бобровский, С. А. Корнилов, И. А. Кратиров и др.; Под ред. проф. Н. Д. Фёдорова. М.: Радио и связь, 1998. 560 с.

2. Булычев А. Л., Лямин П. М., Тулинов Е. С. Электронные приборы. М.: Лайт Лтд., 2000. 416 с.

3. Лачин В. И., Савёлов Н. С. Электроника: Учеб. пособие. Ростов-на-Дону: изд-во "Феникс", 2000. 448 с.

1. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника: Учеб. пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1991. 622 с.

2. Пасынков В. В., Чиркин А. К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. М.: Высш. шк., 1987. 479 с.

3. Батушев В. А. Электронные приборы. М.: Сов. радио, 1980. 383 с.

4. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2000. 488 с.

5. Карлащук В. И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и её применение. М.: "Солон-Р", 1999. 506 с.

Методические указания

6. Елфимов В. И., Устыленко Н. С., Беспалов В. В. Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов: Методические указания к лабораторной работе по курсу "Электронные твёрдотельные приборы и микроэлектроника". Екатеринбург: Екатеринбургский филиал СибГУТИ, 1998. 72 с.

7. Елфимов В. И., Устыленко Н. С. Исследование влияния температуры на характеристики и параметры кремниевых стабилитронов: Методические указания к лабораторной работе по курсу "Электронные твёрдотельные приборы и микроэлектроника". Екатеринбург: Екатеринбургский филиал СибГУТИ, 1998. 46 с.

8. Елфимов В. И., Устыленко Н. С. Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом: Методические указания к лабораторной работе по курсу "Электронные твёрдотельные приборы и микроэлектроника". Екатеринбург: Екатеринбургский филиал СибГУТИ, 1998. 47 с.

20

3. Снять прямые ветви ВАХ диодов, последовательно устанавливая значения прямого тока от 0,2мА доI_пр.доп (рекомендуемый ряд значений: 0.2, 0.5, 1, 2, 5, 10, ...мА). По результатам измерений для каждого из диодов заполнить таб.1.

4. Установить значение температуры окружающей среды равное 50ºС и повторить измерения п.2 для заданных диодов. Для установки температуры выбрать опцию Analysis options меню Analysis. В открывшемся окне выделить вкладкуGlobalи установить значение переменнойSimulation temperature (TEMP)равное заданной температуре 50degrees C. Выполнить измерения иустановить прежнее значение температуры 27 degrees C (27ºС или 300ºК).

Таблица 1

Диод	Iпр (мА)	0,2	0,5	1	2	5	10		Iпр.доп
27ºС	Uпр (В)
50ºС	Uпр (В)

5. Собрать схему рис.1,б для снятия обратной ветви ВАХ. Изменяя величину обратного напряжения, приложенного к диодам, снять обратные ветви ВАХ для тех же диодов. Рекомендуемый ряд обратных напряжений приведен в таб.2. Последней при измерениях взять точку, в которой начинается резкий рост обратного тока (ток возрастает до 0,5-1мА). Результаты измерений занести в таб.2 для каждого диода.

Таблица 2

Диод	Uобр (В)	0,5	1	5	0,9Uобр.мах
27ºС	Iобр (мкА)
50ºС	Iобр (мкА)

6. Установить значение температуры окружающей среды равное 50ºС и повторить измерения п.4 для заданных диодов. После окончания измерений не забудьте установить прежнее значение температуры 27 degrees C.