24

Министерство Российской Федерации по связи и информации

Уральский филиал Сибирского государственного университета

телекоммуникаций и информатики

Электроника

Методические указания к лабораторному практикуму по курсу “Электроника”

Екатеринбург 2003

УДК 681.5.01:512

Составители: В.И.Паутов, доц. к.т.н..

В В. Муханов, доц. к.т.н.

Научный редактор В.А. Матвиенко, доц. к.т.н.

Библиогр.: 14 назв. Рис. 7 . Табл. 11.

Подготовлено кафедрой общепрофессиональных дисциплин

Уральский филиал СибГУТИ

2003

23 Приложение п2. Справочные данные транзисторов

Таблица П2

Транзис- тор	Uкэдоп (В)	Iкmax (мА)	Ркдоп (мВт)	IК0 МкА	h21Э	h21Э/При F Мгц	СКЭ ПФ	Fгр (МГц)
КТ201А	20	20	150	1	20/60		9	40
КТ201Б	10	30	150	0,5	30/90		9	40
КТ301Д	30	10	150	5	20/60	1,5/20	10
КТ3102А	50	100	250	0,05	100/250	1,5/100	6
КТ3102В	30	100	250	0,05	250/500	1,5/100	6
КТ312В	30	30	225	10	50/250	6/20	5	120
КТ315А	25	100	150	1	20/90	2,5/100	2
КТ315В	40	100	150	1	20/90	2,5/10	7
КТ315Ж	15	50	100	10	50/250	1,5/10	7
КТ325А	15	60	225	0,5	30/90	-	2	800
КТ325Б	15	60	225	0,5	70/210	-	2,5	800
КТ339А	25	50	260	1-	25/70	3/100	2
КТ342А	30	50	250	1	50/250	2,5/100	8	300
КТ342Б	15	300	250	1	100/800	4/100	8	300
КТ604Б	100	200	800	20	30/120		7	50
КТ630В	150	1000	800	1	40/120	-	15	50
КТ817В	60	3000	25000	100	20/60	-	60	3

ПРИЛОЖЕНИЕ 3. Параметры стабилитронов

Таблица П3

Тип прибора	Uст В	Iстmin мА	Iстmax мА	Uпр В	Iпрдоп мА	ТКН %/°С	Tmax °С
KC147Г	4,7	1	58	1	115	-0,09	125
KC156A	5,6	3	55	1	110	-0,05	100
KC162A	6,2	3	22	1	90	-0,04	125
KC168A	6,8	3	45	1	90	±0,04	125
KC170A	7,0	3	20	1	50	±0,01	125
2C175Ж	7,5	1	17	1	50	0,07	125
2C175E	7,5	3	17	1	20	0,065	125
KC182A	8,2	3	17	1	20	0,004	125

22 Содержание

1. Характеристики и параметры диодов 4

2. Статические характеристики и параметры

биполярного транзистора 7

3. Статические характеристики и параметры

полевого транзистора 10

4. Режим работы транзистора по постоянному току 13

5. Усилительный каскад с общим коллектором

(эмиттерный повторитель) 17

6. Библиографический список 20

7. Приложения 21

3