Микросхема lm431
Микросхема LM431 – трехвыводной термоустойчивый параллельный регулятор напряжения. Регулятор сохраняет свою устойчивую работу в широком диапазоне температур. Выходное напряжение может быть установлено на любом уровне в диапазоне от 2,5 В до 36 В подбором резистора внешнего делителя напряжения, подключенного к выводу регулировки. Благодаря слабой зависимости напряжения от изменений температуры (рисунок П9) данная микросхема рекомендуется для замены зенеровских диодов.
Рисунок П10 – График зависимости выходного напряжения от температуры
Конструктивно драйвер размещен в трехвыводном пластмассовом корпусе TO – 92 (рисунок П10).
Рисунок П10 – Цоколевка корпуса
На рисунке П11 приведена функциональная схема параллельного регулятора LM431.
Рисунок П11 – Функциональная схема LM431
Электрические характеристики
|
Температура хранения, °C |
– 65… +150 |
|
Температура рабочего диапазона, °C |
– 0… + 70 |
|
Температура выводов (пайка не более 10 сек.), °C |
+ 260 |
|
Входной постоянный катодный ток, мА |
– 10… +150 |
|
Напряжение на катоде, В |
37 |
|
Напряжение питания (смещения), В |
– 0,5 |
|
Входной ток питания, мА |
10 |
|
Мощность потребления, Вт |
0,78 |
Приложение Л
Основные полупроводниковые приборы
Таблица П11 – Характеристики полупроводниковых приборов
|
Обозначение на схеме |
Тип |
Параметры |
|
VT3, VT4
|
BC327 – 25
|
Транзистор биполярный p-n-p типа UК-Б = 50В, IК = 10А, h21 Э =400, Fгр=100МГц, PРАС =0,6Вт.
Корпус – TO-92 |
|
VT5, VT6
|
2SK2611
|
Транзистор π – MOSIII типа с каналом n – типа UС-И = 900В, IC = 9А (постоянный), IC = 27А (импульсный), RC-И =1,1Ом, tНАР = tСП = 5нС, tВЫКЛ = 10мкС, dIС/dt = 100А/мкС, PС = 150Вт, UЗ-И = ±30В.
Корпус SC – 65 (EIAJ) 2 – 16C1B (TOSHIBA) |
|
VD12,VD13
|
MUR1640CT MURH840CT
|
Быстровосстанавливающая диодная сборка (два элемента в корпусе) UОБР МАКС = 400В, IПР. ПОСТ =8А, dI/dt = 50 А/мкС, tВОСС =60нС, UПР = 1,3В.
Корпус – TO – 220 |
|
VT7, VT9
|
4N35
|
Транзисторная оптопара UК-Э = 30В, Uизол = 2,5кВ, h21 Э = 100% при токе 10мА, Imax ВЫХ ТЕМН. К = 150мА Корпус – PDIP – 6 |
Приложение М
Схема кабеля управления
Схема кабеля управления ИБП5 (RS232C, 9 контактная вилка – розетка) приведена на рисунке П12.
Рисунок П12 – Схема кабеля управления ИБП5
Приложение Н
Силовые полупроводниковые приборы
Таблица П12 – Характеристики полупроводниковых приборов
|
Узел |
Обозначение на схеме |
Тип |
Параметры |
|
ККМ |
VT1, VT2
|
IRFP – 450А
|
Транзистор MOSFET с каналом n– типа UС-И = 500В, IC = 14А, RC-И =0,4Ом, PСmax = 180Вт. Крутизна характе-ристики S = 9,3А/В, UЗ-И = 4В. Корпус – TO247AC |
|
VD6
|
HFA15PB-60
|
Диод Umax = 600В, IПР. СР =15А,
IПР. УД =150А, dI/dt = 160 А/мкС, Pmax = 74Вт, UПР = 1,3В. Корпус – TO247AC | |
|
Преобразователь (инвертор и выпрямитель) |
VT1…VT4
|
SSH22N50A
|
Транзистор MOSFET с каналом n- типа UС-И = 500В, IC = 22А (t = 250С), IC = 13,4А (t =1000С), IC.ЭФФ = 88А, RC-И =0,25Ом, dU/dt = 3,5В/нС, PС = 278Вт, UЗ-И = ±30В. Корпус – TO – 3Р |
|
VD3, VD4
|
STPS40H
|
Диод Шоттки сдвоенный. Umax = 100В,
IПР = 2x20А, UПР = 0,61В, IПР. УД =300А (t = 10мС), IОБР = 10мкА
Корпус – TО247 |
Приложение О