
- •Математические модели радиокомпонент Методические указания к лабораторным работам
- •Оглавление
- •Ключевая задача №1
- •Рекомендуемая учебно-методическая литература
- •1.4 Задание к выполняемой работе
- •1.5 Содержание отчета
- •2.1 Цель работы
- •2.2 Подготовка к работе
- •Модели электростатических полей
- •Модели электрического тока в полупроводниках
- •Модели резисторов
- •Омические контакты
- •Длина l
- •2.3 Краткие теоретические сведения
- •2.3.1 Справочные данные для расчетов моделей подвижностей и удельных сопротивлений для различных полупроводниковых материалов
- •2.3.2 Поверхностное сопротивление резистивного слоя и коэффициент формы резистора.
- •Рекомендуемая учебно-методическая литература
- •2.5 Содержание отчета
- •3.1 Цель работы
- •3.2 Подготовка к работе
- •Модели неравновесных процессов в полупроводниках
- •Основные физические одномерные модели резких p-n переходов
- •Физическая схемотехническая модель реального диода (для программы pspice)
- •Рекомендуемая учебно-методическая литература
- •3.4 Задание к выполняемой работе
- •Часть 1
- •Часть 2
- •Часть 3
- •5. Содержание отчета
- •4.1 Цель работы
- •Модель Гуммеля-Пуна для бт в программе pspice
- •4.3 Краткие теоретические сведения
- •Рекомендуемая учебно-методическая литература
- •4.4. Задание к выполняемой работе
- •Часть 1 Исследование модели тока связи бт
- •Часть 2 Исследование основных параметров бт
- •Раздел 3 Исследование модели Эберса-Молла
- •Раздел 4 Исследование модели Гуммеля-Пуна
- •5. Содержание отчета
- •Математические модели радиокомпонент
Часть 1 Исследование модели тока связи бт
4.4.2 На PC (персональном компьютере) изучить правила работы
Изучить структуру листа Excel “Параметры структуры”
Все зеленые поля соответствуют входным данным, которые должны быть заполнены в соответствии с заданием.
Желтые, коричневые и голубые поля автоматически вычисляются в Excel.
4.4.3 Подготовить исходные данные для выполнения работы
Для этого необходимо в соответствии с исходными данными варианта задания в листе Excel “Параметры структуры”:
выбрать нужный тип полупроводника и легирующей примеси в эмиттере, базе и коллекторе БТ N-P-N типа;
в концентрационных таблицах установить значения N в эмиттере, базе и коллекторе;
задать типы основных и неосновных носителей;
по графикам концентрационной зависимости подвижностей от концентрации при 300К задать подвижности основных и неосновных носителей для трех концентрационных значений;
задать геометрические размеры БТ;
установить требуемое сечение захвата и комнатную температуру 300К
4.4.4 Исследовать конструктивные параметры БТ
нарисовать конструкцию интегрального БТ, соответствующую заданным конструктивным параметрам и указать на рисунке все конструктивные размеры;
построить график распределения легирующей примеси в структуре БТ, указав глубины двух основных переходов;
записать необходимое конструктивное условие существования БТ;
объяснить, для чего нужно задавать сечение захвата? в модели какого параметра участвует эта величина?
выяснить численно, будет ли полупроводниковая структура, соответствующая вашему варианту работать как БТ;
записать модель статического коэффициента усиления alfa;
считая, что потерь при переносе носителей через базу нет (рекомбинация отсутствует) получить численную оценку alfa;
установить, как зависит оценка BETA от а) температуры прибора; б)от концентрации примеси в базе; в) от концентрации примеси в эмиттере; г)от концентрации примеси в коллекторе;
нарисовать необходимые графики и сделать выводы
4.4.5 Исследовать базу БТ
записать модель толщины базы WB для соответствующей координатной системы;
найти значения толщины базы при условии, что БТ находится в состоянии термодинамического равновесия;
выяснить, как будет меняться WB с изменением: а) температуры прибора; б) концентрации примеси в базе; в) концентрации примеси в эмиттере; г) концентрации примеси в коллекторе;
выяснить, как будет меняться WB с напряжения на а) коллекторном переходе (обратное); б) эмиттерном переходе (прямом); построить графики этих зависимостей;
установить, чему равна толщина базы и число Гуммеля (для базы) во всех четырех основных рабочих режимов БТ (конкретные величины напряжений, смещающих переходы выбрать самостоятельно);
записать модель для числа Гуммеля и пояснить на иллюстративном графике его физический смысл;
сделать выводы;
4.4.6 Исследовать модель тока связи БТ N-P-N типа
записать модель тока связи N-P-N БТ и объяснить физическую сущность данного тока;
записать модель тока насыщения в модели тока связи N-P-N БТ и определить ее входные параметры;
объяснить, распределение концентрации каких носителей (основных или неосновных) участвует в модели тока связи;
установить, как зависит ток насыщения Is от а) температуры прибора; б)от концентрации примеси в базе; в) от концентрации примеси в эмиттере; г)от концентрации примеси в коллекторе;
объяснить, будет ли в общем случае параметр Is модулироваться напряжениями на эмиттером и коллекторном переходах;
изучить структуру листа Excel “Модель тока связи БТ”
управляя знаками напряжений на переходах (больше нуля – прямо; меньше нуля – обратно) и величиной их диапазона (по вашему усмотрению), построить ВАХ и ВАХ-2 для всех четырех основных режимов работы;
полученные графики перерисовать или распечатать
сделать выводы