Часть 3

3.4.13 Исследовать влияние концентрации в базе и температуры на значение равновесной барьерной емкости Cj0 (при U=0)

1. записать модель равновесной барьерной емкости Сj0 и определить ее входные параметры;

2. изменяя значение концентрации в базе диода на листе «Основные параметры материалов» установить, как зависит Сj0 от Nбазы для вашего варианта; для вычисления Сj0 и графического представления искомой зависимости использовать таблицу и гистограмму из листа «Емкости диода»:

3. изменяя значение температуры диода на листе «Основные параметры материалов» установить, как зависит Сj0 от T для вашего варианта; для вычисления Сj0 и графического представления искомой зависимости использовать таблицу и гистограмму из листа «Емкости диода» аналогично пункту 2;

4. установить, как влияет смена типа материала на Сj0;

5. сделать выводы.

3.4.14 Исследовать вид ВФХ барьерной емкости в зависимости от ее входных параметров

1. записать модель Сj и определить ее входные параметры;

2. изменяя в таблице параметров только Сj0 и Vj (остальные значения —по умолчанию) установить для вашего варианта как будет изменяться вид ВФХ в зависимости от температуры и концентрации примеси в базе; для вычисления Vj использовать лист «Основные параметры материала»; уточнить поведение величины емкости вблизи точки U=Vj, найдя для этого величины FC*Vj (точки переключения), при переходе которых меняется форма ВФХ;

3. построить и распечатать (или срисовать) графики барьерной емкости в зависимости от температуры и концентрации примеси в базе диода для вашего варианта; на обратных графиках показать, где расположены точки, соответствующие Сj0 и Vj; для распечатки нескольких графиков на одном листе А4 можно воспользоваться редактором Word; для этого необходимо запустить Word, затем вернуться в Excel, выбрать нужный график, скопировать его в карман, перейти снова в Word и восстановить график из кармана; (чтобы скопировать объект, нажмите кнопку Копировать на стандартной панели инструментов; укажите мышкой, куда следует вставить объект; нажмите кнопку Вставить на стандартной панели инструментов;)

4. определить, каким образом изменяется вид ВФХ если:

5. варьировать (изменять) только параметр M; диапазон вариации определить как 0,1—1;

6. варьировать (изменять) только параметр FC; диапазон вариации взять в окрестности точки 0,5; может ли параметр FC быть больше единицы?

7. определить, как влияет смена полупроводникового материала на вид ВФХ барьерной емкости;

8. сделать выводы

3.4.15 Исследовать вид ВФХ диффузионной емкости в зависимости от ее входных параметров

1. записать модель Сd и определить ее входные параметры;

2. установить для вашего варианта как будет изменяться вид ВФХ в зависимости от температуры и концентрации примеси в базе; для вычисления параметров, зависящих от T и N_базы использовать лист «Основные параметры материала»; для построения ВФХ диффузионной емкости использовать соответствующую таблицу в листе «Емкости диода»;

3. построить и распечатать (или срисовать) графики диффузионной емкости в зависимости от температуры и концентрации примеси в базе диода для вашего варианта;

4. определить, каким образом смена материала будет изменять вид ВФХ?;

5. сделать выводы.

3.4.16 Исследовать вид ВФХ барьерной и диффузионной емкости на совмещенном графике

1. для прорисовки совмещенного графика подобрать соответствующий реальный диапазон (max и min) шкалы емкостей, позволяющий сравнить ВФХ барьерной и диффузионной емкостей;

2. через какие параметры в модели учитывается площадь p-n перехода?

3. задать для барьерной и диффузионной емкостей одинаковые параметры по виду материала, температуры, конструктивным размерам и уровням легирования для вашего варианта и нескольких его вариаций, самостоятельно выбранных вами;

4. определить, в каких диапазонах по напряжениям доминирует барьерная емкость, в каких — доминирует диффузионная;

5. каким образом изменится соотношение между Сj и Cd, если поменять тип материала?

6. сделать выводы.