- •17. Шифратор центрального поста типа цшр
- •18. Дешифратор центрального поста типа цдш-3
- •19. Блок усилительный типа гу
- •20. Блок регистрации типа цтр
- •21. Блок диодный соединительный типа бдс
- •22. Блок групповой триггерный типа бтгр
- •23. Блок групповой избирательный типа ги
- •24. Устройство выпрямительное типа ву-14/1,5
- •25. Трансформатор 644.17.92
- •26. Стативы диспетчерской централизации «Нева»
- •27. Статив центрального поста типа 1ц «нева»
- •28. Статив центрального поста типа 2ц «Нева»
- •29. Статив линейного пункта типа л «Нева»
- •30. Статив трансляционного пункта типа тп «Нева»
- •31. Статив испытательный типа иц «Нева»
- •32. Статив усилительного пункта типа уп «нева»
Таблица 18
Наименование и тип элементов, примененных в линейном шифраторе ЛШ1
|
Условное обозначение на схеме |
Наименование элемента |
Тип элемента |
|
R1, R2, R6, R11, R14, R19, R64, R84, R89, R92, R97, R100, R105, R107 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-3 кОм ±10% |
|
R3, R8, R12, R16, R20, R29, R31, R33, R35, R38—R60, R63, R65, R67, R69, R71, R73, R75, R77, R79, R81, R86, R90, R94, R98, R102, R106, R132, R133 |
Резистор |
МЛТ-0,5Вт-1 кОм±10% |
|
R4, R5, R7, R9, R10, R13, R15, R17, R18, R21— R28, R37, R61, R66, R68, R82, R85, R88, R93, R96, R101, R104, R108—R115 |
Резистор |
МЛТ-1 Вт-470Ом±10% |
|
R30, R32, R34, R36, R70, R72, R74, R76, R78, R80 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-1,5 кОм ±10% |
|
R62 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-8,2 кОм ±10% |
|
R83, R87, R91, R95, R99, R103 |
Резистор |
МЛТ-2Вт-330Ом±10% |
|
R134—R143 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-30 кОм ±10% |
|
С1 |
Конденсатор |
МБМ-160В-1 мкф±10% |
|
С2—С12 |
Резистор |
МБМ-160 В-0,25 мкФ ±10% |
|
VD1—VD94 |
Диод |
Д226Б |
|
VT1—VT24 |
Транзистор |
МП40А |
Нумерация контактов колодки аналогична нумерации колодки линейного шифратора (см. рис. 29).
Габаритные размеры приведены на рис. 29; масса не более 9,0 кг.
17. Шифратор центрального поста типа цшр
Назначение. Шифратор центрального поста ЦШР (черт 601.33.15) осуществляет формирование и передачу управляющих приказов, производит счет импульсов, обеспечивает поочередное возникновение на каждом выходе диодной матрицы отрицательного импульса, обеспечивает блокировку реле Г, осуществляет управление частотами генератора ЦГ-2.
Таблица 19
Наименование и тип элементов, примененных в блоке ЦС
|
Условное обозначение на схеме |
Наименование элемента |
Тип элемента |
|
R1, R5, R6, R16, R17, R19, R24, R28, R32, R35, R40, R43, R48, R51, R55, R59, R60, R65, R70, R71, R78, R83, R86, R91, R95, R99, R104 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-3 кОм ±10% |
|
R2, R7, R12, R15, R21, R25, R30, R33, R37, R41, R45, R49, R53, R57, R62, R67, R72, R80, R84, R88, R92, R97, R100 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-6,2 кОм + 10 % |
|
R3, R8, R9, R11, R14, R18, R20, R22, R23, R26, R27, R29, R31, R34, R36, R38, R39, R42, R44, R46, R47, R50, R52, R54, R55, R6I, R63, R68, R73, R77, R79, R81, R82, R85, R87, R89, R90, R93, R94, R96, R98, R103 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-1 кОм ±10% |
|
R4, R10, R13, R6*, R66, R69, R75 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-1,5 кОм +10% |
|
R58, R101 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-8,2 кОм ±10% |
|
R102 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-470 Ом ±10% |
|
С1—С21 |
Конденсатор |
МБМ-160 В-0,25 мкФ ±10% |
|
С22 (5 мкФ) |
Конденсатор |
МБМ-160 В-1 мкФ±10% (5 шт. включаются параллельно) |
|
VD1—VD23 |
Диод |
Д226Б |
|
VD25—VD51 |
Диод |
Д226Б |
|
VT1—VT24 |
Транзистор |
МП40А |
Некоторые конструктивные особенности. Шифратор ЦШР включается в схему с помощью 22-штырной штепсельной колодки (черт. 710.09.90).
Наименование и тип элементов, примененных в шифраторе ЦШР, приведены в табл. 20.
Монтаж шифратора выполняется проводом ПМВГ-0,2 мм2.
Контактная система. Монтаж шифратора ЦШР выведен на 22-ножевую штепсельную колодку. Нумерация контактов колодки аналогична нумерации колодки линейного шифратора (см. рис. 29).
Габаритные размеры приведены на рис. 29; масса не более 9 кг.
Таблица 20 Наименование и тип элементов, примененных в шифраторе ЦШР
|
Условное обозначение на схеме |
Наименование элемента |
Тип элемента |
|
R1, R3, R5, R10, R11, R15, R18, R21, R23, R25, R26, R29, R31, R33, R34, R37—R44, R53, R68, R69, R81, R86, R88, R90, R91, R94, R96, R98, R99, R103—R110, R113, R114, R119 |
Резистор |
МЛТ-1 Вт-470 Ом ±10% |
|
R2, R4, R7, R9, R12, R16, R20, R24, R28, R32, R36, R45, R47, R49, R51, R66, R73, R75, R77, R79, R84, R89, R93, R97, R101 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-6,2 кОм ±10% |
|
R6, R8, R13, R17, R54, R55, R65, R67, R83 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-1 кОм±10% |
|
R14, R19, R22, R27, R30, R35, R87, R92, R95, R100, R111, R112 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-3 кОм ±10% |
|
R46, R48, R50, R52, R74, R76, R78, R80, R82, R85 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-1,5 кОм ±10% |
|
R56— R64 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-750 Ом ±10% |
|
R70 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-2 кОм±10% |
|
R71.R72 |
Резистор |
МЛТ-1 Вт-120Ом±10% |
|
R102 |
Резистор |
МЛТ-0,5 Вт-10 кОм ±10% |
|
С1— СЮ, С12 |
Конденсатор |
МБМ-160 В-0,25 мкФ ±10% |
|
VD1— VD60 |
Диод |
Д226Б |
|
VT1— VT25 |
Транзистор |
МП40А |
|
VT26 |
Транзистор |
П214В |